Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出新款8V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiA436DJ。
2012-06-28 12:50:44
1437 前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款通過AEC-Q101認證并具有ESD保護的600V標準整流器---SE20AFJ和SE30AFJ。對于空間有限的應用，新器件可提供2A和3A的正向電流和高
2012-11-22 09:11:461355 Vishay具有業內最低導通電阻的新款12V和20V 的N溝道和P溝道TrenchFET?功率MOSFET。采用業內最小0.8mm x 0.8mm x 0.4mm MICRO FOOT?封裝的CSP規格尺寸
2012-11-29 16:37:312203 Vishay推出新款通過AEC-Q101認證的40V N溝道TrenchFET功率MOSFET---SQM200N04-1m1L。
2012-12-07 14:08:383286 Vishay推出新的MPMA系列精密配對電阻。MPMA電阻網絡通過AEC-Q200認證，采用表面模塑SOT-23貼片封裝。
2012-12-13 09:50:182147 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款100V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiB456DK和SiA416DJ，將Vishay的ThunderFET?應用到更小的封裝尺寸上。
2013-01-09 11:42:301823 在利用光來控制一個過程的應用中，要長期保持工廠設定的發光強度需要一個控制電路來監控發光狀況，并控制供給光發射器件的電流以保持輸出恒定，采用一個簡單的運算放大器電路就可為許多應用提供精確的光強度。
2015-03-19 10:43:442909 
在利用光來控制一個過程的應用中，要長期保持工廠設定的發光強度需要一個控制電路來監控發光狀況，并控制供給光發射器件的電流以保持輸出恒定，采用一個簡單的運算放大器電路就可為許多應用提供精確的光強度。
2015-03-23 11:44:423744 
Vishay Intertechnology宣布，推出新系列小型柵極驅動變壓器---MGDT，可在高功率的國防和航天、工業及醫療應用中顯著節省空間。
2018-03-07 13:57:099670 Vishay提供PLCC-2和超小尺寸MiniLED封裝版本，器件通過AEC-Q101認證并具有1400 mcd的發光強度。
2018-07-25 11:29:0512447 SMD 器件發光強度達 2300 mcd ， 波長分別為 525 nm 和 465 nm ，適用于心率監測和煙霧探測 ? 美國 賓夕法尼亞 MALVER N 、中國 上海 — 2024年 4 月
2024-04-22 15:26:431016 汽車級電阻，節省電路板空間，工作電壓為450 V，公差± 0.1 %，TCR低至± 10 ppm/K Vishay 推出0805外形尺寸小型器件，擴充其TNPV e3系列汽車級高壓薄膜扁平片式
2022-03-30 13:58:54
要求：能控制發光二極管的發光強度，設計由光敏三極管采集光強信號的電路，經USB6009輸入給計算機顯示。
2012-12-09 21:57:46
/4）。從發光強度角分布圖來分有三類： （1）高指向性。一般為尖頭環氧封裝，或是帶金屬反射腔封裝，且不加散射劑。半值角為5°～20°或更小，具有很高的指向性，可作局部照明光源用，或與光檢出器聯用以組成
2012-10-26 10:20:22
和峰值波長從圖中可以看出，發光管發出的光中某一波長λ0的光強度最大，該波長為峰值波長。（2）發光強度IV：發光二極管的發光強度通常是指法線方向的發光強度。當該方向的輻射強度為（1/683）W / sr
2023-02-08 15:57:05
新型紅外線發射器采用Avago Technologies的高功率鋁鎵砷化物(AlGaAs) LED技術，具有優異的高發光強度、高速率和低正向電壓等特性。新產品的封裝尺寸為5mm，使用鐵質導線架，在多種
2018-10-24 17:06:48
LED的壽命是指發生光衰的時間，恒流驅動由于控制住了LED的電流，確保了LED芯片的結溫不會過高，防止了半導體芯片，封裝材料，熒光材料的異常老化。LED的發光強度就不會過快降低(即光衰)。采用
2021-12-28 06:36:14
（3/4）；把φ4.4mm的記作T-1（1/4）。 從發光強度角分布圖來分有三類： （1）高指向性。一般為尖頭環氧封裝，或是帶金屬反射腔封裝，且不加散射劑。半值角為5°～20°或更小，具有很高的指向性
2017-07-19 17:31:03
。對于一些高精密的光學測量系統來說，LED光源的這種譜線波動和發光強度變化是需要避免的。針對上述問題，項目擬研究一種高功率LED光源的驅動裝置，該裝置能夠實現LED輻射譜線和光譜強度的穩定，保證了光學測量中的準確性。
2015-07-16 14:05:33
生漂移。此外，LED驅動電源的波動也會影響其發光強度。對于一些高精密的光學測量系統來說，LED光源的這種譜線波動和發光強度變化是需要避免的。針對上述問題，項目擬研究一種高功率LED光源的驅動裝置，該裝置能夠實現LED輻射譜線和光譜強度的穩定，保證了光學測量中的準確性。
