移動(dòng)應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國(guó)防應(yīng)用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商 Qorvo?， Inc.（納斯達(dá)克代碼：QRVO）今天推出全球功率最高的碳化硅基氮化鎵（GaN-on-SiC）RF晶體管
2018-03-21 16:37:10
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QPD1025在65 V 電壓下的功率為1.8 kW，是業(yè)界功率最高的碳化硅基氮化鎵 （GaN-on-SiC）射頻晶體管，提供高信號(hào)完整性和長(zhǎng)覆蓋距離，非常適合L波段航空電子設(shè)備和敵我識(shí)別 （IFF） 應(yīng)用。
2018-05-31 13:17:577582 出色的散熱效果。 GaN晶體管是當(dāng)今存在的“最冷”組件之一。它的低結(jié)電阻即使在高溫和極端條件下也可實(shí)現(xiàn)低溫和低能量損耗。這是該材料廣泛用于許多關(guān)鍵領(lǐng)域的主要原因之一，在這些關(guān)鍵領(lǐng)域中，對(duì)大電流的需求是主要特權(quán)。為了進(jìn)行有效
2021-04-01 14:23:255798 
和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器成為可能。在設(shè)計(jì)研究中，在Traco Power 電源單元的 PFC 階段實(shí)現(xiàn)并測(cè)量了 GaN 晶體管的使用。對(duì)優(yōu)缺點(diǎn)以及相關(guān)的技術(shù)問題進(jìn)行了詳細(xì)的研究和描述。 近幾十年來，電力電子領(lǐng)域發(fā)展迅速。這主要是由于越來越快的半導(dǎo)體開關(guān)，這使得設(shè)計(jì)更小的用于存儲(chǔ)電能的組件成為可能
2021-10-14 15:33:005187 
基于GaN的功率晶體管和集成電路的早期成功最初源于GaN與硅相比的速度優(yōu)勢(shì)。GaN-on-Si晶體管的開關(guān)速度比MOSFET快10倍，比IGBT快100倍。
2021-04-23 11:27:114437 
開關(guān)性能。集成驅(qū)動(dòng)器還可以實(shí)現(xiàn)保護(hù)功能簡(jiǎn)介氮化鎵 (GaN) 晶體管的開關(guān)性能要優(yōu)于硅MOSFET，因?yàn)樵谕葘?dǎo)通電阻的情況下，氮化鎵 (GaN) 晶體管的終端電容較低，并避免了體二極管所導(dǎo)致的反向恢復(fù)
2018-08-30 15:28:30
Qorvo QPD1013是SiC HEMT上的150 W（P3dB）離散GaN，工作頻率范圍為DC至2.7 GHz。 這是采用包覆成型塑料封裝的單級(jí)無與倫比的功率放大器晶體管。 QPD1013的高
2020-03-25 19:44:20
/ LTE宏蜂窩基站驅(qū)動(dòng)程序微蜂窩基站小蜂窩最后階段有源天線陸地移動(dòng)和軍事無線電通信通用應(yīng)用 QPD0005 QPD1013 T2G6000528-Q3 TGF2933QPD0009 QPD
2020-03-23 16:31:35
：48V低熱阻封裝連續(xù)波和脈沖功能產(chǎn)品應(yīng)用航天寬帶無線商業(yè)廣告防御高可靠性測(cè)試與量測(cè) QPD0005 QPD1013 T2G6000528-Q3 TGF2933QPD0009 QPD
2020-03-23 16:33:34
HEMT分立式GaN，可在48V電源軌上以DC至4GHz工作。 產(chǎn)品名稱：功率晶體管QPD0030 產(chǎn)品特征頻率范圍：DC至4 GHz輸出功率（P3dB）：2.2 GHz時(shí)為49 W.線性增益：2.2
2019-05-13 17:06:39
QPD0210是采用DFN封裝的SiC HEMT上的雙路徑分立GaN，工作頻率為1.8至2.7 GHz。 每條路徑中都有一個(gè)單級(jí)放大器晶體管。?QPD0210可以通過+48 V在每條路徑上提供
2020-03-23 16:34:50
`QPD0211是采用DFN封裝的SiC HEMT上的雙路徑分立GaN，工作頻率為2.5至2.7 GHz。 該器件是單級(jí)功率放大器晶體管，用于Doherty應(yīng)用程序。 QPD0211在+48 V工作
