“內存刷新”，感覺很術語化，實際上就是對存儲單元進行定期的充電，防止數據丟失。每個存儲單元可以看成一個個電容，或者電池，會漏電。所以在使用的過程中，要定期補充電荷。

通常主板上使用的內存條應該叫做 DRAM ，其中的數據是靠電容特性存儲的。由于電容會放電，要維持數據，就要不斷的給它充電。給 DRAM 定期充電的機制就叫做數據刷新時鐘電路，即內存刷新電路。

SDRAM有兩種刷新方式：auto refresh 和 self refresh，

auto refresh(自動刷新) 是在其使用過程當中每隔一段時間發出刷新指令，SDRAM刷新一行，

self refresh（自刷新）是在省電模式時使用

刷新操作分為兩種：自動刷新（Auto Refresh，簡稱AR）與自刷新（Self Refresh，簡稱SR）。不論是何種刷新方式，都不需要外部提供行地址信息，因為這是一個內部的自動操作。

對于AR， SDRAM內部有一個行地址生成器（也稱刷新計數器）用來自動的依次生成行地址。由于刷新是針對一行中的所有存儲體進行，所以無需列尋址，或者說CAS在RAS之前有效。所以，AR又稱CBR（CAS Before RAS，列提前于行定位）式刷新。由于刷新涉及到所有L-Bank，因此在刷新過程中，所有L-Bank都停止工作，而每次刷新所占用的時間為9個時鐘周期（PC133標準），之后就可進入正常的工作狀態，也就是說在這9 個時鐘期間內，所有工作指令只能等待而無法執行。64ms之后則再次對同一行進行刷新，如此周而復始進行循環刷新。顯然，刷新操作肯定會對SDRAM的性能造成影響，但這是沒辦法的事情，也是DRAM相對于SRAM（靜態內存，無需刷新仍能保留數據）取得成本優勢的同時所付出的代價。

SR則主要用于休眠模式低功耗狀態下的數據保存，這方面最著名的應用就是STR（Suspend to RAM，休眠掛起于內存）。在發出AR命令時，將CKE置于無效狀態，就進入了SR模式，此時不再依靠系統時鐘工作，而是根據內部的時鐘進行刷新操作。在SR期間除了CKE之外的所有外部信號都是無效的（無需外部提供刷新指令），只有重新使CKE有效才能退出自刷新模式并進入正常操作狀態。

自刷新（Self Refresh，簡稱SR）時CKE為低，自動刷新（Auto Refresh，簡稱AR）時CKE為高。