南亞科技近日首度對外界披露其定制化AI內存的研發進度。公司表示，正與多家邏輯IC廠及生態系伙伴合作，部分產品已進入試產階段，預計今年下半年將浮現更多具體成果。

此次南亞科技主推的技術為 UltraWIO（Ultra Wide I/O，超寬輸入輸出介面）架構內存。該架構并非JEDEC標準的DRAM產品，而是與客戶的AI運算引擎（AI Engine）緊密整合的客制化方案。其概念類似于高帶寬內存（HBM）與GPU之間的協作模式，通過大幅增加數據通道數與帶寬，解決AI運算中的數據存取效率瓶頸。

在物理整合上，UltraWIO將采用 3D堆疊與先進封裝技術，未來可能導入Wafer-on-Wafer（WoW）技術，其中第一層DRAM堆疊將由南亞科技自行完成，邏輯芯片則由合作伙伴設計。

針對市場布局，南亞科技指出，現階段AI運算仍以GPU搭配HBM為主流，但隨著AI推理需求快速增長，未來不一定所有應用都采用HBM，可能會出現更多內存架構組合，例如GDDR、Local Memory及客制化內存。隨著AI PC、AI手機及各類終端AI裝置需求升溫，南亞科技期望通過 UltraWIO客制化內存與ASIC的異質整合，在新興AI終端運算市場建立技術壁壘。

此前，南亞科技總經理李培瑛表示，AI 應用內存的四大關鍵元素分別是高密度先進 DRAM、3D TSV 硅通孔工藝與多芯片封裝、HBM 設計能力、邏輯 Base Die。

南亞科技目前已完成高密度先進 DRAM 技術部署，正同伙伴補丁科技、福懋科技一道推進 TSV 和封裝，HBM 設計和邏輯制程 Base Die 則將以戰略性投資與合作形式實現。其定制化 DRAM 項目預計最快可在 2026 年取得驗證，2026 年底至 2027 年貢獻業績。