將逆變器從控制柜轉移到電機導致了新的逆變器設計要求。其中要求的是熱管理。標準柜式逆變器在相當友好的環境中運行，沒有特殊的 IP 保護要求，與電機不同，電機安裝在生產線中靠近正在加工的貨物的位置。相比之下，嵌入式驅動器使用內部逆變器，這要求電機和逆變器都防水、防塵，從而影響系統的熱性能。

　　在 IP65 保護系統中，所有組件的耗散功率只能通過其表面（主要是散熱器）排出。因此，嵌入式系統中使用的逆變器的設計必須限度地減少功耗，并使用良好的熱界面將所有功耗組件連接到散熱器。保持整體溫度較低并避免系統內部出現熱點，可確保整體系統的可靠性。

　　圖 1. CI + PFC 拓撲。圖片由博多電力系統提供 ［PDF］

　　此外，逆變器必須足夠小以適應給定的環境，從而實現緊湊的電機設計和高安裝密度。例如水處理、熱泵和通風系統。系統表面積的減少使得優化熱管理變得更加重要。同時，縮小整體系統體積需要智能系統分割，限度地減少功率部分、儲能和逆變器控制板之間的互連。

　　所有應用的共同要求是整流二極管、無源或有源 PFC 以及電機的逆變器級，如圖 1 所示。需要額外的 PFC 電路來滿足 2012 年制定的能效指令，以開發具有以下功能的應用：更高的效率。

　　圖 2 顯示了嵌入式驅動器的兩個應用，說明了集成逆變器實現的緊湊性。

　　圖 2. 作為嵌入式驅動系統示例的 Wilo 泵和 ebm-papst 風扇。圖片由博多電力系統提供 ［PDF］

　　挑戰在于將具有爬電距離和間隙要求的組件（需要 PCB 上的大量空間）移動到適用其他規則的新位置。這些組件包括 CI + PFC 半導體以及自舉電路、分流器、緩沖電容器等部件。這就是電源模塊發揮作用的地方。電源模塊通常填充有電絕緣硅膠，介電強度為每毫米幾千伏。用硅膠覆蓋組件可以使它們封裝得更密。

　　其中一個障礙是兩條軌道之間的距離，當使用標準 Al2O3 DCB 時，該距離需要 》0.5 mm。對于功率半導體裸片來說，這不是一個問題，但對于電阻器、電容器和二極管等分立元件來說，這變得更具挑戰性，對于 IC 來說更是如此。在這些情況下，Vincotech 的厚膜技術提供了有前途的解決方案，可實現小于 0.5 毫米的細間距。

　　Vincotech 為嵌入式驅動應用提供兩種類型的模塊：僅包含功率半導體的 DCB 模塊和還包含有源和無源元件的厚膜模塊。雖然兩者都基于氧化鋁，但它們的主要區別在于基材厚度以及兩側是否有銅平面。由于 Al2O3 是一種易碎材料，需要小心處理，因此厚膜基板的厚度約為 DCB 的兩倍，約為 1 毫米。此外，它們具有更高的熱阻，因為頂部和底部銅的缺失不允許熱擴散。

　　厚膜模塊基于一種技術，該技術允許在氧化鋁基板上印刷不同的層，然后在 850 °C 下燒制。各種漿料可用于不同的用途，例如用于高功率軌道的低歐姆導體和電阻器漿料，范圍從用于分流器的低值到用于各種電阻器功能的 MΩ 范圍內的高值。

　　激光微調電阻器可提高其精度，而添加玻璃鈍化層可提高其可靠性。

　　圖 3. 比較基于 DCB 的模塊（左）和厚膜模塊（右）。圖片由博多電力系統提供 ［PDF］

　　下圖描述了集成到厚膜模塊中的組件。首先，與標準電源模塊的情況不同，柵極驅動器 IC 的實現包括二極管、電阻器和電容器（這種情況非常罕見）。，以柵極電阻和柵極-發射極電容為例。其他 Vincotech 厚膜產品具有不同的開啟和關閉柵極電阻，以及可選的柵極發射極電阻，用于在沒有電源的情況下對柵極進行放電。

　　圖 4. 厚膜電源模塊的內部電路。圖片由博多電力系統提供 ［PDF］

　　圖 5.不使用 Cge（左）和使用集成 Cge（右）的 EMI 測量。圖片由博多電力系統提供 ［PDF］

　　該電路還包括一個 PFC 電路，該電路具有快速 650 V IGBT 或更快的 Si MOSFET 以及快速 Si 二極管，或者當需要更高的開關頻率和效率時，還包括 SiC 二極管。

　　DC+和DC-之間的陶瓷電容器閉合電源電路內的高頻環路。柵極和發射極之間的電容器進一步改善了 EMI，如圖 5 所示。

　　電容器的放置會對測量值產生很大影響。