国产精品久久久aaaa,日日干夜夜操天天插,亚洲乱熟女香蕉一区二区三区少妇,99精品国产高清一区二区三区,国产成人精品一区二区色戒,久久久国产精品成人免费,亚洲精品毛片久久久久,99久久婷婷国产综合精品电影,国产一区二区三区任你鲁

0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發帖/加入社區
會員中心
創作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

存儲器價格為什么開始下降?

uwzt_icxinwensh ? 來源:未知 ? 作者:李倩 ? 2018-11-18 10:43 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

從2016年第二季度開始,存儲器價格一路飆升,每個季度都在刷新著銷售額紀錄。

這一波漲價趨勢,也著實“養肥”了不少存儲器大廠。根據市場分析機構IC insights最新的報告顯示,三星憑借著強勢的存儲器業務已經力壓英特爾,連續兩年坐上了半導體銷售排行榜的龍頭寶座。此外,今年SK 海力士也是憑借其存儲業務,將臺積電擠下了前三的位置。

一方面,這一波漲價潮讓存儲器廠商獲利不少,但同時也讓終端廠商嘗到了切膚之痛,成本大增,利潤降低了不少。

現在廠商和消費者們終于熬到了頭,近日,市場研究機構DRAMeXchange指出,10月份的DRAM合約價已經正式走跌,除了宣告DRAM價格漲勢告一段落,供過于求加上高庫存水位的影響將導致價格跌幅劇烈。

存儲器價格為什么開始下降?

2017年底到2018年發生了什么,為什么存儲器的價格會有所下降?主要有以下幾點原因。

一是,市場對存儲器的需求有所放緩。集微網記者了解到,英特爾14納米x86 CPU 產能短缺,比特幣價格下跌造成的中低端挖礦機需求不振,及新興市場貨幣貶值造成的中低端手機銷售不佳,造成明年內存DRAM和閃存NAND預計將會有3-5%的供過于求。

二是,由于前兩年價格一路看漲的趨勢,各大內存廠產能“剎不住車”,導致NAND Flash快閃存儲器和DRAM價格開始持續走低,終結了持續兩年的市場供應緊俏狀況。

三是,從2016年開始,全球各大存儲芯片廠商紛紛開始升級,而供不應求的情況正是出現在技術轉換期內。而現在,隨著三星開始量產96層3D NAND芯片,東芝、西數也宣布量產96層QLC閃存顆粒等,也宣告技術轉換期的結束。

四是,來自客戶的壓力。手機廠商貢獻了全球三分之一的存儲芯片需求,許多手機廠商一直在對存儲器供應商施壓,想讓他們降低價格。

存儲器價格下降預計不超過18個月

然而,即便是近期存儲器的價格有所放緩,手機廠商們也不用太高興。據業內人士分析,此次價格下降趨勢預計不超過18個月。

據了解,英特爾14納米x86 CPU 短缺狀況應會于明年中之前改善,10納米x86 CPU應于明年下半年量產,AMD 7納米x86 CPU,7納米挖礦機及智能手機5G手機等都將于明年上市取代中低端機型及對存儲器半導體產生正面影響。因此可以預估大多數的內閃存存儲器半導體公司會面對營業利潤率從近50%的高位下滑,但卻不至于步入虧損。

并且,存儲器廠商們也有進行一定的措施防止價格下滑太嚴重。

近日,韓國存儲器大廠SK海力士表示,為了應對2019年包括NAND Flash快閃存儲器及DRAM的價格下跌,公司決定不但將自2018年底前開始減少投資規模,還將監控并調整2019年的產能。

同時,韓媒Digital Daily報道也稱,三星電子降低了利潤較低的移動DRAM生產比重,提高了利潤更高的DRAM供給,并且今年不會再進行DRAM和NAND Flash的新產線投資。

而另一個內存大廠美光由于存儲器需求和價格同步下滑,將會囤積庫存,以放緩其價格下跌的速度。根據美光的說法,控制產能之外還會加速研發,以此來搶占未來DRAM的高端市場,其16Gb DDR5芯片會在2019年底量產,基于18nm以下工藝,這就意味著,搭載DDR5內存模組的系統最快2020年面世。