2015-07-07 09:18:15
。對于一些高精密的光學測量系統來說，LED光源的這種譜線波動和發光強度變化是需要避免的。針對上述問題，項目擬研究一種高功率LED光源的驅動裝置，該裝置能夠實現LED輻射譜線和光譜強度的穩定，保證了光學測量中的準確性。
2015-07-16 14:04:27
可用做汽車的剎車燈、轉向燈、倒車燈等各個領域。 食人魚發光二極管LED是一種四引腳LED，屬于散光型的LED，發光角度大于120度，具有較高發光強度，而且能承受極大的功率。美國人一般稱之為
2017-10-17 09:18:23
多“亮”，因為它是光功率與會聚能力的一個共同的描述。發光強度越大，光源看起來就越亮，同時在相同條件下被該光源 照射后的物體也就越亮，因此，早些時候描述手電都用這個參數。現在LED也用這個單位來描述
2012-09-24 23:03:09
二極體的電壓與電流的關系，在正向電壓正小于某一值（叫閾值）時，電流極小，不發光。當電壓超過某一值后，正向電流隨電壓迅速增加，發光。 發光強度IV：發光二極體的發光強度通常是指法線（對圓柱形發光管是指其
2017-09-04 10:40:43
大電流條件下芯片的輸出電容很熱，導致輸出電流不恒定，有波動，使LED發光強度緩慢變化，導致調制后的信號測量值偏移。求教下，有沒有其他好的方法呢, 也就是利用大功率恒流LED進行信號調制，亟待求解啊。感謝大家。
2016-06-06 20:33:56
安國半導體主要是在u***主控 sd卡這方面處于領先地位，現在為擴大經營范圍 特推出新款觸摸按鍵 價格比義隆合泰都更有優勢 性能方面EFT可到4.4kvcs10v也可以過要是感興趣的話可以 聯系***
2013-10-08 15:48:39
想用電池驅動紅外發光二極管，但是隨著電池電壓的降低，電流也會減低，紅外管的發光強度就會降低，怎樣才能避免這個情況？有沒有穩流芯片啊？？以前看到書上有一種4DH系列的芯片，現在在網上搜不到了。。
2015-11-24 19:19:13
想用電池驅動紅外發光二極管，但是隨著電池電壓的降低，電流也會減低，紅外管的發光強度就會降低，怎樣才能避免這個情況？有沒有穩流芯片啊？？以前看到書上有一種4DH系列的芯片，現在在網上搜不到了。。
2015-11-24 19:18:20
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:48 編輯
怎樣才能使LED接在220伏的交流電上發光用，還得發光強度最大
2011-11-30 01:55:58
在發光強度分布圖形中，發光強度等于最大強度一半構成的角度稱為半值角。如圖中所示。圖中，沿LED法向為機械軸方向，最大發光強度方向 為光軸方向，機械軸與光軸之間的夾角成為偏差角。芯片的厚度、封裝模條
2017-07-18 11:02:45
`下面佑澤小編帶你了解;在發光強度分布圖形中，發光強度等于最大強度一半構成的角度稱為半值角。如圖中所示。圖中，沿LED法向為機械軸方向，最大發光強度方向 為光軸方向，機械軸與光軸之間的夾角成為偏差角
2017-12-13 11:43:13
如何測量不同光源的光強度？
2021-06-17 11:42:19
自動控制發光時間電路:
2007-08-15 13:18:24777 
Vishay推出新的QPL系列Bulk Metal箔超高精度Accutrim微調電位器
日前，Vishay Intertechnology, Inc. 宣布，推出新的QPL系列Bulk M
2009-07-01 09:29:54938 Vishay推出新款鉭外殼液鉭電容器136D
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用glass-to-tantalum新型密封的新系列鉭外殼液鉭電容器——136D。對于高可靠性應用，136D器件
2009-11-06 08:38:411235 Vishay推出新款高速PIN光敏二極管
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出VBPW34x和VBP104x系列高速SMD PIN光敏二極管，新器件采用鷗翼和倒鷗翼型封裝
2009-11-13 09:21:28917 亮度mcd知識簡介LED的亮度單位：mcd描述光的常用物理量有4個，它們是：1、發光強度，為一光源在給定方向上的發光強度，單位candela，即坎德拉，
2009-11-20 15:59:096579 Vishay Siliconix推出業界性能最先進的P溝道功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位面積的熱增強Pow
2009-11-23 17:10:23930 Vishay Siliconix推出業內最低導通電阻功率MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位
2009-11-25 09:51:011361 Vishay推出的P溝道功率MOSFET SiA433EDJ
日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出新款20VP溝道功率MOSFET——SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm×2mm占位面積的熱增強PowerPAKSC-70封裝，具
