芯塔電子最新推出650V/380mΩ多封裝SiC MOSFET。為工業與消費電子應用提供高性能解決方案。該系列產品導通電阻典型值僅為316mΩ，兼具高耐壓、低損耗與高頻開關特性，適用于工業電源、電動汽車充電、服務器電源、光儲逆變器及UPS等多種場景。

新品提供三種封裝選擇，滿足不同應用場景的安裝與散熱需求：TM3G0380065N采用DFN5*6封裝，適用于高功率密度設計；TM3G0380065E采用TO-252-2封裝，具有良好的散熱性和焊接可靠性；TM3G0380065F則采用TO-220F-3封裝，適合中大功率場景，支持更高的連續電流輸出。三款產品均支持-55℃至+175℃的工作溫度范圍，且符合RoHS環保標準。

電氣性能方面，該系列在25℃時連續漏極電流達12A（TO-220F-3）或13A（DFN5 * 6），柵極電荷量低至8.7nC，可顯著降低開關損耗。其體二極管反向恢復時間僅9ns，能有效減少高頻應用中的電壓振蕩。動態特性測試顯示，在400V/4A條件下開關延遲時間不足20ns，配合優化的熱阻參數，大幅降低了系統散熱需求。

該系列產品在高溫環境下表現穩定，175℃時仍保持優良的導通特性。柵極閾值電壓典型值為3.6V，支持-4V至+18V的寬電壓驅動范圍，內置保護功能提升了系統可靠性。測試數據表明，產品在不同溫度條件下均呈現穩定的輸出特性，適合嚴苛工況下的長期運行。

該產品現已量產供貨，歡迎登錄芯塔電子官網www.topelectronics.cn或致函芯塔電子銷售郵箱sale.topelectronics.cn獲取詳細技術資料和樣品支持。