2020-03-20 11:23:39
`QPD0305是采用塑料包覆成型DFN封裝的SiC HEMT上的雙路徑分立GaN，其工作頻率為3.4至3.8 GHz。 每條路徑中都有一個(gè)單級(jí)放大器晶體管。QPD0305可以通過每條路徑以+48
2020-03-20 11:25:19
QPD0405是采用DFN封裝的SiC HEMT上的雙路徑分立GaN，工作頻率為4.4至5.0 GHz。 每條路徑中都有一個(gè)單級(jí)放大器晶體管QPD0405可以通過每條路徑以+48 V工作電壓提供22
2020-03-23 16:36:37
Qorvo的QPD1000是SiC HEMT上的15W（P3dB），50歐姆輸入匹配分立GaN，工作頻率為30MHz至1.215 GHz。 集成的輸入匹配網(wǎng)絡(luò)可實(shí)現(xiàn)寬帶增益和功率性能，而輸出可在板
2020-03-25 19:27:26
QPD1004氮化鎵晶體管產(chǎn)品介紹QPD1004報(bào)價(jià)QPD1004代理QPD1004咨詢熱線QPD1004現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質(zhì)誠(chéng)科技有限公司QPD1004是25W（p3db），50歐姆輸入匹配
2018-07-30 15:25:55
`QPD1008L RF功率晶體管產(chǎn)品介紹QPD1008L詢價(jià)熱線QPD1008L現(xiàn)貨QPD1008L 代理 王先生深圳市首質(zhì)誠(chéng)科技有限公司, Qorvo的QPD1008L是SiC HEMT上
2019-05-13 16:40:46
Qorvo QPD1011是SiC HEMT上的7W（P3dB），50歐姆輸入匹配分立GaN，工作頻率為30 MHz至1.2 GHz。 集成的輸入匹配網(wǎng)絡(luò)可實(shí)現(xiàn)寬帶增益和功率性能，而輸出可在板上進(jìn)
2020-03-25 19:42:29
`Qorvo的QPD1015是SiC HEMT上的65 W（P3dB）寬帶無與倫比的分立GaN，其工作頻率范圍為DC至3.7 GHz，電源電壓為50V。 該設(shè)備采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的氣腔封裝，非常適合軍事
2020-03-25 19:46:23
`產(chǎn)品型號(hào): QPD1018產(chǎn)品名稱：晶體管QPD1018產(chǎn)品特性頻率：2.7至3.1 GHz輸出功率（p3db）575瓦線性步態(tài)117.7分貝典型PAE3DB1：67.9%工作電壓：50 V低熱阻
2019-04-15 14:57:51
QPD1018氮化鎵晶體管產(chǎn)品介紹QPD1018報(bào)價(jià)QPD1018代理QPD1018咨詢熱線QPD1018現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質(zhì)誠(chéng)科技有限公司QPD1018內(nèi)部匹配離散GaN
2018-07-27 09:06:34
`QPD1018氮化鎵晶體管產(chǎn)品介紹QPD1018報(bào)價(jià)QPD1018代理QPD1018咨詢熱線QPD1018現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質(zhì)誠(chéng)科技有限公司QPD1018內(nèi)部匹配離散GaN
2019-07-17 13:58:50
QPD1020射頻功率晶體管產(chǎn)品介紹QPD1020報(bào)價(jià)QPD1020代理QPD1020咨詢熱線QPD1020現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質(zhì)誠(chéng)科技有限公司QPD1020是30 W（p3db），50歐姆輸入
2018-07-27 11:20:12
%效率調(diào)諧P3dB增益：20分貝2引線，無耳，陶瓷法蘭NI780封裝QPD2795產(chǎn)品詳情QPD2795是SiC HEMT上的離散GaN。工作在2.5-2.7GHz。該設(shè)備是單級(jí)的匹配功率放大器晶體管
2018-07-24 11:18:42
晶體管的主要參數(shù)有哪些？晶體管的開關(guān)電路是怎樣的？
2021-06-07 06:25:09
晶體管 &
2010-08-12 13:57:39
