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電子發燒友網>LEDs>LED原創>NGK Insulators在GaN晶圓上實現綠光LED光效翻倍

NGK Insulators在GaN晶圓上實現綠光LED光效翻倍

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2024-03-28 15:05:531092

友思特應用 硅片的光影貼合:UV-LED曝光系統邊緣曝光中的高效應用

邊緣曝光是幫助減少涂布過程中多余的光刻膠對電子器件影響的重要步驟。友思特 ALE/1 和 ALE/3 UV-LED 高性能點光源,作為唯一可用于寬帶邊緣曝光的 i、h 和 g 線的 LED 解決方案,可高效實現WEE系統設計和曝光需求。
2024-07-25 13:45:552051

碳化硅和硅的區別是什么

以下是關于碳化硅和硅的區別的分析: 材料特性: 碳化硅(SiC)是一種寬禁帶半導體材料,具有比硅(Si)更高的熱導率、電子遷移率和擊穿電場。這使得碳化硅高溫、高壓和高頻應用中具有優勢
2024-08-08 10:13:174711

信越化學推出12英寸GaN,加速半導體技術創新

日本半導體材料巨頭信越化學近日宣布了一項重大技術突破,成功研發并制造出專用于氮化鎵(GaN)外延生長的300毫米(即12英寸),標志著公司高性能半導體材料領域邁出了堅實的一步。此次推出的QST
2024-09-10 17:05:241948

又一企業官宣已成功制備8英寸SiC

近日,日本礙子株式會(NGK,下文簡稱日本礙子)在其官網宣布,已成功制備出直徑為8英寸的SiC,并表示公司將于本月低美國ICSCRM 2024展示8英寸SiC及相關研究成果。
2024-09-21 11:04:10946

英飛凌推出全球最薄硅功率,突破技術極限并提高能

已獲認可并向客戶發布。繼宣布推出全球首款300mm氮化鎵(GaN)功率半導體和在馬來西亞居林建成全球最大的200mm碳化硅(SiC)功率半導體晶圓廠之后,英飛凌
2024-10-31 08:04:38826

利用全息技術內部制造納米結構的新方法

本文介紹了一種利用全息技術內部制造納米結構的新方法。 研究人員提出了一種內部制造納米結構的新方法。傳統的微結構加工,僅限于通過光刻技術表面加工納米結構。 然而,除了
2024-11-18 11:45:481189

濕法刻蝕:的微觀雕刻

芯片制造的精密工藝中,華林科納濕法刻蝕(Wet Etching)如同一把精妙的雕刻刀,以化學的魔力這張潔白的畫布,雕琢出微觀世界的奇跡。它是芯片制造中不可或缺的一環,以其高效、低成本的特點
2025-03-12 13:59:11990

LED、熱阻與衰的深度剖析

LEDLED是衡量光源性能的關鍵指標,其定義為光通量(lm)與光源消耗功率(W)的比值,單位為lm/W。瞬態LED光源啟動瞬間的發光效率,也稱初始冷態。它主要反映了LED短時間
2025-03-20 11:19:571871

襯底生長外延層的必要性

本文從多個角度分析了襯底生長外延層的必要性。
2025-04-17 10:06:39870

降低 TTV 的磨片加工方法

;TTV;磨片加工;研磨;拋光 一、引言 半導體制造領域,的總厚度偏差(TTV)對芯片性能、良品率有著直接影響。高精度的 TTV 控制是實現高性能芯片制造的關鍵前提。隨著半導體技術不斷向更高精度發展,傳統磨片加工方法 TTV 控制
2025-05-20 17:51:391033

清洗機怎么做夾持

清洗機中的夾持是確保清洗過程中保持穩定、避免污染或損傷的關鍵環節。以下是夾持的設計原理、技術要點及實現方式: 1. 夾持方式分類 根據尺寸(如2英寸到12英寸)和工藝需求,夾持
2025-07-23 14:25:43931

采用高 LED 燈管的電費節約量分析

采用高LED燈管的電費節約量分析高LED燈管作為節能照明的核心產品,其電費節約能力與傳統光源相比優勢顯著,具體節約量需結合功率差異、使用時長、電價等因素綜合計算,以下從實際場景出發解析其節能
2025-08-04 21:19:231771

MOCVD技術丨實現6英寸藍寶石基板GaNLED關鍵突破

半導體照明與光電子領域,氮化鎵(GaN)基發光二極管(LED)憑借其卓越性能,長期占據研究焦點位置。它廣泛應用于照明、顯示、通信等諸多關鍵領域。6英寸藍寶石基板,基于六方氮化硼(h-BN)模板
2025-08-11 14:27:241618

深度剖析LED燈具的、熱阻與

的LM-79、LM-80測試服務,包括LED光通量、,確保每一項測試數據的準確性和可靠性。實際應用中,LED可細分為瞬態與穩態,二者物理意義及應用
2025-11-28 15:22:111521

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