2009-11-25 17:56:521012 資料名稱：九段發光二極管 2680-0031
型 號：
說 明：公司：Siemens Akt發光強度IV (cd)：440μ發
2009-12-19 17:59:24710 安捷倫推出新款LTE測試解決方案
安捷倫科技公司宣布推出新款 LTE 測試解決方案。該解決方案結合了市場上領先的 Agilent 89600 VSA LTE FDD 和 LTE TDD 分析軟件，以及 Agilent X
2009-12-28 17:07:291136 Vishay推出新款ESD保護陣列VBUS053BZ-HNH-G-08
Vishay推出具有低容值和低漏電流的新款ESD保護陣列VBUS053BZ-HNH-G-08，可保護USB-OTG端口免受瞬態電壓信號的損害
2010-03-23 11:53:111452 Vishay發布新款集成功率光敏
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出兩款新的集成功率光敏，分別是輸出電流為0.9A的VO2223和輸出電流為1A的VO2223A，擴
2010-03-26 11:38:56973 Vishay推出500V N溝道功率MOSFET：SiHF8N50L-E3
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款500V N溝道功率MOSFET——SiHF8N50L-E3。與前一代器件相比，該器件的
2010-04-07 10:52:521102 Vishay推出新款薄膜貼片電阻
日前，VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代號：VSH）宣布，推出為鉆井和航空等極端高溫環境優化的新系列打線式、裸芯片貼片式
2010-04-17 16:12:54877 Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新系列4接線端、牛角式功率鋁電容器 --- 095 PLL-4TSI。電容器具有17種大尺寸外形，電壓等級從350V至450V，在85℃下的使用壽命長達10,000小時。
新款0
2010-07-21 08:58:441120 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出一款新型白光、無散射的3mm LED --- VLHW4100，該LED針對高端應用進行了優化，可滿足應用對極高發光強度的要求。VLHW4100使用超亮InGaN技術，在20mA
2010-09-06 08:58:361131 流明，光通量的單位。發光強度為1坎德拉(cd)的點光
2010-11-02 17:30:354050 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款600V、47A N溝道功率MOSFET --- SiHG47N60S，該MOSFET在10V柵極驅動下具有0.07Ω的
2010-11-09 08:59:572028 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新系列螺絲端子功率鋁電容器 --- 500 PGP-ST。這些高效電容器具有1,000μF、450V
2010-12-06 09:16:49859 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款8V P溝道TrenchFET 功率MOSFET---SiA427DJ。新器件采用2mm x 2mm占位面積的熱增強型PowerPAK SC-70封裝，具有迄今為止P溝道器件所能達到的最低導通電阻。
2011-01-26 09:04:081830 日前，Vishay 推出新的PHP系列精密高功率薄膜貼片電阻。這些器件具有低至±25ppm/℃的絕對TCR，低至±0.1%的容差
2011-02-14 09:12:021430 Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款雙芯片20V P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET---SiA923EDJ。新器件采用2mm x 2mm占位面積的熱增強型PowerPAK SC-70封裝，
2011-03-02 10:19:301778 Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款表面貼裝Hi-Rel COTS系列固鉭貼片電容器。這些電容器提供威布爾分級、符合per MIL PRF 55365標準的浪涌電流測試選項
2011-03-21 09:32:501686 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出可在-55℃～+215℃寬溫范圍內工作的新款精密低TCR薄膜電阻---PLTT
2011-03-28 11:04:301730 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出新款IHLP?低外形、高電流電感器--- IHLP-3232DZ-11，該器件在同類器件當中首次采用3232外形尺寸
2011-03-31 09:39:021756 Vishay Intertechnology, Inc.推出采用GSIB-5S封裝的新款單相直排橋式整流器--- LVB1560和LVB2560。
