美國英特爾于9日（美國時間）在舊金山舉行的“SEMICON West”上發布了三項與封裝技術相關的新科技。

第一種是“Co-EMIB”技術，它結合了英特爾的封裝技術“EMIB（嵌入式多芯片互連橋接器）”和“Foveros”技術，其中邏輯是三維堆疊的。

EMIB和Foveros使用高密度互連來實現低功耗，高帶寬的芯片到芯片連接。在英特爾，I / O密度與競爭對手的方法類似或更好。

Co-EMIB此次宣布將能夠結合更高的計算性能和功能，特別是在單個芯片中實現多個Foveros堆棧并將它們互連。您還可以使用高帶寬和超低功耗連接模擬，內存和其他“磁貼”。

第二個“全向互連（ODI）”為封裝中芯片之間的通信提供了額外的靈活性，該技術允許頂部芯片與EMIB等其他芯片組合。與Foveros一樣，可以進行平行通信，也可以通過基本芯片中的硅通孔（TSV）進行垂直通信。

利用ODI，可以通過使用大于傳統TSV來直接從封裝襯底向頂部管芯供電，并且由于通孔很大，因此電阻低，同時在提供強大功率的同時實現更寬的帶寬和延遲。另外，因為可以減少基管芯所需的TSV的數量，所以可以進一步確保晶體管的面積，并且可以優化管芯尺寸。

第三個“MDIO”是基于AIB（高級接口總線）PHY級互連的新型管芯間接口。尖端IP塊庫用于實現模塊化系統設計方法。這提供了更好的功率效率，并且是AIB的引腳速度和帶寬密度的兩倍以上。

英特爾先進的封裝技術可實現多芯片與多種工藝技術的集成，而不是將多種功能集成到單個傳統芯片中，芯片的物理尺寸有限據說可以在改善性能，功耗和封裝面積的同時重新思考系統架構。