芯塔電子最新推出650V/185mΩ多封裝SiC MOSFET，為工業與消費級應用提供高性能解決方案。該系列產品兼具高耐壓、低損耗與高頻開關特性，適用于工業電源、電動汽車充電、光儲逆變器等多種場景。

新品提供三種封裝選擇，滿足不同應用場景的安裝與散熱需求：TM3G0180065N采用DFN5*6封裝，適用于高功率密度設計；TM3G0180065E采用TO-252-2封裝，具有良好的散熱性和焊接可靠性；TM3G0180065F則采用TO-220F-3封裝，適合中大功率場景，支持更高的連續電流輸出。三款產品均支持-55℃至+175℃的工作溫度范圍，且符合RoHS環保標準。

產品靜態特性優異，柵極閾值電壓典型值為3.9V，跨導達到5S，確保了器件的高效驅動能力。在動態特性方面，產品輸入電容429pF，輸出電容32pF，反向傳輸電容僅3pF，總柵極電荷14.8nC。開關參數表現突出，導通延遲29.2ns，關斷延遲46.1ns，總開關能量低至82.8μJ，有效降低開關損耗，提升系統效率。

產品優勢突出：首先，其快速本征二極管具有低反向恢復電荷（典型值68nC），有效減少了開關過程中的能量損耗；其次，器件支持-10V至+22V的寬柵極電壓范圍，增強了系統設計的靈活性；此外，產品可在-55℃至+175℃的寬溫度范圍內穩定工作，滿足嚴苛環境下的應用需求。這些特性使得該系列MOSFET特別適用于高頻、高效率的功率轉換系統，有助于提升系統功率密度，降低散熱需求。

該產品系列現已量產供貨，歡迎登錄芯塔電子官網www.topelectronics.cn或致函芯塔電子銷售郵箱sale.topelectronics.cn獲取詳細技術資料和樣品支持。