采用CPLD的多次重觸發存儲測試系統的實現

1 引言

　　多次重觸發技術應用于多種場合，如一個30齒的齒輪，設齒輪嚙臺系數為1．2，若測量其中1齒多次嚙合時的應力，則1齒的嚙合時間只占齒輪轉l圈時間的1．2／30，其余28．8／30的時間為空閑態，而空閑態記錄無意義。為此開發多次重觸發技術，以齒應力作為內觸發信號，只記錄每次觸發后的有用信號，并具有負延遲，而不記錄空閑狀態．直到占滿記錄裝置存儲空間，這樣可有效利用存儲空間，記錄更多的有用信號。

　　2 多次重觸發存儲測試系統總體設計

　　2．1 多次重觸發存儲測試系統工作原理

　　圖1為多次重觸發存儲測試系統原理框圖，其工作原理：被測信號經傳感器變為電信號后，輸入至模擬調理電路，再經放大濾波后輸入至A／D轉換器，將模擬信號轉換為數字信號，然后經過FIFO傳輸給存儲器，計算機通過通信接口讀取數據。其中，該存儲測試系統的A／D轉換器的轉換和讀時鐘、FIFO及存儲器的讀寫時鐘、推地址時鐘均由CPLD控制產生。

　　2．2 負延遲的實現

　　動態信息存儲要求真實有效地記錄有用信號，根據被測信號特點，需記錄下觸發前信號在極短時間內的數據，這就要使用負延遲技術。負延遲也稱為提前傳輸，即將觸發信號的觸發采集時刻提前一段時間作為傳輸數據的起始點。該系統設計采用FIFO存儲器實現負延負延遲。觸發信號未到來時，A／D轉換器輸出的數據不斷寫入FIFO存儲器中，A／D轉換器轉換的數據不斷刷新FIFO存儲器的內容。一旦觸發信號到來，數據則開始從FIFO寫入存儲器。

　　2．3 主要器件選型

　　該系統設計選用AD7492型A／D轉換器。該器件為12位高速、低功耗、逐次逼近式A／D轉換器。在5 V電壓，速率為1 MS／s時，其平均電流僅1．72 mA，功耗為8．6 mW；在5 V電壓和500 kS／s數據傳輸速率下，消耗電流1．24 mA，因此，該器件能夠滿足系統低功耗要求。由于該系統設計的存儲器總體容量為512 KB，因此選用l片容量為512 KB的N08T163型存儲器。并通過靜態存儲器時序配合實現自制的FIFO存儲器，功耗約為同類FIFO存儲器的1／10。系統設計的負延遲記錄l KB，選用128 KB容量的N02L163WC2A型存儲器。針對存儲測試系統功耗低，體積小，且控制邏輯較復雜的因素，MAX7000B系列的EPM7128BTCl44-4型CPLD作為控制器。該器件是高性能，低功耗的CMOS型CPLD，2500個可用邏輯門電路，引腳到引腳的傳輸延時為4．0 ns，系統工作頻率高達243．9 MHz。

　　3 CPLD控制電路的設計

　　基于CPLD的多次重觸發存儲測試系統主要由A／D轉換器、存儲器、FIFO和控制器CPLD等組成，其中CPLD控制電路由時鐘、多次重觸發、FIFO地址發生、存儲器地址發生、存儲器計滿，電源管理和計算機通信等模塊組成，如圖2所示。

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　　3．1 控制電路各模塊功能

　　(1)電源管理模塊 該模塊主要控制系統功耗。當系統處于休眠狀態時，只有Vcc對CPLD供電；當系統進入正常工作狀態時，Vcc，VDD和VEE同時供電，晶振工作，當采樣結束，系統關閉VEE，模擬部分進入休眠狀態，晶振停止工作。該模塊能夠滿足系統低功耗要求。

　　(2)時鐘模塊 晶振提供的4 MHz信號經4個二分頻器，分別得到2 MHz、1 MHz、500 kHz和250 kHz的時鐘信號，由這些信號組合得到A／D轉換器的采樣信號convst、FIFO的寫信號、A／D轉換器的讀信號ffwr_adread以及FIFO的推地址信號ff_dz，均為250 kHz。

　　(3)多次重觸發模塊 當外界多次重觸發信號m_tri到來后。經D觸發器產生的open信號變為高電平，計數器開始計數時鐘信號ff_dz，每計8 KB后停止計數，并產生清零信號clr對open信號清零，等待下次觸發信號。由時鐘信號ff_dz和open信號控制產生的時鐘信號clkl作為寫存儲器時的推地址信號和寫信號，open信號取反后接至存儲器使能端。

　　(4)FIFO地址發生模塊CPLD對FIFO的地址控制由時鐘模塊ff_dz信號產生，在時鐘信號ff_dz的下降沿開始推FIFO地址。

　　(5)存儲器地址發生模塊 多次重觸發模塊產生clkl信號作為存儲器的推地址信號m_dz推地址，將轉換數據寫入存儲器，寫滿8 KB后停止寫操作，等待下次觸發信號。存儲器存滿512。KB后停止推地址和寫操作，等待計算機讀數。讀數時，計算機每向CPLD發送1個讀數脈沖，地址信號向前推進1位，CPLD就從存儲器中對應的地址單元讀取1個數據。

　　(6)存儲器計滿模塊 當多次重觸發信號m_tri到來后，open信號變為高電平，計滿8 KB后變為低電平，等待下次觸發信號。因此用計數器計數open信號下降沿，計滿64個后存儲器滿信號tc變為高電平。