測試選擇按鍵 - 晶體管特性測試儀如何使用?(晶體管測試儀作用及使用注意事項）

　　30. 測試選擇按鍵：

　　⑴“左”、“右”、“二簇”：可以在測試時任選左右兩個被測管的特性，當(dāng)置于“二簇”時，即通過電子開關(guān)自動地交替顯示左右二簇特性曲線，此時“級/簇”應(yīng)置適當(dāng)位置，以利于觀察。二簇特性曲線比較時，請不要誤按單簇按鍵。

　　⑵“零電壓”鍵：按下此鍵用于調(diào)整階梯信號的起始級在零電平的位置，見（22）項。

　　⑶“零電流”鍵：按下此鍵時被測管的基極處于開路狀態(tài)，即能測量ICEO特性。

　　31、32. 左右測試插孔：插上專用插座（隨機附件），可測試F1、F2型管座的功率晶體管。

　　33、34、35.晶體管測試插座。

　　36. 二極管反向漏電流專用插孔（接地端）。

晶體管特性測試儀如何使用?(晶體管測試儀作用及使用注意事項）

　　37. 二簇移位旋鈕：在二簇顯示時，可改變右簇曲線的位置，更方便于配對晶體管各種參數(shù)的比較。

　　38. Y軸信號輸入：Y軸選擇開關(guān)置外接時，Y軸信號由此插座輸入。

　　39. X軸信號輸入：X軸選擇開關(guān)置外接時，X軸信號由此插座輸入。

　　40. 校準(zhǔn)信號輸出端：1V、0.5V校準(zhǔn)信號由此二孔輸出。

　　四、測試前注意事項

　　為保證儀器的合理使用，既不損壞被測晶體管，也不損壞儀器內(nèi)部線路，在使用儀器前應(yīng)注意下列事項：

　　1. 對被測管的主要直流參數(shù)應(yīng)有一個大概的了解和估計，特別要了解被測管的集電極最大允許耗散功率PCM、最大允許電流ICM和擊穿電壓BVEBO、BVCBO 。

　　2. 選擇好掃描和階梯信號的極性，以適應(yīng)不同管型和測試項目的需要。

　　3. 根據(jù)所測參數(shù)或被測管允許的集電極電壓，選擇合適的掃描電壓范圍。一般情況下，應(yīng)先將峰值電壓調(diào)至零，更改掃描電壓范圍時，也應(yīng)先將峰值電壓調(diào)至零。選擇一定的功耗電阻，測試反向特性時，功耗電阻要選大一些，同時將X、Y偏轉(zhuǎn)開關(guān)置于合適擋位。測試時掃描電壓應(yīng)從零逐步調(diào)節(jié)到需要值。

　　4. 對被測管進行必要的估算，以選擇合適的階梯電流或階梯電壓，一般宜先小一點，再根據(jù)需要逐步加大。測試時不應(yīng)超過被測管的集電極最大允許功耗。

　　5. 在進行ICM的測試時，一般采用單簇為宜，以免損壞被測管。

　　6. 在進行IC或ICM的測試中，應(yīng)根據(jù)集電極電壓的實際情況選擇，不應(yīng)超過本儀器規(guī)定的最大電流，見表A-3。

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