基于硅納米線的生物氣味傳感器是什么？硅納米線表面連接修飾OBP蛋白分子的方法有哪些？基于硅納米線的氣味識(shí)別生物傳感器的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的？
2021-07-11 07:43:02
的外量子效率取決于外延材料的內(nèi)量子效率和芯片的取光效率，由于大功率白光LED采用了MOCVD外延生長(zhǎng)技術(shù)和多量子阱結(jié)構(gòu)，并在精確控制生長(zhǎng)和摻雜以及減少缺陷等方面取的突破性進(jìn)展，其外延片的內(nèi)量子效率已有很大提高
2013-06-04 23:54:10
，效率高，比傳統(tǒng)的照明模塊的低功耗。LED是利用納米線3至4μm長(zhǎng)，直徑為5 nm的電子束光刻建。雖然這不是一個(gè)商業(yè)的過程，這表明它可能會(huì)產(chǎn)生約30000μm2有效發(fā)光面積該團(tuán)隊(duì)還開發(fā)了壓電納米發(fā)電機(jī)
2016-03-04 11:23:14
亞特（Anatoly Zayats）說：“各種不同種類的納米結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)都被應(yīng)用在了太陽能電池的設(shè)計(jì)上，目的是用來提高光的吸收效率。 我們的研究成果意味著，今后不必再讓太陽能電池固定在一定角度，不用擔(dān)心
2013-09-17 17:09:20
:BDXX.0.2009-06-031【正文快照】：美國(guó)加州大學(xué)伯克利分校和北京大學(xué)的研究人員聯(lián)合研制出世界最小的半導(dǎo)體激光器。研究人員研制了一款高增益硫化福納米線，然后將納米線與銀金屬相隔5 nm，激光由此間隔出射。由于激光被大量?jī)?chǔ)存在這個(gè)非金屬的狹小間隔里，所以大大降低了光損耗的可能性。這項(xiàng)研究成果打破了全文下載
2010-04-24 10:11:02
以色列TelAviv大學(xué)的研究人員日前宣布，開發(fā)出一種稱為縮氨酸分子的氨基酸鏈，能自行組裝成微小的立方體，這些立方體可用銀填充制成納米級(jí)線。這些研究人員稱這是首次合成分離均勻的納米線，可最終促成銀
2018-12-03 10:47:43
線激光三維測(cè)量中光條中心提取的精度對(duì)測(cè)量結(jié)果影響較大。本文主要介紹了影響光條中心提取的若干因素，著重闡述光條的物理特性和被測(cè)物本身特性對(duì)中心提取的影響并提出改
2010-03-03 15:03:59
16 研究了照明用大功率LED的封裝對(duì)出光的影響， 分析了大功率LED封裝結(jié)構(gòu)對(duì)提高外量子效率的影響， 同時(shí)比較了不同LED封裝材料對(duì)LED出光的影響， 提出了用左手材料替代目前廣泛
2010-10-23 08:58:2038 紫外球頭385nm垂直結(jié)構(gòu)芯片封裝大功led燈珠品牌名稱：四維明光電規(guī)格尺寸: 3.5*3.5*3.0mm功 率: 3W顯 指: 無電 流:700ma電 壓: 3.