`Cree的CGH40010是無與倫比的氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。 CGH40010，正在運(yùn)行從28伏電壓軌供電，提供通用寬帶解決方案應(yīng)用于各種射頻和微波應(yīng)用。 GaN
2020-12-03 11:51:58
是碳化硅（SiC）襯底上的氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。這種GaN內(nèi)匹配（IM）場(chǎng)效應(yīng)晶體管與其他技術(shù)相比，提供了優(yōu)異的功率附加效率。GaN與硅或砷化鎵相比具有更高的性能，包括更高
2018-08-13 10:58:03
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 該GaN內(nèi)部匹配（IM）FET與其他技術(shù)相比，具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
`IGN0450M250是一款高功率GaN-on-SiC RF功率晶體管，旨在滿足P波段雷達(dá)系統(tǒng)的獨(dú)特需求。它在整個(gè)420-450 MHz頻率范圍內(nèi)運(yùn)行。 在100毫秒以下，10％占空比脈沖條件
2021-04-01 10:35:32
Technologies公司成立于1997年，是一家通過ISO 9001：2008認(rèn)證的射頻功率晶體管，托盤和高功率放大器（HPA）認(rèn)證的制造商。 這些產(chǎn)品基于GaN HEMT和Si LDMOS，VDMOS
2019-05-20 09:16:24
Technologies公司成立于1997年，是一家通過ISO 9001：2008認(rèn)證的射頻功率晶體管，托盤和高功率放大器（HPA）認(rèn)證的制造商。 這些產(chǎn)品基于GaN HEMT和Si LDMOS，VDMOS
2018-11-12 11:14:03
）認(rèn)證的制造商。 這些產(chǎn)品基于GaN HEMT和Si LDMOS，VDMOS和雙極技術(shù)。產(chǎn)品型號(hào)：IGT2731L120產(chǎn)品名稱： S波段晶體管 產(chǎn)品特性GaN HEMT技術(shù)對(duì)SiCP out-pk
2018-11-12 10:26:20
化鎵或砷化鋁鎵技術(shù)的這類二極管。產(chǎn)品型號(hào)：NPT2020產(chǎn)品名稱：射頻晶體管NPT2020產(chǎn)品特性GaN上硅HEMT耗盡型晶體管適合線性和飽和應(yīng)用從直流3.5 GHz調(diào)諧48 V操作3.5 GHz
2018-09-26 09:04:23
`TGF2933分立式晶體管產(chǎn)品介紹TGF2933報(bào)價(jià)TGF2933代理TGF2933 TGF2933現(xiàn)貨,王先生***深圳市首質(zhì)誠(chéng)科技有限公司Qorvo TGF2933是SiC上的7 W（P
2019-07-19 21:01:07
`產(chǎn)品名稱：分立式晶體管TGF2934產(chǎn)品特性輸出功率（P 3dB）1：14 W.典型PAE 3dB 1:49％工作電壓：28 V.提供非線性和噪聲模型TGF2934是SiC HEMT上的14 W
2019-08-08 11:11:10
`TGF2935分立式晶體管產(chǎn)品介紹TGF2935報(bào)價(jià)TGF2935代理TGF2935 TGF2935現(xiàn)貨,王先生***深圳市首質(zhì)誠(chéng)科技有限公司該器件采用Qorvo經(jīng)過驗(yàn)證的QGaN15構(gòu)建處理
2019-07-19 21:04:35
`TGF2942分立式晶體管產(chǎn)品介紹TGF2942報(bào)價(jià)TGF2942代理TGF2942 TGF2942現(xiàn)貨,王先生***深圳市首質(zhì)誠(chéng)科技有限公司該器件采用Qorvo TGF2942是SiC上的2 W
2019-07-19 21:06:16
產(chǎn)品詳情Qorvo的TGF2978-SM是SiC HEMT上的20 W（P3dB）寬帶無與倫比的分立GaN，其工作頻率范圍為DC至12 GHz，電源電壓為32V。 該器件采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的3x3mm
2020-02-28 11:27:32
