MRAM是一種非易失性存儲器，可與其他的NVM技術相媲美，如閃存，英特爾的Optane，以及FRAM和RRAM（圖1）。每種NVM都有自己的優缺點。雖然MRAM的擴展性好，但其容量仍遠低于NAND閃存， SSD中的高密度存儲介質大都是NAND閃存。

1.嵌入式MRAM（eMRAM）現在具有競爭力，可以在未來取代NOR閃存等技術。（由Coughlin Associates和Objective Analysis提供）

關于MRAM有很多傳說。有趣的是它有可能取代SRAM，特別是在使用SRAM進行代碼存儲的嵌入式應用中。德州儀器（TI）在其16位MSP430微控制器中使用FRAM進行代碼和數據存儲。然而，FRAM在更精細的幾何形狀方面不能像MRAM那樣擴展，盡管它對于它所占用的空間來說是理想的。

嵌入式MRAM（eMRAM）具有快速讀/寫和高耐用性等優點（圖2）。對于芯片開發商而言，MRAM主要是由硅工藝代工商提供支持的。這使得eMRAM能夠以最小的成本結合到新的芯片設計中。

eMRAM具有讀/寫速度快、耐用性高等優點。（由Intuitive Cognition Consulting提供）

MRAM需要沉積20個獨特的分子層以形成磁隧道結（MTJ，SSDFans蛋蛋注：茅臺酒）。這些需要在芯片制造的蝕刻過程中來維持（圖3）。

MRAM需要沉積20個分子層（頂部）。硅代工廠可以處理這項任務，而不會影響結構。（由Intuitive Cognition Consulting提供）

開發人員還在位單元大小和架構方面進行權衡（圖4）。1T-1MJT單元（左）是最小和最快的，但它具有最低的retention特性。讀取過程可能存在可靠性問題，并且感測放大器更難以設計。1T-1MJT Plus單元比1T-1NJT大30％，但它具有良好的讀性能和較慢的寫性能，具有更好的retention功能。2T-2MJT提供最佳的retention特性，但占用空間也更大。它的感測放大器易于設計;但寫操作可能很棘手。

1T-1MJT單元（左）是最小且最快的，但它具有最低的retention特性。1T-1MJT Plus單元（中間），大30％，寫入速度較慢但retention特性較高。2T-2MJT提供最佳的retention，但占用空間更大。

如今，采用eMRAM代替嵌入式閃存相對容易（圖5）。eMRAM位單元較小，但需要更多的ECC以實現高可靠性。MRAM不需要閃存寫入時所需的高壓支持。MRAM將不再需要較大的高精度電壓基準的感測放大器。此外，MRAM設計通常使用更寬的總線以獲得更好的性能。

eMRAM與嵌入式閃存相比較。雖然MRAM需要更多ECC以實現高可靠性，但它不需要閃存寫入所需的高壓支持。

MRAM的一家供應商是Numem，它為面向的低功耗的eMRAM內核提供IP。他們與所有主要的硅代工廠進行合作。Numem正在展示其中一些代工廠生產的MRAM芯片。

MRAM已經在許多應用中使用，特別是用于存儲系統中的NVM高速緩存，例如SAS / SATA RAID控制器，替代DRAM后，就消除了對超級電容或備用電池的需要。

Everspin Technologies的MRAM技術也用于IBM最新的19-TB FlashCore模塊（FCM）。NVMe SSD使用64層TLC NAND作為主要的存儲介質，MRAM作為緩存。如果使用MRAM代替DRAM或SRAM，這將減少SSD內部電容的數量。該SSD還具有壓縮和安全選項，包括FIPS 140認證。

未來采用eMRAM的SoC將擴展MRAM緩存的市場。由于eMRAM的優勢可以為許多應用提供顯著的競爭優勢，因此大多數新的eMRAM SoC設計都會保密。