2024-07-17 17:45:36
金屬介電核殼結(jié)構(gòu)納米材料的應(yīng)用
金屬介電核殼復(fù)合納米材料由于其表面的等離子體共振特性,已經(jīng)在納米光子學(xué)、生物光子學(xué)、醫(yī)學(xué)
2009-03-06 09:30:01
1232 提高取光效率降熱阻功率型LED封裝技術(shù)
超高亮度LED的應(yīng)用面不斷擴(kuò)大，首先進(jìn)入特種照明的市場(chǎng)領(lǐng)域，并向普通照明市場(chǎng)邁進(jìn)。由于L
2009-12-20 14:31:22705 LED的內(nèi)量子效率與電-光效率簡(jiǎn)述及計(jì)算
摘要：在LED的PN結(jié)上施加正向電壓時(shí)，PN結(jié)會(huì)有電流流過。電子和空穴在PN結(jié)過渡層中復(fù)合會(huì)產(chǎn)生光子，然
2010-05-11 08:57:516877 碳納米基的透明電極由于陽光通透率要高12%，可以提高薄膜太陽能板的效率,加州斯坦福大學(xué)的學(xué)生開發(fā)出了一種先進(jìn)的設(shè)
2010-06-29 15:30:12920 LED發(fā)光效率提高方法需注意以下幾類技術(shù)：
一、透明襯底技術(shù) InGaAlP LED通常是在GaAs襯底上外延生長(zhǎng)InGaAlP發(fā)
2010-07-23 09:49:482780 LED芯片的外量子效率受到芯片結(jié)構(gòu)、熒光粉材料等多種因素的影響，其中主要原因之一就是背部金屬反射層的反射率限制了出光效率。本論文提出了一種多層介質(zhì)光的回歸反射層結(jié)構(gòu)，
2011-04-15 16:00:2722 隨著LED在照明領(lǐng)域的逐步應(yīng)用，市場(chǎng)對(duì)白光LED光效的要求越來越高，同時(shí)價(jià)格也成為LED能否迅速得到推廣的關(guān)鍵因素，市場(chǎng)急需要高性價(jià)比的LED產(chǎn)品。GaN基垂直結(jié)構(gòu)LED具有良好的散熱能
2011-11-01 16:02:382058 近日，美國(guó)佐治亞理工學(xué)院的研究人員利用氧化鋅納米線大幅提升了氮化鎵LED將電流轉(zhuǎn)化為紫外線的效能。
2011-11-17 09:21:27833 實(shí)驗(yàn)使用熔融KOH腐蝕綠光LED外延片獲得預(yù)計(jì)的粗糙形貌,再通過常規(guī)工藝制成器件,結(jié)果給出不同表面做成器件的光強(qiáng)。實(shí)驗(yàn)證明經(jīng)過表面粗化處理的器件,外量子效率提高了約25.7%。
2012-02-22 11:00:374 美國(guó)普渡大學(xué)（Purdue University）的研究人員正著手開發(fā)一種未來制造方法，能生產(chǎn)具備潛在革命特性的微小結(jié)構(gòu)；該「納米機(jī)械工廠（nano machine shop）」專案旨在研究納米線路（nanowires）
2012-09-04 09:18:33764 為了提高功率型LED發(fā)光效率，一方面其發(fā)光芯片的效率有待提高；另一方面，功率型LED的封裝技術(shù)也需進(jìn)一步提高，從結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、材料技術(shù)及工藝技術(shù)等多方面入手，提高產(chǎn)品的封裝取光效率。
2013-02-20 10:15:063069 的PLED器件不同，此產(chǎn)品采用白色材料模制成型，在LED器件中較不醒目，特別適合室內(nèi)應(yīng)用。 它還同時(shí)反射更多光線，從而提高光引擎的整體效率。
2013-08-02 09:20:05968 雙包層光纖激光器泵浦光耦合及激光反饋研究，有興趣的同學(xué)可以下載學(xué)習(xí)
2016-05-04 15:48:5612 瑞典隆德4月22日，在一項(xiàng)針對(duì)太陽能的重大突破技術(shù)上，瑞典的先進(jìn)材料新興公司Sol Voltaics AB已經(jīng)證明其納米線技術(shù)在薄膜上取得了校準(zhǔn)和定向的成功。此項(xiàng)成就彰顯太陽能納米線制造迄今最重
2016-04-22 11:46:31974 