multisim仿真中高頻晶體管BFG35能用哪個(gè)晶體管來代替，MFR151管子能用哪個(gè)來代替？或是誰有這兩個(gè)高頻管子的原件庫(kù)？求大神指教
2016-10-26 11:51:18
互補(bǔ)晶體管的匹配
2019-10-30 09:02:03
是降低電子導(dǎo)帶的一種有效方法。我們?cè)谶@方面有著豐富的經(jīng)驗(yàn)，優(yōu)化了離子注入技術(shù)以形成高摻雜的AlGaN/GaN區(qū)域，并在GaN晶體管中實(shí)現(xiàn)了良好的CMOS兼容歐姆接觸。我們的努力包括開發(fā)出一種激活退火
2020-11-27 16:30:52
端工作，因此很容易實(shí)現(xiàn)電子控制或電氣同步。光電晶體管中使用的材料通常是GaAs，主要分為雙極光電晶體管、場(chǎng)效應(yīng)光電晶體管及其相關(guān)器件。雙極光電晶體管通常具有高增益，但不會(huì)太快。對(duì)于
2023-02-03 09:36:05
達(dá)林頓晶體管是一對(duì)雙極晶體管，連接在一起，從低基極電流提供非常高的電流增益。輸入晶體管的發(fā)射極始終連接到輸出晶體管的基極;他們的收藏家被綁在一起。結(jié)果，輸入晶體管放大的電流被輸出晶體管進(jìn)一步放大
2023-02-16 18:19:11
各位高手，小弟正在學(xué)習(xí)單結(jié)晶體管，按照網(wǎng)上的電路圖做的關(guān)于單結(jié)晶體管的仿真，大多數(shù)都不成功，請(qǐng)問誰有成功的單結(jié)晶體管的仿真仿真啊，可以分享下嗎。
2016-03-04 09:15:06
區(qū)域，而粉紅色陰影區(qū)域表示截止區(qū)域。 圖1. 晶體管工作區(qū) 這些區(qū)域定義為： ? 飽和區(qū)域。 在這個(gè)區(qū)域，晶體管將偏置最大基極電流，用于在集電極上實(shí)現(xiàn)最大電流，在集電極-發(fā)射極處實(shí)現(xiàn)最小壓降
2023-02-20 16:35:09
絕緣柵雙極晶體管（IGBT）有哪些應(yīng)用呢？如何去實(shí)現(xiàn)絕緣柵雙極晶體管（IGBT）的電磁兼容設(shè)計(jì)呢？
2022-01-14 07:02:41
來至網(wǎng)友的提問：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
晶體管的代表形狀晶體管分類圖：按照該分類，掌握其種類1. 按結(jié)構(gòu)分類根據(jù)工作原理不同分類，分為雙極晶體管和單極晶體管。雙極晶體管雙是指Bi（2個(gè)）、極是指Polar（極性）。雙極晶體管，即流經(jīng)構(gòu)成
2019-05-05 01:31:57
理解，調(diào)整了松下X-GaN晶體管中晶格緩沖層的厚度，以限制p漏極與襯底的泄漏，旨在實(shí)現(xiàn)10年運(yùn)行時(shí)失效率小于0.1％（Vds = 480V和Tj = 100℃）。 因此，HTRB測(cè)試是評(píng)估XGaN
2023-02-27 15:53:50
端上的每個(gè)開關(guān)實(shí)現(xiàn)表1中并聯(lián)的兩個(gè)晶體管器件。圖 5：采用 GaN 的 3KW 500kHz LLC 諧振轉(zhuǎn)換器的損耗和效率與 Si 和 SiC 的關(guān)系圖5顯示了所有晶體管均為500KHz的3KW半橋
2023-02-27 09:37:29
和頻率電子應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)更高的效率而制造的。ST’s vipergan50高電壓轉(zhuǎn)換器我們首先要宣布的是來自意法半導(dǎo)體的消息。最近，它推出了 VIPERGAN50，一種基于 GaN 晶體管的功率轉(zhuǎn)換器，為
2022-06-15 11:43:25
通過二極管實(shí)現(xiàn)無延遲關(guān)斷。 圖4：并聯(lián)半橋CoolGaN?評(píng)估平臺(tái)。 總結(jié) 盡管硅晶體管并聯(lián)配置已經(jīng)十分成熟，GaN晶體管并聯(lián)配置對(duì)于許多設(shè)計(jì)工程師而言仍然存在挑戰(zhàn)，采用不同于傳統(tǒng)硅器件
2021-01-19 16:48:15