2011-04-13 10:52:351762 利用摻鉺硅基發光材料實現硅基光電子集成的可行性，隨著對摻鉺硅基發光材料的深入研究，硅基光電子集成的實現不再遙遠。
2011-08-18 11:52:364523 
Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用2726和4026外形尺寸的新款表面貼裝Power Metal Strip電阻——WSLP2726和WSLP4026
2011-08-30 08:43:171685 Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款表面貼裝Power Metal Strip電阻--- WSK0612。該電阻是業內首個4接頭、1W的檢流電阻，采用小尺寸的0612封裝，具有0.5 mΩ～5mΩ的低阻值。
2011-09-06 09:43:072551 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布， Vishay Siliconix推出新款n溝道功率MOSFET通過JAN認證的，分別是60V 2N6660JANTX/JANTXV和90V 2N6661JANTX/JANTXV
2011-11-01 09:26:351923 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款金屬陶瓷面板式電位計---Sfernice P13L，這種電位計的壽命長達2百萬次，全IP67密封使其能夠在極端的環境條件下可靠工作
2011-11-05 01:11:001113 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出采用新型超小尺寸LLP2510封裝的新款4線ESD保護陣列---VBUS54ED-FBL。VBUS54ED-FBL的占位面積只有2.5mmx1.0mm，高度低至0.55mm，其低電容
2011-11-08 09:14:11710 本文為脈沖LED的生產廠家研制一套簡單適用、性能價格比相對較高并且能同時測試脈沖LED發光強度的時間特性和光譜特性的測試系統，用于產品的研制和檢驗。
2011-11-11 11:00:322705 日前，Vishay 宣布，推出新款采用2512外形尺寸的表面貼裝Power Metal Strip?電阻--- WSLP2512，這種電阻具有高達3W的功率和0.0005Ω的極低阻值。
2012-02-07 11:43:062943 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，發布采用2906尺寸封裝的新款Power Metal Strip?儀表分流電阻--- WSMS2906，該電阻具有3W的功率和最低300μΩ的極低阻值。
2012-02-20 11:55:18683 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出新款采用鐵粉材料，符合WPC(無線充電聯盟)標準的接收線圈--- IWAS-3827EC-50
2012-07-13 18:42:57954 Vishay 推出新款8V和20V N溝道和P溝道TrenchFET?功率MOSFET---Si8424CDB、Si8425DB。
2013-01-15 09:05:541792 更高的驅動電流，從而提高發光強度。新款VLM.334…系列LED在Vishay的VLM.31…系列基礎上進行了大幅改進，可搭配更大尺寸的芯片，能夠承受70mA的驅動電流。
2013-12-18 13:36:322382 賓夕法尼亞、MALVERN — 2014 年 9 月17 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款、符合WPC（無線充電聯盟）標準的新款無線充電接收線圈---IWAS-4832FE-50，適用于10W應用的。
2014-09-18 11:32:101766 賓夕法尼亞、MALVERN — 2015 年 2 月27 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新的全集成接近和環境光傳感器---VCNL4040。
2015-03-02 16:17:483290 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新系列厚膜片式電阻---RCV e3，以滿足工業和醫療應用對高電壓器件的需求，同時節省寶貴
2015-05-07 16:15:121580 賓夕法尼亞、MALVERN — 2015 年 5 月18 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，針對高功率混合裝配、SiC和GaN應用中的使用環境，推出新的薄膜條MOS電容器。
2015-05-18 14:21:261031 gy-30,光強度資料。
2016-03-21 17:18:02
270 1967 年法國第十1三屆國際計量大會規定了以坎德拉、坎德拉/平方米、流明、勒克斯分別作為發光強度、光亮度、光通量和光照度等的單位，為統一工程技術中使用的光學度量單位有重要意義。為了解和使用便利
2017-10-23 14:57:2521 1、發光強度(光度)的含義是什么?