瑞典隆德—5月11日—瑞典先進(jìn)材料新興公司 Sol Voltaics 已完成一輪創(chuàng)紀(jì)錄的1700萬美元新的股權(quán)投資及資金挹注，以加速其納米線太陽能薄膜串聯(lián)層技術(shù)的商業(yè)化進(jìn)程。
2016-05-12 15:33:511273 近年來半導(dǎo)體照明飛速的發(fā)展，曾經(jīng)在大功率LED封裝的形式也逐漸發(fā)生了變化，其中有正裝，倒裝，和垂直結(jié)構(gòu)。多年來正裝一直主導(dǎo)著LED封裝的市場(chǎng)，但是隨著LED功率的做大和結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定及對(duì)出光的要求倒裝慢慢地迎頭趕上，勢(shì)不可擋。
2016-10-21 15:04:258997 芯片圖解 為了避免正裝芯片中因電極擠占發(fā)光面積從而影響發(fā)光效率，芯片研發(fā)人員設(shè)計(jì)了倒裝結(jié)構(gòu)，即把正裝芯片倒置，使發(fā)光層激發(fā)出的光直接從電極的另一面發(fā)出（襯底最終被剝?nèi)ィ酒牧鲜峭该鞯模瑫r(shí)，針對(duì)倒裝設(shè)計(jì)出方便LED封裝廠焊線的結(jié)構(gòu)
2017-09-29 17:18:4376 透明手機(jī)技術(shù)發(fā)展出現(xiàn)重大突破。斯坦福大學(xué)（Stanford University）近來全力發(fā)展以硅為基礎(chǔ)的納米線（Nanowire）技術(shù)；納米線極為纖細(xì)，超越人眼可偵測(cè)范圍，不僅能儲(chǔ)存大量電能，催生
2017-12-07 12:20:01965 在線結(jié)構(gòu)光三維測(cè)量系統(tǒng)中，結(jié)構(gòu)光中心提取的速度和精度直接影響到系統(tǒng)的整體性能。基于幾何中心法、方向模板法和灰度重心法，提出了一種快速提取結(jié)構(gòu)光中心的算法。首先，先對(duì)圖像進(jìn)行預(yù)處理，通過幾何中心法快速
2017-12-26 18:43:570 日本東京大學(xué)教授加藤泰浩（Yasuhiro Kato） 和其研究團(tuán)隊(duì)成功從南鳥島外海里的稀土金屬提取出釔（Yttrium） 和鈰（cerium）來用作LED發(fā)光材料。
2017-12-29 14:24:406148 上海微系統(tǒng)所首次提出了微納光纖耦合的SNSPD器件
結(jié)構(gòu)。該
結(jié)構(gòu)將SNSPD器件置于微納光纖的倏逝場(chǎng)內(nèi)，從而實(shí)現(xiàn)
納米線對(duì)微納光纖中傳輸?shù)墓庾游铡?/div>
2018-01-02 13:36:2314451 金納米線作為一維納米材料的主要組成，由于其良好的化學(xué)穩(wěn)定性和高電導(dǎo)率，較高的表面活性以及優(yōu)良的生物親和性，使其在納米結(jié)構(gòu)器件和生物傳感器等方面具有廣闊的應(yīng)用前景。本文采用分子動(dòng)力學(xué)方法，以一維金納米線為研究對(duì)象，主要研究了單晶金納米線和孿晶結(jié)構(gòu)納米線拉伸力學(xué)行為和微觀形變機(jī)理。
2018-02-11 10:59:320 從而可以調(diào)控量子點(diǎn)的激發(fā)。利用該方法可以實(shí)現(xiàn)對(duì)相距幾十納米的兩個(gè)量子點(diǎn)的選擇性激發(fā)，實(shí)驗(yàn)中通過對(duì)相距100 nm的兩個(gè)量子點(diǎn)的選擇性激發(fā)演示了該技術(shù)的可行性。通過將結(jié)構(gòu)照明顯微成像技術(shù)與金屬納米線上的表面等離激元干涉場(chǎng)相結(jié)合，利用模擬計(jì)算實(shí)現(xiàn)了對(duì)多個(gè)量子點(diǎn)的超分辨光學(xué)成像，分辨率約為96 nm。
2018-05-10 10:02:076580 
本文首先介紹了LED發(fā)光原理，其次介紹了LED發(fā)光效率相關(guān)概念及影響因素，最后介紹了提高LED的發(fā)光效率的方法。
2018-06-04 09:36:3227944 
文中還描述了這種接觸式印刷方法，包括如何從對(duì)齊的納米線獲得這種電子層，以及使用整體納米線組合來開發(fā)組件。相較于基于單納米線的組件，統(tǒng)計(jì)上來看，納米線組合的尺寸變化更少得多，因此，基于多納米線的組件在大面積上較具有可接受的響應(yīng)均勻度。
