DMN3027LFG會隨時間以電流和電壓為函數消耗電容器內的能源，因此有需要評估最大單一脈沖，讓功率MOSFET能夠安全應付，同時確保接面溫度不會超過絕對最高額定典型值TJ（max）=150 ℃。相關詳細資料可查看MOSFET資料表中的安全操作區（SOA）。SOA應以所需的MOSFET閘極驅動器應用的環境操作溫度為基礎。在使帶0.9V電荷的電容器組放電時，可接受的SOA曲線應指出單一脈沖尖峰電流量為至少1V，脈沖寬度介于1ms至10ms。SOA應適用于一般的應用環境溫度，安裝在使用最少散熱器（亦稱最小建議墊片MRP配置）下的電路板上時，亦即假設的60℃。

此外也需要考量DMN3027LFG（Q2） MOSFET和R2串聯電阻的功耗。最糟的使用情況，就是在很短的時間內對電容器進行充放電。假設最糟情況下，電源定序器可進入連續回路，每隔20ms啟動一次DC-DC穩壓器并接著停用（10ms啟用+10ms停用），DMN3027LFG和R2將會有大約0.5W的功耗。這是從電容器組儲存的已知總能源會每隔20ms放電計算得到：

P=E÷t=?CV2÷20ms=500mW（假設C=20mF，充電至1V）

DMN3027LFG的最大溫度調整RDS（ON）為40mΩ，因此Q2和R2的功耗分別為222mW和278mW。若RDS（ON）為較低的15mΩ，R2的功耗將增加到385mW，因此需使用0.5W額定值的電阻。

在一般應用中，環境溫度預期接近60℃，而DMN3027LFG在最小建議墊片配置下的接面至環境熱電阻（RθJA）為130℃/W，功耗達222mW時TJ接近90℃。這表示TJ（max）=150℃還有很多預留空間。

圖3顯示電路實際運作方式。尖峰電流限制在大約12.5A，電容器組從初始1V充電狀態下放電至5%的時間約為4ms，此數值接近理論值的計算結果。

圖3 在控制時間和限制放電電流下關閉單一電軌。

依照正確順序關閉個別電源供應跟確定開機順序是否正確都是為了避免復雜的多軌式FPGA損壞。讓去耦合電容器主動放電，有助穩定確保每個電軌能在已知的時間內關閉。主要MOSFET開關時，應確保元件具備適當的時間常數，且能耐受最糟的電源循環條件下所造成的應力。