當評估示波器時，帶寬是很重要的，對于高速應用而言，高帶寬是必需的。然而，示波器的真正目的是要盡可能準確地顯示感興趣的信號，而且背后更為復雜，涉及儀器的基本設計、探頭架構和連接配件、以及帶寬之外的參數（包括上升時間、采樣率和抖動本底噪聲）。當選擇示波器時，工程師應評估的關鍵參數概述如表1所示。

更佳信號完整性

高速信號很容易產生信號完整性問題，因為它們涉及快沿和極窄的單位間隔或位次（bit times）。隨著通信鏈路數據速率的增加，用戶界面將縮小，信號上升時間將減少。

使問題復雜化的事實是，當被傳輸信號進入接收機時，可能產生多個信號完整性問題。這些信號完整性問題可能包括當此信號流經電路板或從硅芯片進入封裝引腳再進入電路板時產生的信號衰減。通道內的信號衰減是一個非常嚴重的問題，必須加以解決。PCB材料（如：FR–4）內的信號損失量隨線路長度的增加及數據速率的提高而增加。因信號幅度的縮小，噪音和反射正成為一個更大的影響因素。用戶需要在接收機中采用去嵌入策略，以打開閉合的眼圖。

隨著第三代串行數據標準的出現，8-10Gb/s正逐漸成為行業標準。在光通信市場中，因以太網（Ethernet）發展到4 × 25G（100GbE），設計人員需要能夠使用高達32Gb/s的比特率對信號進行測試。同時，高速FPGA和寬帶射頻也推動了極限值的擴大。泰克公司的DPO/DSA73304D為這些高端應用程序提供業界最精準的測量性能。

技術平臺與突破

泰克公司為了提供業界領先的DPO/DSA73304D示波器性能，采用了IBM 8HP鍺化硅技術。這是一種130納米鍺化硅雙極互補金屬氧化物半導體（BiCMOS）工藝，利用200GHz的FT轉換速度提供了2倍于上代產品的性能。

鍺化硅（SiGe）技術利用可靠性高且成熟的制造工藝，提供能與特殊材料（如磷化銦（InP）和砷化鎵（GaAs））性能媲美的性能級別。與其它方案不同的是，鍺硅BiCMOS工藝提供了在一塊芯片上同時制備高速雙極性晶體管和標準CMOS的途徑，從而使一系列同時具備高集成度和極致性能的電路成為可能。