2018-08-23 10:34:154129 在所有的新材料技術(shù)中，納米材料是近年來研究最深，應(yīng)用速度最快的新型材料。其中納米線是被定義為一種具有在橫向上被限制在100納米以下（縱向沒有限制）的一維結(jié)構(gòu)材料，這種尺度上，納米線具有量子力學(xué)效應(yīng)，因此也被稱作“量子線”。
2018-10-14 10:57:002657 該團(tuán)隊(duì)研究的光子納米結(jié)構(gòu)由具有規(guī)則孔狀圖案的硅層組成，其上覆有由硫化物制成的量子點(diǎn)涂層。激光激發(fā)后，接近局部場(chǎng)放大的量子點(diǎn)，比在無序表面上發(fā)出了更多的光。這能夠在經(jīng)驗(yàn)上證明激光如何與納米結(jié)構(gòu)相互作用。
2018-10-15 16:20:361811 最近，科研人員發(fā)現(xiàn)血液流經(jīng)納米粒子會(huì)在其表面產(chǎn)生剪切力，能誘導(dǎo)楊氏模量低的納米粒子發(fā)生形變，抑制對(duì)蛋白的非特異性吸附，避免細(xì)胞對(duì)納米材料的吞噬產(chǎn)生的副作用，顯著提高納米材料的生物相容性，相關(guān)成果發(fā)表在J. Am. Chem. Soc. 2018, 140, 14211上。
2018-11-26 11:45:583758 針對(duì)電影評(píng)分中特征提取效率較低的問題，提出了與QR分解相結(jié)合的Nystrom方法。首先，利用自適應(yīng)方法進(jìn)行采樣，然后對(duì)內(nèi)部矩陣進(jìn)行QR分解，將分解后的矩陣與內(nèi)部矩陣進(jìn)行重新組合并進(jìn)行特征分解
2019-01-04 09:36:191 到2008年GaN基LED外量子效率發(fā)展變化圖。從圖上中可以看到提高LED的發(fā)光效率可以從兩個(gè)方面考慮：（1）提高內(nèi)量子效率（2）提高光提取效率。
2019-01-29 14:30:3112663 美國(guó)賓州州立大學(xué)（Pennsylvania State University，簡(jiǎn)稱“Penn State”）的研究員發(fā)現(xiàn)通過仿制螢火蟲的發(fā)光結(jié)構(gòu)能夠提高LED的發(fā)光效率。
2019-02-24 11:03:512827 金屬納米粗化圖形反射鏡被廣泛應(yīng)用到提高LED光提取效率。然而，金屬納米粗化圖形反射鏡帶來的光吸收損耗卻經(jīng)常被忽略。中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所半導(dǎo)體照明研究開發(fā)中心于治國(guó)教授對(duì)影響金屬納米粗化圖形反射鏡光學(xué)性能的因素進(jìn)行了深入研究。
2019-03-10 10:51:186730 
美國(guó)羅徹斯特理工學(xué)院（Rochester Institute of Technology）的研究者新設(shè)計(jì)出一種垂直集成氮化鎵LED結(jié)構(gòu)，有助于提高Micro LED顯示器的效率。
2019-03-13 15:58:002414 美國(guó)羅徹斯特理工學(xué)院（Rochester Institute of Technology）的研究者新設(shè)計(jì)出一種垂直集成氮化鎵LED結(jié)構(gòu)，有助于提高Micro LED顯示器的效率。
2019-03-15 11:22:414827 美國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)與技術(shù)研究所（NIST）科學(xué)家成功開發(fā)出納米線UV LED，由于采用了特殊類型的外殼，其發(fā)光強(qiáng)度是基于更簡(jiǎn)單外殼的同類LED產(chǎn)生的光強(qiáng)度的五倍。
2019-04-01 16:03:054742 該技術(shù)首次實(shí)現(xiàn)了“無漏電流”GaN橋接納米線，研制出的GaN納米線氣體傳感器將推動(dòng)傳感芯片的發(fā)展。
2019-06-03 14:35:554522 實(shí)驗(yàn)是為了改進(jìn)昂貴的商用芯片。科學(xué)家采用透射電鏡可以檢測(cè)納米粒子，能夠詳細(xì)研究單個(gè)銀納米線。這讓透射電鏡設(shè)計(jì)和制造樣品芯片，能夠無比準(zhǔn)確的空間分辨率表征和操縱納米材料。