“趕了個晚集”的中國廠商

但是,中國廠商似乎并沒有嘗到漲價潮的福利。

目前,國內存儲器主要依靠進口,數據顯示,我國每年進口的存儲器金額約為600億美元。存儲器可以說是扼住了中國半導體發展的咽喉。為此,國家下定決心發展存儲器產業。

國產存儲器廠商最近一段時間更是沒有閑著,在國內呼喚芯片等科技自主的聲音里,早就開始加快科研與投產進度。雖然還沒有給傳統存儲器廠商帶來實質影響,但也足夠給存儲器市場帶來一劑降溫藥。

最新的消息來自于長江存儲,其32層3D NAND將于今年底前投入量產,也就是現在了,并要爭取實現每月30萬片晶圓的產能。另外,兩天前爆出消息,有業界人士透露,長江存儲Xtacking架構的64層NAND樣品已經送至合作伙伴進行測試,讀寫質量大致穩定,預計最快將在2019年第3季投產。長江存儲更計劃在2020年跳過96層3D NAND,直接進入128層堆疊。

在產能方面,長江存儲武漢存儲基地一期已經投入生產,原本該工廠計劃的是10萬片產能,但實際可以做到15萬。為了進一步擴大生產規模,武漢存儲基地二期和紫光成都存儲器制造基地已經開工,正在不斷擴大生產規模。

福建晉華最近則是傳出了不好的消息。由于與聯電有緊密的合作關系,共同研發DRAM,當被卷入聯電與美光的知識產權糾紛時,麻煩隨之而來,美國政府找各種理由,禁止美國等半導體設備廠商將相關設備和技術出售給福建晉華,隨之而來的是,聯電也中止了與晉華的合作。

合肥長鑫方面,則是在今年7月正式投片了DRAM,啟動試產8Gb DDR4工程樣品。這也是第一個中國大陸自主研發的DRAM芯片。

現在,國內存儲器廠商真正“見真功”和“花大錢”的時候到了。不過目前來看,國內三大存儲器廠商由于技術原因,與國際大廠的差距還很明顯,想要趕上漲價潮的紅利還需努力!

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
  • DRAM
    +關注

    關注

    41

    文章

    2392

    瀏覽量

    189132
  • 存儲器
    +關注

    關注

    39

    文章

    7738

    瀏覽量

    171650
  • cpu
    cpu
    +關注

    關注

    68

    文章

    11277

    瀏覽量

    224944

原文標題:存儲器價格降溫?或許只是長達18個月的“美夢”

文章出處:【微信號:icxinwenshe,微信公眾號:芯聞社】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    【案例5.1】存儲器選型的考慮要點

    【案例5.1】存儲器選型的考慮要點某設計,用戶接口數據傳輸速率為10Gbps,每8個字節的數據對應一次查表需求,數據表存儲在由DDR4SDRAM組成的存儲器中。工程師需綜合考慮各方面要求,進行
    的頭像 發表于 03-04 17:20 ?173次閱讀
    【案例5.1】<b class='flag-5'>存儲器</b>選型的考慮要點

    FIFO存儲器的種類、IP配置及應用

    FIRST IN FIRST OUT (先入先出)。顧名思義,FIFO是一個數據具有先進先出的存儲器
    的頭像 發表于 01-13 15:15 ?368次閱讀
    FIFO<b class='flag-5'>存儲器</b>的種類、IP配置及應用

    瑞薩RA系列FSP庫開發實戰指南之常用存儲器介紹

    存儲器是計算機結構的重要組成部分。存儲器是用來存儲程序代碼和數據的部件,有了存儲器計算機才具有記憶功能。基本的存儲器種類見圖21_1。
    的頭像 發表于 01-12 06:21 ?7194次閱讀
    瑞薩RA系列FSP庫開發實戰指南之常用<b class='flag-5'>存儲器</b>介紹

    存儲器缺貨潮下的產業新局:力積電成焦點,功率半導體迎聯動機遇

    全球存儲器缺貨、價格飆漲的風口下,力積電的銅鑼新廠成了國際大廠爭搶的核心資源 —— 繼晟碟之后,美光也正在與力積電洽談合作,希望借助這座已建成、仍有 4-5 萬片月產能余量的工廠快速落地存儲器產能,雙方已敲定三種合作方向,只待力
    的頭像 發表于 12-22 11:43 ?2969次閱讀
    <b class='flag-5'>存儲器</b>缺貨潮下的產業新局:力積電成焦點,功率半導體迎聯動機遇

