存儲技術(shù)
中國企業(yè)級外部存儲市場增長態(tài)勢放緩 主要是受內(nèi)置存儲增長乏力...
中國企業(yè)級外部存儲市場增長態(tài)勢放緩 主要是受內(nèi)置存儲增長乏力影響...
2019-11-22 標(biāo)簽：存儲 969
浪潮為4K花園提供分布式存儲方案 以應(yīng)對超高清視頻需求
浪潮為4K花園提供的分布式存儲方案，從性能、容量和擴容方面來看，有效解決了4K花園當(dāng)下存儲空間、帶寬和擴展性瓶頸，浪潮從研發(fā)生產(chǎn)，測試，到交付，全面采用了全智慧化的JDM生產(chǎn)模式，精益產(chǎn)品品質(zhì)，提高交付效率，支撐起4K花園PB級數(shù)據(jù)的遷移、存儲和擴容。
DataCore推出下一代分布式文件和對象存儲虛擬化技術(shù)產(chǎn)品...
DataCore近日宣布推出其下一代分布式文件和對象存儲虛擬化技術(shù)產(chǎn)品vFilO軟件，幫助企業(yè)組織，優(yōu)化和控制本地和云中分散的大量數(shù)據(jù)。
美光Micron i300 microSDXC UHS-I工...
美光科技公司（Micron Technology，Inc.）推出了大容量工業(yè)microSD卡 – i300 1TB microSDXC UHS-I ，可滿足視頻監(jiān)控市場和其他工業(yè)應(yīng)用的邊緣存儲需求。
HighPoint NVMe存儲解決方案SSD 6540M擴...
HighPoint公司通過端到端PCIe 3.0 x16外部M.2 NVMe RAID存儲解決方案SSD6540M擴展了其外部NVMe產(chǎn)品線。
將在2020年造成最大破壞的五種存儲技術(shù)介紹
幾十年來，主要根據(jù)容量和速度來衡量存儲技術(shù)的進步。不再。近年來，通過使存儲變得更智能，更靈活且更易于管理的先進新技術(shù)和方法，這些穩(wěn)定的基準(zhǔn)得到了增強甚至被取代。
SK海力士開始出貨128層4D閃存 把重點市場轉(zhuǎn)向了5G手機
2019年智能手機的閃存容量進一步提升，中高端手機基本上是128GB起步，高端會上512GB，個別產(chǎn)品頂配直接上1TB容量了。按照這個趨勢下去，明年1TB容量的手機會更多，因為SK海力士現(xiàn)在已經(jīng)開始出貨1TB UFS 3.1閃存給手機廠商，堆棧層數(shù)達到了128層。
芯片需求強勁 三星DRAM芯片市場份額創(chuàng)下第二季以來最高水平
由于服務(wù)器和智能手機的芯片需求強勁，三星電子今年第三季度 DRAM 芯片創(chuàng)下了自 2017 年第二季度以來的最高水平，市場份額達 46.1%。
隨著5G物聯(lián)網(wǎng)的正式普及 NAND閃存將迎來新的增長點
半導(dǎo)體行業(yè)一直是科技行業(yè)的重頭，尤其是今年開始，半導(dǎo)體行業(yè)的重要性愈發(fā)顯得突出，隨著 5G 物聯(lián)網(wǎng)的正式普及，又會帶動新的一波增長趨勢。
手機設(shè)備需求強勁 帶動第三季度存儲的增長
內(nèi)存價格在第三季度存儲產(chǎn)業(yè)中持續(xù)走軟，但在智能型手機出貨量受惠于蘋果 iPhone 和其他品牌智能型手機備貨需求強勁，帶動第三季存儲位出貨量普遍較第二季度成長。
投資減少 預(yù)計明年DRAM產(chǎn)出增幅創(chuàng)十年新低
集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心（DRAMeXchange）表示，八月 DRAM 合約價與前月持平，DDR4 8GB 均價來到 25.5 美元，而九月合約價格雖然仍在議定當(dāng)中，但繼續(xù)持平的可能性高。
2019-11-19 標(biāo)簽：DRAM 579
國產(chǎn)DRAM一直是痛點 三大廠商正在努力突破重圍