受益于集成器件保護(hù)，直接驅(qū)動(dòng)GaN器件可實(shí)現(xiàn)更高的開關(guān)電源效率和更佳的系統(tǒng)級(jí)可靠性。高電壓（600V）氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）的開關(guān)特性可實(shí)現(xiàn)提高開關(guān)模式電源效率和密度的新型
2020-10-27 06:43:42
涵蓋70 多款裸片和封裝形式的Qorvo GaN 晶體管。這些模型有助于PA 設(shè)計(jì)人員準(zhǔn)確預(yù)測(cè)設(shè)計(jì)中集成的晶體管性能。Modelithics 的仿真模型與最新的電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化(EDA) 仿真工具無縫
2018-08-04 14:55:07
Qorvo 的 QPD0007 是一款單路徑分立式 GaN 晶體管，工作頻率范圍為 DC 至 5 GHz。它是一個(gè)單級(jí)晶體管，提供 43 dBm 的飽和輸出功率，效率高達(dá) 73%。這種符合 RoHS
2022-10-13 10:58:18
Qorvo 的 QPD1013 是一款射頻晶體管，頻率 DC 至 2.7 GHz，功率 51.76 dBm，功率（W）149.97 W，Duty_Cycle 0.1，增益 21.8 dB。標(biāo)簽：表面
2022-10-18 11:22:36
的單級(jí)無與倫比的功率放大器晶體管。QPD1013 的高功率和寬帶寬使其適用于從直流到 2.7 GHz 的許多不同應(yīng)用。該器件采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 7.2 x 6.6 m
2023-05-09 19:51:06
Qorvo QPD1425/QPD1425L GaN RF功率晶體管Qorvo QPD1425/QPD1425L GaN射頻功率晶體管是375W分立式碳化硅基氮化鎵HEMT，工作頻率范圍為直流至
2023-12-20 16:11:06
Qorvo QPD1425LEVB 射頻晶體管評(píng)估板Qorvo QPD1425/QPD1425L GaN晶體管評(píng)估板用于演示375W分立式碳化硅基氮化鎵HEMT（工作頻率范圍為直流至
2023-12-20 16:12:52
Qorvo QPD1016L GaN射頻晶體管Qorvo QPD1016L GaN射頻晶體管是一款500W (P3dB) 預(yù)匹配分立式碳化硅基氮化鎵高電子遷移率晶體管 (GaN on SiC
2024-02-26 19:28:10
Qorvo QPD0007 GaN射頻晶體管Qorvo QPD0007 GaN射頻晶體管是單路徑離散碳化硅基氮化鎵高電子遷移率晶體管 (HEMT)，采用DFN封裝。這些射頻晶體管是單級(jí)、不匹配晶體管
2024-02-26 19:46:40
Qorvo QPD0005M RF JFET晶體管Qorvo QPD0005M RF JFET晶體管是單路徑分立式GaN on SiC HEMT，采用塑料包覆成型DFN封裝。該系列晶體管的工作頻率
2024-02-26 23:27:57
QPD1013EVB04是一款由Analog Devices公司推出的評(píng)估板,用于評(píng)估和測(cè)試QPD1013四象限光電二極管(Quadrant Photodiode)的性能。QPD1013是一款高性能
2024-04-10 22:40:07
QPD1008：高性能GaN RF功率晶體管產(chǎn)品概述QPD1008是Qorvo推出的一款高性能GaN（氮化鎵）RF功率晶體管，專為高頻、高功率應(yīng)用設(shè)計(jì)。其卓越的功率密度和效率使其成為現(xiàn)代無線通信
2024-11-01 14:17:32
QPD0007：高效GaN RF功率晶體管產(chǎn)品概述QPD0007是Qorvo推出的一款高性能GaN（氮化鎵）RF功率晶體管，專為高頻應(yīng)用設(shè)計(jì)。其卓越的功率密度和效率使其在無線通信和其他高頻設(shè)備中表
2024-11-01 14:20:28
QPD1035L：高效GaN HEMT RF功率晶體管產(chǎn)品概述QPD1035L是Qorvo推出的一款高效GaN HEMT（高電子遷移率晶體管）RF功率晶體管，專為高頻應(yīng)用而設(shè)計(jì)。其卓越的功率輸出
2024-11-01 14:22:43
QPD1016L：高效GaN HEMT RF功率晶體管產(chǎn)品概述QPD1016L是Qorvo推出的一款高效GaN HEMT RF功率晶體管，專為高頻應(yīng)用而設(shè)計(jì)。其卓越的功率輸出和高增益特性，使其在