2019-10-01 17:16:003190 于是，美國(guó)勞倫斯·利弗莫爾國(guó)家實(shí)驗(yàn)室（LLNL）的研究人員開始研究有序的金屬納米線網(wǎng)格。它能夠提供高透射率（由于納米線的直徑較小），高導(dǎo)電率（由于網(wǎng)格中的觸點(diǎn)較多），并使用了更普通的元素。這項(xiàng)研究發(fā)表在《軟物質(zhì)（Soft Matter）》期刊上。
2019-12-11 14:14:193867 常規(guī)LED燈存在著亮度不足等缺憾，而導(dǎo)致普及率不夠。功率型LED燈卻有著亮度足使用壽命長(zhǎng)等優(yōu)勢(shì)，但是功率型LED卻有著封裝等技術(shù)困難，下面賢集網(wǎng)小編與大家分享影響功率型LED封裝取光效率的因素
2020-01-18 11:31:006824 ， Device R）和含有金屬反射鏡的側(cè)壁傾斜結(jié)構(gòu)（i.e.， Device 1），Device 3的光功率得到大幅度提升，這主要得益于金屬反射鏡對(duì)光的吸收減弱，傾斜側(cè)壁的全內(nèi)反射效應(yīng)增強(qiáng)，光逃逸路徑增加，提高了器件光提取效率。 此外，技術(shù)團(tuán)隊(duì)基于APSYS軟件成功開發(fā)出了含有傾斜結(jié)構(gòu)且電極互連模型
2020-06-15 15:44:471173 
上海微系統(tǒng)所研究人員利用分子束外延技術(shù)，成功制備出大面積、高密度且高長(zhǎng)寬比的Ge納米線，并利用其作為模板，通過二次沉積法獲得了Sn組分可達(dá)~10%的GeSn/Ge雙層納米線結(jié)構(gòu)。
2020-06-01 14:23:563055 
下圖所示，中心的示意圖描繪了一個(gè)LED，該LED帶有等離子（如貴金屬）納米顆粒的“元網(wǎng)格”，尺寸遠(yuǎn)小于發(fā)射光的波長(zhǎng)。在LED芯片的環(huán)氧樹脂外殼內(nèi)，在距LED芯片/封裝材料界面適當(dāng)高度處放置一個(gè)經(jīng)過
2020-08-03 14:17:591487 的相互作用，并為器件的設(shè)計(jì)制備提供重要的指導(dǎo)作用。 眾所周知，傾斜側(cè)壁全反射鏡結(jié)構(gòu)可以把橫向傳播的TM極性光直接反射到出光面的逃離錐，從而極大地提高深紫外LED的光提取效率［1］。然而，常規(guī)藍(lán)光LED采用的Ag反射鏡對(duì)于深紫外波段的反
2020-09-21 16:38:331265 
低維材料（如二維材料、納米線等）憑借不同尋常的優(yōu)異光電特性引起了廣泛的研究興趣，有望成為高性能探測(cè)器件的光敏材料。最常見的低維材料光電探測(cè)器件結(jié)構(gòu)就是金屬-低維材料-金屬的結(jié)構(gòu)。在低功耗、低暗電流的零偏壓工作模式下，器件的光響應(yīng)主要來源于低維材料與金屬電極交界處的類肖特基結(jié)。
2020-09-20 09:08:323605 ）上的深紫外LED（DUV LED）的計(jì)算模型。研究發(fā)現(xiàn)：NPSS能夠提高DUV LED中橫向傳播的TM極性光的光提取效率，但會(huì)抑制偏向垂直傳播的TE極性光的光提取效率（如圖1所示）。造成這種現(xiàn)象的原因是，當(dāng)DUV LED中采用NPSS結(jié)構(gòu)時(shí)，NPSS會(huì)把部分橫向傳播的光散
2021-02-23 11:01:281116 
如圖2所示。可以發(fā)現(xiàn)Device 2的光提取效率顯著大于Device 1，這主要是由于p-GaN層的吸收效應(yīng)降低，增加了器件內(nèi)部的光提取通道。
2021-09-14 13:43:572473 
引言 LED器件發(fā)出的光子往往會(huì)被氧化銦錫(ITO)透明電極與空氣/樹脂界面的全內(nèi)反射(TIR)捕獲在LED芯片內(nèi)，導(dǎo)致光提取效率較低。通過在氧化銦錫電極表面上形成納米尺度的圖案，可以有效地降低該
2022-02-15 16:12:573957 
近幾年來，氮化鎵基發(fā)光二極管取得了持續(xù)快速的發(fā)展。氮化鎵基發(fā)光二極管目前被用于各種顯示和照明應(yīng)用，包括交通信號(hào)、全彩色顯示器、汽車照明和普通室內(nèi)照明。研究表明，倒裝芯片發(fā)光二極管(FCLED)結(jié)構(gòu)在提高光提取效率方面非常有效，可用于高功率和高效率的發(fā)光二極管。