    DDR SDRAM是什么存儲器(雙數據速率同步動態隨機存取存儲器介紹)

    在計算機和電子設備中,存儲器扮演著數據臨時存放與快速交換的關鍵角色。其中,DDR SDRAM(雙數據速率同步動態隨機存取存儲器)已成為現代內存的主流技術之一。它不僅在速度上顯著超越前代產品,更憑借其高效傳輸機制,廣泛應用于電腦、服務
    的頭像 發表于 12-08 15:20 ?1247次閱讀

    CW32L052 FLASH存儲器介紹

    概述CW32L052內部集成了64KB嵌入式FLASH供用戶使用,可用來存儲應用程序和用戶數據。 芯片支持對 FLASH 存儲器的讀、擦除和寫操作,支持擦寫保護和讀保護。 芯片內置 FLASH 編程
    發表于 12-05 08:22

    雙口SRAM靜態隨機存儲器存儲原理

    在各類存儲設備中,SRAM(靜態隨機存儲器)因其高速、低功耗和高可靠性,被廣泛應用于高性能計算、通信和嵌入式系統中。其中,雙口SRAM靜態隨機存儲器憑借其獨特的雙端口設計,在高帶寬和多任務場景中表現尤為出色,成為提升系統效率的重
    的頭像 發表于 11-25 14:28 ?548次閱讀

    芯源的片上存儲器介紹

    片上FLASH 閃存由兩部分物理區域組成:主FLASH 存儲器和啟動程序存儲器。 ●● 主 FLASH 存儲器,共 64KB,地址空間為 0x0000 0000 - 0x0000 FFFF。該區
    發表于 11-12 07:34

    Everspin存儲器8位并行總線MRAM概述

    在需要高速數據寫入與極致可靠性的工業與數據中心應用中,Everspin推出的8位位并行接口MRAM樹立了性能與耐用性的新標桿。這款Everspin存儲器MRAM與SRAM引腳兼容的存儲器,以高達35
    的頭像 發表于 10-24 16:36 ?651次閱讀

    鎧俠第九代 BiCS FLASH? 512Gb TLC 存儲器開始送樣

    融合現有存儲單元與先進的 CMOS 技術,實現投資效益最大化 ? 全球存儲解決方案領導者鎧俠宣布,其采用第九代 BiCS FLASH? 3D 閃存技術的 512Gb TLC存儲器開始
    發表于 07-28 15:30 ?716次閱讀

    簡單認識高帶寬存儲器

    HBM(High Bandwidth Memory)即高帶寬存儲器,是一種基于 3D 堆疊技術的高性能 DRAM(動態隨機存取存儲器)。其核心設計是通過硅通孔(TSV)和微凸塊(Microbump
    的頭像 發表于 07-18 14:30 ?4285次閱讀

    存儲器IC的應用技巧 【日 桑野雅彥】

    UV-EPROM的結構與使用方法,閃速存儲器的結構與使用方法,EEPROM的結構與使用方法, SRAM的結構與使用方法, 特殊的SRAM的結構與使用方法 ,DRAM的結構與使用方法,
    發表于 04-16 16:04

    瑞薩RA系列MCU FSP庫開發實戰指南(09)存儲器映射

    3.3 存儲器映射 前文所述,寄存與RAM、FLASH一樣都是芯片內部的一種存儲設備。那么,當我們需要訪問它們的時候,我們需要知道它們的存儲地址。 3.3.1
    的頭像 發表于 04-16 15:52 ?1594次閱讀
    瑞薩RA系列MCU FSP庫開發實戰指南(09)<b class='flag-5'>存儲器</b>映射

    扒一扒單片機與存儲器的那些事

    單片機與存儲器的關系像什么?單片機里的存儲都是一樣的嗎?為什么有的單片機既有EEPROM又有Flash?
    的頭像 發表于 04-10 10:06 ?1665次閱讀
    扒一扒單片機與<b class='flag-5'>存儲器</b>的那些事

    存儲器IC的應用技巧 [日 桑野雅彥]

    本書主要介紹了UV-EPROM的結構和使用方法,閃速存儲器的結構和使用方法,EEPROM的結構和使用方法, SRAM的結構與使用方法,特殊的SRAM的結構與使用方法,DRAM的結構與使用方法,
    發表于 03-07 10:52