DC/DC全橋變換器的高頻整流采用全橋整流，因為輸出電壓比較低而電流比較大，二極管采用200A/60V的肖特基二極管MBRP20060CT，每只二極管均設置有RC吸收電路。輸出濾波采用LC濾波，其濾波電感Lf采用AP法設計，最終繞制的Lf電感值為24.8μH、ESR為0.001Ω。

3、控制及驅動電路設計

電壓控制模式集成芯片SG3525是美國半導體公司生產的一種功能齊全、通用性強的單片集成PWM芯片，采用恒頻脈寬調制（PWM）方案，適用于多種開關電源的控制。本文設計的大電流開關電源的控制電路以SG3525為核心，采用PWM控制方式，電路如圖3所示。SG3525的振蕩頻率f設定為60kHz，f取決于5腳外接的定時電容CT、6腳外接的定時電阻RT以及7腳與5腳之間的放電電阻RD的大小，它們之間的關系滿足下式：

式中CT、RT、RD取值分別為4700pF、4.7kΩ、200Ω，振蕩頻率為62kHz，11腳和14腳輸出的PWM驅動脈沖信號頻率為31kHz。11腳和14腳輸出脈沖之間的死區時間tD不僅與7腳與5腳之間放電電阻RD的大小有關，還與定時電阻RT有關，本電路中死區時間約3μs。

電源輸出直流電流經霍爾電流傳感器CS（圖2中所示）采樣后轉換成直流電壓作為反饋信號uf，再經集成運放比例放大后輸入到SG3525誤差放大器的反相輸入端1腳，芯片內部5.1V基準電壓源Vref經電阻R10、RV1、R11分壓后輸入到誤差放大器的同相輸入端2腳，形成差分輸入，誤差放大器的輸出端即芯片內部PWM比較器的輸入端9腳經R8、C7反饋到1腳，構成PI調節，以此來調整IGBT驅動信號占空比，從而達到穩定輸出電流的目的。此外，輸出過壓、過流、過熱等故障經電路處理后形成保護信號up輸入到SG3525的外部控制端10腳，一旦up為高電平，芯片內部工作被關斷，11腳和14腳輸出的PWM驅動信號被關閉，主電路IGBT關斷，從而實現主電路保護功能。

IGBT驅動電路如圖4所示。SG3525輸出的驅動信號經高速光耦U3隔離后，輸入到兩只三極管Q1、Q2構成的功放電路進行功率放大，以提高驅動信號的驅動能力，保證IGBT可靠導通，功放的輸出經IGBT柵極電阻RG接到柵極。柵極負偏壓電路由限流電阻R17、9.1V穩壓二極管DZ以及濾波電容C11構成，可在IGBT關斷時提供給柵極9.1V的負偏壓。另外，為了防止IGBT柵極與發射極之間開路而意外損壞IGBT，在其柵極和發射極之間并接有電阻R18，其阻值為39kΩ。實際應用中，IGBT的柵極驅動電壓VCE通常推薦使用+15V，本設計中VCE取值為+15V。當SG3525輸出脈沖為高電平時，光耦輸出三極管集電極為高電平，功放電路中三極管Q1導通、Q2截止，施加在IGBT柵極與發射極之間電壓為+15V，IGBT導通；當SG3525輸出脈沖為低電平時，光耦輸出三極管集電極為低電平，功放電路中三極管Q1截止、Q2導通，施加在IGBT柵極與發射極之間電壓為-9V，IGBT關斷。