2022-04-08 14:49:29738 
首次在極細(xì)的InAs納米線上原位外延生長(zhǎng)出超導(dǎo)鋁薄膜，并觀察到硬超導(dǎo)能隙和雙電子庫侖阻塞等現(xiàn)象。通過調(diào)節(jié)納米線的直徑，為未來研究馬約拉納零能模打開了一個(gè)新的實(shí)驗(yàn)維度。
2022-04-11 13:17:432202 研究人員對(duì)硅納米線Bio-FET進(jìn)行了制造和表征，如圖1a和圖2所示，該器件由硅納米線FET器件和PDMS微流體層構(gòu)成，尺寸為15mm × 26mm，具有用于通過外部注射泵加載外泌體樣品的入口和出口（圖2a）。
2022-06-08 09:28:192436 基于此，在本文中，研究了一種基于硅納米線陣列/石墨烯異質(zhì)結(jié)的高靈敏度近紅外光探測(cè)器，并對(duì)其電性能與光學(xué)特性進(jìn)行了研究。
2022-11-24 11:20:562613 和互連的3D網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)以及良好的紫外靈敏度，經(jīng)常被應(yīng)用于提高基于SAW的紫外檢測(cè)能力。然而，ZnO納米線通常是親水性的，因此，環(huán)境參數(shù)（例如濕度）的變化將顯著影響基于SAW的紫外傳感器的檢測(cè)精度和靈敏度。
2022-11-29 15:19:461978 與塊狀材料相比，納米線中的電子狀態(tài)確實(shí)有所不同。由于納米線的量子效應(yīng)，納米線的電子將占據(jù)離散的帶，而不是連續(xù)的狀態(tài)。即使每個(gè)電子都受到量子限制——因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">納米線內(nèi)的勢(shì)阱彼此靠近——它們也可以通過電子在勢(shì)阱之間穿隧連接起來。
2022-12-19 10:58:201681 納米線是一種很長(zhǎng)很細(xì)的納米材料。在技術(shù)術(shù)語中，這意味著它們具有高縱橫比。考慮到這是一個(gè)與傳統(tǒng)電線相似的幾何形狀，它們?cè)陔娮雍?b class="flag-6" style="color: red">納米電子設(shè)備中具有很大的潛力。
2022-12-19 10:56:446216 為什么納米線對(duì)電子產(chǎn)品來說可能是一件大事
2022-12-30 09:40:061300 PEACOQ探測(cè)器是由厚度僅為7.5納米的納米線制成的，或比人的頭發(fā)薄約1萬倍。在非常冷的溫度下操作它--大約1開爾文，或-458°F--使納米線變得超導(dǎo)，這意味著它們沒有電阻。
2023-01-31 09:36:091020 碳化硅納米線，SiC納米線（SiC nanowires），SiC短纖維（SiC fiber），SiC晶須（SiC whiskers）的主要應(yīng)用方向，檢測(cè)XRD圖譜SiC納米線是一種徑向上尺寸低于
2023-02-20 15:52:540 SiC納米線是一種徑向上尺寸低于100nm，長(zhǎng)度方向上遠(yuǎn)高于徑向尺寸的單晶纖維。SiC納米線生產(chǎn)技術(shù)一直都是全球研究的中
心及難點(diǎn)。SiC納米線在全球產(chǎn)量不高，一般為實(shí)驗(yàn)室水平生產(chǎn)（每次產(chǎn)量約幾十微克）。
2023-02-21 09:24:050 氮化鎵納米線是一種基于氮化鎵材料制備的納米結(jié)構(gòu)材料，具有許多優(yōu)異的電子、光學(xué)和機(jī)械性質(zhì)，因此受到了廣泛關(guān)注。氮化鎵材料是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)異的電子和光學(xué)性質(zhì)，也是氮化鎵納米線的主要材料來源。
2023-02-25 17:25:151497 根據(jù)工作機(jī)理，單光子探測(cè)器主要有光電倍增管（PMT）、單光子雪崩二極管（SPAD）、超導(dǎo)納米線單光子探測(cè)器（SNSPD）等類型。其中，SNSPD因其具有探測(cè)效率高、時(shí)間精度高、探測(cè)速度快和暗計(jì)數(shù)率低等特點(diǎn)，并且通過探測(cè)器結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)后具備光子數(shù)分辨的能力
