芯塔電子最新推出650V/260mΩ多封裝SiC MOSFET，為工業與消費電子應用提供高性能解決方案。該系列產品兼具高耐壓、低損耗與高頻開關特性，適用于工業電源、電動汽車充電、數據中心電源、光儲逆變器及UPS等多種場景。

新品提供三種封裝選擇，滿足不同應用場景的安裝與散熱需求：

TM3G0260065N采用DFN 5*6封裝，在緊湊空間內實現了高功率密度與優異散熱性能的完美平衡;TM3G0260065E采用TO-252-2封裝，具有良好的散熱性和焊接可靠性;TM3G0260065F則采用TO-220F-3封裝，適合中大功率場景，支持更高的連續電流輸出。三款產品均支持-55℃至+175℃的工作溫度范圍，且符合RoHS環保標準。

在電氣性能方面，該系列產品在15V柵極驅動下導通電阻低至260mΩ，有效降低導通損耗。其靜態特性優異，如閾值電壓典型值為4.2V，且在高結溫條件下仍保持穩定性。動態特性上，輸入電容僅為298pF，柵極電荷低至12.5nC，有助于實現高速開關并減少開關損耗。此外，內置體二極管具備低反向恢復電荷(Qrr典型值32.4nC)，可顯著降低反向恢復帶來的能量損失。

開關性能方面，在400V總線電壓和5A負載條件下，典型導通延遲時間為6.4ns，上升時間為18.1ns，總開關能量低至48.4μJ，有助于提升系統頻率和功率密度。產品還具備高可靠性，雪崩能量耐受達25mJ，且熱阻低至2.23℃/W(DFN封裝)，能夠有效降低散熱需求。

芯塔電子此次發布的SiC MOSFET系列通過優化器件結構和封裝工藝，在效率、散熱和系統成本間取得良好平衡，為下一代高效功率轉換系統提供了可靠選擇。該系列產品現已量產供貨，歡迎登錄芯塔電子官網www.topelectronics.cn或致函芯塔電子銷售郵箱sale.topelectronics.cn獲取詳細技術資料和樣品支持。