2024-11-01 14:23:54
QPD1035：高效GaN HEMT RF功率晶體管產(chǎn)品概述QPD1035是Qorvo推出的一款高性能GaN HEMT（高電子遷移率晶體管）RF功率晶體管，專為高頻應(yīng)用設(shè)計(jì)。憑借其卓越的功率輸出
2024-11-01 14:26:31
QPD1013：高效能GaN on SiC RF晶體管在當(dāng)今的射頻應(yīng)用中，功率放大器的性能直接影響到系統(tǒng)的整體效率和可靠性。QPD1013是一款高功率的GaN on SiC RF晶體管，工作頻率范圍
2024-11-10 19:06:02
Modelithics， Inc. 和 Qorvo 宣布，近期將擴(kuò)展用于 Qorvo GaN 晶體管的 Modelithics? 高精度非線性模型庫(kù)。當(dāng)前的 GaN 模型版本 （v1.5） 廣受歡迎
2015-08-28 17:00:003215 （GaN－on－SiC）RF晶體管－－－QPD1025。QPD1025在65 V下運(yùn)行1.8KW，提供出色的信號(hào)完整性和更大的范圍，這對(duì)L頻段航空電子應(yīng)用來說至關(guān)重要。 Strategy Analytics公司
2018-04-06 11:18:007510 和寬帶通信應(yīng)用。QPD1013晶體管利用QoVo的0.50μm GaN上的SiC技術(shù)，使得能夠在65 V的操作，從而提高了效率和寬帶寬。
2018-08-02 11:29:00
3 相應(yīng)的漏極效率大于55%。該設(shè)計(jì)是基于商業(yè)上可獲得的離散0.25μm的GaN晶體管，安裝在過模制SMT塑料封裝上安裝在羅杰斯4003 PCB上。快漏開關(guān)電路也包括在同一電路板上，便于脈沖操作，導(dǎo)通時(shí)間僅為20nS。離散GaN晶體管可從Qorvo作為TGF977 SM。
2018-07-31 11:29:007 盡管Qorvo的GaN晶體管效率非常高，但考慮到高RF功率電平意味著即使是高效的PA，晶體管也將具有顯著功耗。由于晶體管是SMT組件，因此需要仔細(xì)設(shè)計(jì)PCB以優(yōu)化熱性能。已經(jīng)對(duì)兩種方法進(jìn)行了評(píng)估，并報(bào)告了兩者的結(jié)果。
2018-11-26 14:18:552300 Qorvo的QPD1013晶體管采用0.50 μm GaN-on-SiC技術(shù)。它采用具有成本效益的6.6x7.2 mm DFN（雙邊扁平無引腳）封裝，與傳統(tǒng)的金屬陶瓷封裝相比，可以實(shí)現(xiàn)更簡(jiǎn)單的PCB
2020-10-16 10:42:000 GaN（氮化鎵）功率晶體管的全球領(lǐng)導(dǎo)者GaN Systems今天宣布，其低電流，大批量氮化鎵晶體管的價(jià)格已跌至1美元以下。
2021-03-13 11:38:461081 如何高效、安全地驅(qū)動(dòng)Rad-Hard E型GaN晶體管
2021-11-29 16:31:421 ) 和氮化鎵 (GaN)。在這些潛在材料中，GaN 或氮化鎵正變得被廣泛認(rèn)可和首選。這是因?yàn)?GaN 晶體管與材料對(duì)應(yīng)物相比具有多個(gè)優(yōu)勢(shì)。
2022-07-29 15:00:302352 GaN 晶體管是新電源應(yīng)用的理想選擇。它們具有小尺寸、非常高的運(yùn)行速度并且非常高效。它們可用于輕松構(gòu)建任何電力項(xiàng)目。在本教程中，我們將使用 EPC 的 GaN EPC2032 進(jìn)行實(shí)驗(yàn)。
2022-08-05 08:04:541727 
GaN 晶體管是新電源應(yīng)用的理想選擇。它們具有小尺寸、非常高的運(yùn)行速度并且非常高效。它們可用于輕松構(gòu)建任何電力項(xiàng)目。在本教程中，我們將使用 GaN Systems 的 GaN GS61008T 進(jìn)行實(shí)驗(yàn)。
2022-08-05 08:04:552235 
是一種高度移動(dòng)的半導(dǎo)體電子半導(dǎo)體 (HEMT)，被證明在滿足新應(yīng)用方面具有真正的附加值。 GaN 晶體管比硅 MOSFET 更快、更小。GaN 的性能表明效率和性能得到了顯著提高，從而帶來了一些硅技術(shù)無法實(shí)現(xiàn)的新應(yīng)用。板空間非常昂貴。eGaN?的FET，從EPC，在低電感，低電阻，
