串行NETSOL自旋轉移扭矩磁阻隨機存取存儲器STT-MRAM
S3A3204R0M是自旋轉移扭矩磁阻隨機存取存儲器(STT-MRAM)。它具有SPI總線接口、XIP(就地執行)功能和基于硬件/軟件的數據保護機制。SPI(串行外設接口)是帶有命令、地址和數據信號的同步串行通信接口。它比并行接口需要更少的引腳數，并且易于在系統上配置。STT-MRAM可以替代具有相同功能和非易失性的閃存、FeRAM或(nv)SRAM。該器件提供多種SPI模式，允許帶寬擴展選項。
STT-MRAM的SSPI(單SPI)模式有單(1)個命令信號引腳。用戶可以在1引腳、2引腳或4引腳中選擇分配多少引腳給地址和數據信號。STT-MRAM的DSPI(雙SPI)模式為命令、地址和數據信號提供雙(2)引腳。QSPI(四通道SPI)模式為命令、地址和數據信號提供四(4)個引腳。
NETSOL自旋轉移扭矩磁阻隨機存取存儲器STT-MRAM具有非易失性寄存器位——狀態寄存器、配置寄存器、序列號寄存器，增加了512個字節和用于擴充字節的保護寄存器。高電平后上電時，這些寄存器位需要至少置1次溫度回流焊工藝。
STT-MRAM提供小尺寸8引腳WSON、8引腳SOIC和24引腳FBGA三種封裝。這些封裝與類似的低功耗揮發性和非揮發性產品兼容。該器件具有工業(-40°C至85°C)工作溫度范圍。
英尚微電子是一家擁有超過15年行業經驗，集研發、銷售與服務于一體的芯片技術企業。公司提供涵蓋高精度、低功耗及數字接口的芯片產品組合，若您有STT-MRAM產品相關的技術咨詢、選型需求或應用支持，歡迎訪問英尚微電子官方網站獲取進一步信息。
審核編輯 黃宇
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
隨機存取存儲器
+關注
關注
0文章
48瀏覽量
9345
發布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
Everspin EMD4E001G-1Gb自旋轉移扭矩MRAM內存芯片
作為自旋轉移扭矩MRAM技術的先行者，Everspin推出的EMD4E001G芯片將MRAM容量提升至1Gb密度，為企業級SSD、計算存儲及
DRAM動態隨機存取存儲器DDR2 SDRAM內存解決方案
在半導體存儲領域，DRAM動態隨機存取存儲器始終是電子設備性能的核心支撐。作為存儲解決方案的重要組成部分，DDR2 SDRAM內存解決方案憑借其高效的數據處理能力和穩定的運行表現，廣泛應用于通信設備、工業控制及嵌入式系統等領域。
NETSOL代理Parallel STT-MRAM系列存儲芯片
STT-MRAM系列存儲芯片，專為需要快速數據存取與長期穩定保存的嚴苛應用而設計，是替代傳統NOR Flash、FeRAM與nvSRAM等方案的理想選擇。
ISSI 64Mb同步動態隨機存取存儲器深度解析
ISSI 64Mb同步動態隨機存取存儲器深度解析 在電子設計領域，內存芯片的性能和特性對整個系統的運行起著關鍵作用。今天，我們聚焦于ISSI的IS42S16400J和IS45S16400J這兩款
8位I/O并行接口MRAM MR2A08A
在需要高速讀寫與數據永久保存的工業、汽車及高可靠性系統中，存儲器的選擇至關重要。MR2A08A-4Mb磁阻隨機存取存儲器（MRAM）憑借其SRAM兼容的性能、真正的非易失特性以及無限的
Everspin的MRAM芯片存儲技術工作原理
在存儲技術快速迭代的今天，MRAM芯片（磁阻隨機存取存儲器）以其獨特的性能，逐漸成為業界關注焦點。它不同于傳統的閃存或DRAM，利用磁性而非電荷來存
DDR SDRAM是什么存儲器(雙數據速率同步動態隨機存取存儲器介紹)
在計算機和電子設備中，存儲器扮演著數據臨時存放與快速交換的關鍵角色。其中，DDR SDRAM（雙數據速率同步動態隨機存取存儲器）已成為現代內存的主流技術之一。它不僅在速度上顯著超越前代產品，更憑借其高效傳輸機制，廣泛應用于電腦、服務器
SRAM與DRAM的結構差異和特性區別
在內存技術持續革新的今天，SRAM（靜態隨機存取存儲器）和DRAM（動態隨機存取存儲器）依然是計算系統中最核心的存儲組件。盡管出現了MRAM、ReRAM等新興
DRAM動態隨機存取器的解決方案特點
在當今高速發展的3C領域（計算機外設、通信及消費電子），對存儲器的性能與功耗提出了更高要求。DRAM動態隨機存取存儲器作為核心存儲部件，其性能表現直接影響設備整體效能。Etron憑借其活緩沖DRAM
串行接口MRAM存儲芯片面向工業物聯網和嵌入式系統的應用
英尚微電子所代理的Everspin xSPI串行接口MRAM存儲芯片，基于最新的JEDEC xSPI標準與獨有的STT-MRAM技術構建，這款串行
MRAM存儲器EMD4E001G-1Gb的優勢介紹
在當今對數據持久性與系統可靠性要求極高的企業基礎設施和數據中心中，Everspin推出的自旋轉移扭矩MRAM（STT-MRAM）存儲器——E
SOT-MRAM的獨特優勢
作為磁阻存儲器領域的重要分支，SOT-MRAM因其獨特的寫入機制與結構設計，正成為高性能MRAM研發的熱點方向。該技術利用具有強自旋軌道耦合
簡單認識高帶寬存儲器
HBM（High Bandwidth Memory）即高帶寬存儲器，是一種基于 3D 堆疊技術的高性能 DRAM（動態隨機存取存儲器）。其核心設計是通過硅通孔（TSV）和微凸塊（Microbump
SK海力士僅選擇器存儲器(SOM)的研發歷程
人工智能與高性能計算（HPC）正以空前的速度發展，將動態隨機存取存儲器（DRAM）和NAND閃存等傳統存儲技術發揮到極致。為了滿足人工智能時代日益增長的需求，業界正在探索超越傳統存儲技術的新興
工商網監
評論