2023-05-10 09:37:092511 
研究人員首先對(duì)銀納米顆粒/銅納米線進(jìn)行了合成，并對(duì)制備的銅納米線和化學(xué)沉積后負(fù)載不同尺寸銀納米顆粒的銅納米線進(jìn)行了形貌和結(jié)構(gòu)表征（圖1）。隨后，利用制備的銀納米顆粒/銅納米線材料制備獲得銀納米顆粒/銅納米線電極，用于后續(xù)無酶葡萄糖傳感性能的研究。
2023-05-12 15:19:282533 
1. 點(diǎn)結(jié)構(gòu)光的缺點(diǎn) 點(diǎn)結(jié)構(gòu)光只能獲取單個(gè)點(diǎn)的深度信息，如要獲取整個(gè)被測(cè)對(duì)象表面結(jié)構(gòu)信息，需要沿著水平和垂直兩個(gè)方向逐點(diǎn)掃描，效率比較低。點(diǎn)結(jié)構(gòu)光技術(shù)只是對(duì)點(diǎn)狀光斑進(jìn)行處理，算法簡(jiǎn)單，計(jì)算復(fù)雜度
2023-06-26 11:33:231380 來自斯圖加特大學(xué)(德國(guó))的 Harald Gie?en 教授的團(tuán)隊(duì)正在致力于將光子學(xué)和納米技術(shù)用于新的應(yīng)用和設(shè)備。研究人員正在研究通過控制等離子體效應(yīng)來創(chuàng)建顯示器的技術(shù)。等離激元學(xué)研究光與金屬納米
2023-08-23 06:33:33795 
近日，中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)所尤立星、李浩團(tuán)隊(duì)與武愛民團(tuán)隊(duì)合作，利用內(nèi)嵌2D光子晶體結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)了極低占空比超導(dǎo)納米線單光子探測(cè)器，在保證高吸收效率的同時(shí)成倍提高了探測(cè)速度。
2023-12-06 09:39:372236 
在納米尺度上打印金屬可創(chuàng)建具有有趣功能的獨(dú)特結(jié)構(gòu)，對(duì)電子設(shè)備、太陽能轉(zhuǎn)換、傳感器和其他系統(tǒng)的發(fā)展至關(guān)重要。
2024-01-22 14:43:471129 臺(tái)階儀具備亞埃級(jí)垂直分辨率，可實(shí)現(xiàn)納米級(jí)別測(cè)量和分析。在納米加工領(lǐng)域，臺(tái)階儀能評(píng)估材料表面形貌和結(jié)構(gòu)，優(yōu)化納米加工過程。其線性可變差動(dòng)電容傳感器具有高分辨率，可測(cè)量蝕刻、濺射等多種工藝。臺(tái)階儀的應(yīng)用不僅能解決納米材料表面形貌難題，還提高加工效率和材料工程研究水平。
2024-02-19 13:49:241318 
光電轉(zhuǎn)化效率是評(píng)價(jià)LED等電致發(fā)光器件性能的重要參數(shù)。電能輸入到LED。熱量積聚會(huì)導(dǎo)致管芯溫度的升高，從而直接影響管芯的穩(wěn)定性及壽命。Micro-LED光電轉(zhuǎn)化效率可以用量子效率來表示，主要由內(nèi)量子效率、光提取效率、外量子效率3個(gè)部分構(gòu)成。
2024-05-29 10:52:231687 
單光子成像技術(shù)通過對(duì)每個(gè)光子攜帶的時(shí)空信息進(jìn)行探測(cè)，實(shí)現(xiàn)對(duì)物體圖像的重構(gòu)。基于超導(dǎo)納米線的單光子探測(cè)器（SNSPD）具有高效率、低時(shí)間抖動(dòng)、寬響應(yīng)波段的優(yōu)勢(shì)，非常適合單光子成像場(chǎng)景的需求。超導(dǎo)納米線
2024-10-22 14:48:531542 
概述 超導(dǎo)納米線單光子探測(cè)器作為量子技術(shù)領(lǐng)域的核心器件，以其近乎極限的探測(cè)效率、極低的暗計(jì)數(shù)和皮秒級(jí)的時(shí)間抖動(dòng)，正不斷重新定義量子通信、激光雷達(dá)與量子計(jì)算等前沿科技的邊界。本文將深入解析其技術(shù)
2025-10-16 17:00:53733 
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