2022-08-08 09:38:243647 
GaN功率晶體管:器件、技術(shù)和可靠性詳解
2022-12-21 16:07:11978 基于模型的 GAN PA 設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)：GAN 晶體管 S 參數(shù)、線性穩(wěn)定性分析與電阻穩(wěn)定性
2022-12-26 10:16:214288 
45 V、1 A NPN 中等功率晶體管-BC54PA_SER
2023-02-07 19:11:210 PNP 通用晶體管-2PA1576S
2023-02-07 19:30:370 PNP 通用晶體管-2PA1576R
2023-02-07 19:30:530 PNP 通用晶體管-2PA1576Q
2023-02-07 19:31:070 PNP 通用晶體管-2PA1576S-Q
2023-02-08 19:24:250 PNP 通用晶體管-2PA1576R-Q
2023-02-08 19:24:380 PNP 通用晶體管-2PA1576Q-Q
2023-02-08 19:24:531 PNP 通用晶體管-2PA1576
2023-02-17 18:55:230 解決方案帶來了極高的附加值。采用GaN技術(shù)有助于實(shí)現(xiàn)上述目標(biāo)，隨著該項(xiàng)技術(shù)商用步伐的加快，在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中也獲得了廣泛運(yùn)用。 GaN晶體管與硅基晶體管相比的優(yōu)點(diǎn) 與硅基晶體管相比，GaN功率晶體管有什么優(yōu)點(diǎn)呢？GaN在品質(zhì)因數(shù)（
2023-08-03 14:43:28694 無論是在太空還是在地面，這些基于GaN的晶體管都比硅具有新的優(yōu)勢(shì)。
2023-09-28 17:44:222460 
GaN（氮化鎵）晶體管，特別是GaN HEMT（高電子遷移率晶體管），是近年來在電力電子和高頻通信領(lǐng)域受到廣泛關(guān)注的一種新型功率器件。其結(jié)構(gòu)復(fù)雜而精細(xì)，融合了多種材料和工藝，以實(shí)現(xiàn)高效、高頻率和高功率密度的性能。
2024-08-15 11:01:063439 GaN（氮化鎵）晶體管和SiC（碳化硅）晶體管作為兩種先進(jìn)的功率半導(dǎo)體器件，在電力電子、高頻通信及高溫高壓應(yīng)用等領(lǐng)域展現(xiàn)出了顯著的優(yōu)勢(shì)。然而，它們?cè)诓牧咸匦浴⑿阅鼙憩F(xiàn)、應(yīng)用場(chǎng)景以及制造工藝等方面存在諸多不同。以下是對(duì)這兩種晶體管差異的詳細(xì)分析。
2024-08-15 11:16:212935 GaN（氮化鎵）晶體管，特別是GaN HEMT（高電子遷移率晶體管），近年來在多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出廣泛的應(yīng)用場(chǎng)景。其出色的高頻性能、高功率密度、高溫穩(wěn)定性以及低導(dǎo)通電阻等特性，使得GaN晶體管成為電力電子和高頻通信等領(lǐng)域的優(yōu)選器件。以下將詳細(xì)闡述GaN晶體管的主要應(yīng)用場(chǎng)景，并結(jié)合具體實(shí)例進(jìn)行說明。
2024-08-15 11:27:203066 晶體管的主要材料是半導(dǎo)體材料，這些材料在導(dǎo)電性能上介于導(dǎo)體和絕緣體之間，具有獨(dú)特的電子結(jié)構(gòu)和性質(zhì)，使得晶體管能夠實(shí)現(xiàn)對(duì)電流的有效控制。以下將詳細(xì)探討晶體管的主要材料，包括硅（Si）、鍺（Ge）、氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）等，并介紹它們?cè)?b class="flag-6" style="color: red">晶體管制造中的應(yīng)用和特性。
2024-08-15 11:32:354405 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《GaN晶體管的命名、類型和結(jié)構(gòu).pdf》資料免費(fèi)下載
2024-09-12 10:01:200
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