隨著中國智能手機的發(fā)展，PC、物聯(lián)多設(shè)備出貨量的進一步增加，對于內(nèi)存的需求也是越來越大，進口額也在逐年增加。也正因為如此，所在在早幾年之前，國內(nèi)就一直有呼聲，一定要加緊制造自己的內(nèi)存出來，不能純粹靠進口。而因為中興、華為被美國打壓的問題，讓我們意識到了在半導(dǎo)體領(lǐng)域受制于人所存在的巨大風(fēng)險，而日本突然對韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)動致命一擊，也讓我們看到了在生意場上沒有所謂的盟友。
SK海力士推出新型DRAM 號稱創(chuàng)下業(yè)內(nèi)單芯最大密度記錄
SK 海力士公司宣布，其已成功開發(fā)出 1Znm 16GB DDR4 動態(tài)隨機存儲器（DRAM），創(chuàng)下了業(yè)內(nèi)單芯最大密度的紀(jì)錄。與上一代 1Y nm 產(chǎn)品相比，其產(chǎn)能提升約 27%，因其無需昂貴的極紫外（EUV）光刻加持，因此更具成本競爭優(yōu)勢。
買方采購力加強 有助于2020年DRAM價格的止穩(wěn)反彈
根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心（DRAMeXchange）最新調(diào)查，第四季 DRAM 均價相較前一季仍小幅下跌，但跌幅已縮小至約 5%。10 月交易量與先前季度的首月相比明顯放大，顯示買方購貨的意愿逐漸增強。一旦供給商的庫存降低，降價求售的必要性便大幅下降，有助于 2020 年 DRAM 價格的止穩(wěn)反彈。
2019-11-19 標(biāo)簽：DRAM 607
DRAM結(jié)束下滑 各廠商未來計劃各有不同
臺系廠商部分，TrendForce 指出，南亞科第三季受惠于銷售位出貨量大增逾 35%，盡管報價下滑雙位數(shù)，營收仍較前一季成長 18.7%，但毛利率、營業(yè)利益率持續(xù)下跌。 在相對高基期下，第四季的出貨量恐呈現(xiàn)衰退，獲利能力要見反彈仍需時間。
第三季DRAM出貨量大增 第四季出貨量有望維持成長
據(jù) DRAMeXchange 調(diào)查顯示，第三季 DRAM 供應(yīng)商銷售位元出貨量（sales bit）大增，連帶推升 DRAM 總產(chǎn)值成長 4%，結(jié)束連續(xù)三季下滑。展望第四季，三大 DRAM 原廠仍預(yù)期在服務(wù)器及手機需求的帶動下，出貨量有望維持成長。
2019-11-19 標(biāo)簽：DRAM 686
隨著國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投入的加大 國內(nèi)存儲器行業(yè)也將迎來加速發(fā)展
目前在全球的消費電子市場上，存儲器是名副其實的電子行業(yè)“原材料”。如果再將存儲器細分，又可分為 DRAM、NAND Flash 與 Nor Flash 三種。
市場需求不太明顯 內(nèi)存將開始緩步走跌
2018 年下半年開始的存儲器供過于求情況，加上后來的美中與日韓貿(mào)易摩擦沖擊，使得存儲器市場持續(xù)走跌的情況，日前似乎有回穩(wěn)跡象。其中，在現(xiàn)貨價之前首先止跌的狀態(tài)下，廠商一直力圖拉抬合約價也同時上漲。
合肥長鑫量產(chǎn)DDR4內(nèi)存 暫時不會產(chǎn)生什么大影響
9 月份合肥長鑫宣布量產(chǎn) 8Gb 顆粒的國產(chǎn) DDR4 內(nèi)存。對于國產(chǎn)內(nèi)存，市場預(yù)期不會對三星、SK 海力士及美光三大內(nèi)存巨頭帶來太大影響，但是會擠壓第四大內(nèi)存廠商南亞科的空間。對此南亞科予以否認，表示短時間內(nèi)沒什么大影響。
閃存價格觸底反彈 服務(wù)器市場難以回溫
根據(jù) CINNO Research 產(chǎn)業(yè)研究，最新發(fā)布的存儲器價格報告指出，十月份內(nèi)存與閃存價格走勢呈現(xiàn)上漲動能停滯的情形，最主要因素在于服務(wù)器的市場尚未出現(xiàn)回溫的跡象以至于內(nèi)存條的價格疲軟。
2019-11-19 標(biāo)簽：閃存 545
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