答：發光強度(光度，I)定義為：點光源在某一方向上的發光強度，即是發光體在單位時間內所射出的光量，也簡稱為光度，常用單位為燭光(cd，坎德拉)，一個國際燭光的定義為以鯨魚油脂制成的蠟燭每小時燃燒120格冷(grain)所發出的光度，一格冷等于0.0648克。
2017-11-17 16:12:042912 將LED用于液晶面板背照燈時，最理想的情況是LED的光譜在紅色、綠色和藍色三個領域出現發光強度的峰值。這是因為LED的光最終將經由液晶面板的彩色濾光片（紅色、綠色、藍色）輸出到外部。
2017-12-21 11:46:5118297 
過強會引起LED的衰減，電流過弱會影響LED的發光強度，因此LED的驅動需要提供恒流電源，以保證大功率LED使用的安全性，同時達到理想的發光強度。PT4115具有動態溫度調節的功能，并且可以在此功能的基礎上實現過溫保護。
2018-04-03 09:52:4543879 
日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新的陶瓷/石英基材的UVC（短波紫外線）發光二極管---VLMU60CL.。-280-125
2018-05-09 18:02:001899 Vishay針對用于紅外遙控應用的TSOP33xxx和TSOP53xxx系列小型Minimold紅外接收器模塊，推出新款側開金屬支架，擴大了其光電子產品組合。Vishay
2018-05-14 11:54:001381 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款雙路單刀雙擲/四路單刀雙擲模擬開關---DG2788A。該開關在2.7V下的電阻低至
2018-08-03 11:45:001069 據悉，來自美國國家標準與技術研究所（NIST）的納米線開發科學家成功開發出了紫外發光二極管（LED），由于采用了特殊類型的外殼，其發光強度是基于更簡單外殼的同類LED產生的光強度的五倍。
2019-03-27 14:45:031470 美國國家標準與技術研究所（NIST）科學家成功開發出納米線UV LED，由于采用了特殊類型的外殼，其發光強度是基于更簡單外殼的同類LED產生的光強度的五倍。
2019-04-01 16:03:054742 Vishay推出新款2020外形尺寸器件---IHLP-2020BZ-5A，擴展其汽車級IHLP薄形大電流電感器。Vishay Dale IHLP-2020BZ-5A工作溫度+155 C，高度2mm
2019-05-16 14:26:463855 現有基于環境亮度實現自身亮度自動調節的燈具，是根據光傳感器感知局部環境亮度以簡單的數字邏輯對燈具的發光強度進行調整，這種燈具存在亮度調節反應速度慢，環境適應性差，照明效果不理想等情況。并且現有亮度
2019-05-27 16:33:279313 Vishay 宣布，推出新型短波紫外線（UVC）發光二極管小型表面貼器件--- VLMU35CL.。
2019-07-17 16:37:311445 按發光強度和工作電流分 有普通亮度的LED（發光強度10mcd）；把發光強度在10——100mcd間的叫高亮度發光二極管。
2019-10-25 17:15:292166 大功率LED是低電壓、大電流的驅動器件，其發光的強度由流過LED的電流決定，電流過強會引起LED的衰減，電流過弱會影響LED的發光強度，因此，LED的驅動需要提供恒流電源，以保證大功率LED使用的安全性，同時達到理想的發光強度。
2019-09-23 16:30:492012 據technews報道，韓國科學技術高級研究院（KAIST）的研究團隊近日研發出一款內部結構類似爆米花的發光材料，結合量子點以及聚合媒介物，發光強度是傳統純量子點薄膜的21倍，且耐用度提升45%。
2019-11-08 17:12:356129 發光角度，又稱功率角度，通常我們使用半功率角度，即50%發光強度的角度記作發光角度。對于LED燈珠，透鏡的大小、散射劑的多少和支架的傾斜角度等等都影響著燈珠的發光角度。燈珠的發光角度影響著LED
2021-11-29 11:14:2511976 
Vishay 推出六款新型 3.4 mm×3.4 mm 表面貼裝 850 nm 和 940 nm 高功率紅外(IR)發射器，輻照強度達到同類器件先進水平，進一步擴充其光電產品組合。新款 Vishay
2022-02-21 13:31:352653 
Vishay 推出兩款新型陶瓷/石英基材 UVC(短波紫外線)發光二極管，用于醫療、工業和消費電子應用殺菌。
2022-09-16 10:50:15753 （1.6mm×0.8mm）LED“CSL1901系列”。 近年來，隨著LED產品的技術發展，發光效率得到飛躍性提升，LED的發光強度也不斷提高。隨著發光強度的提高，在一些必須考慮相鄰發光單元的干擾等問題的應用中，設計時就需要做出相應的調整，使發光強度*3和發光波長
2022-09-25 22:32:12663 
直插式LED的電壓影響著發光強度，工作電壓越高發光強度 越高，也可已根據芯片的材料進行類別，不同類別產品發光電壓不同。
2024-01-13 10:16:222502 外形尺寸為 2.2 mm x 1.3 mm x 1.4 mm，采用先進的超亮 InGaN 芯片技術，典型發光強度分別達到 440 mcd 和 2300 mcd，比上一代 PLCC-2 封裝解決方案提高四倍。
2024-04-19 14:24:161806 
Vishay 推出一款采用透明無色引線型塑料封裝的新型 890 nm 高速紅外 ( IR ) 發光二極管，擴充其光電子產品組合。Vishay Semiconductors ?TSHF5211 ?基于表面發射器芯片技術，優異的 VF 溫度系數達 -1.0 mV/K，輻照強度和升降時間優于前代器件。
2024-07-19 09:22:511353
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