黃晶晶綜合整理

近日，中微半導體（深圳）股份有限公司表示，即將推出首款非易失性存儲器芯片。 l

本次新產品的發(fā)布，是公司實施“MCU+”戰(zhàn)略的最新成果，填補了公司在 Flash 領域的產品空白，標志著公司正式向 Flash 領域邁出實質性一步，體現了公司技術創(chuàng)新能力和產品開發(fā)能力的拓展，進一步豐富了公司產品矩陣和產品形態(tài)，拓寬了公司產品應用場景和使用范圍，將有助于鞏固和提升公司綜合競爭力，對公司未來發(fā)展將產生積極的影響。

公司首款非易失性存儲芯片，產品型號為 CMS25Q40A，容量為4Mbit 的SPI NOR Flash 芯片，存儲陣列劃分為 2048 個可編程頁，每頁容量為256 字節(jié)。單次編程操作最多可寫入 256 字節(jié)數據。支持多種擦除方式，包括4 頁一組的1KB 扇區(qū)擦除、16 頁一組的 4KB 扇區(qū)擦除、128 頁一組的32KB 塊擦除、256頁一組的 64KB 塊擦除，以及整片擦除。具有低成本、低功耗、SPI 高速讀寫、掉電不丟失等特點，適配小存儲需求場景，包括嵌入式MCU 程序存儲、小型智能硬件配置存儲、低功耗 IoT 終端存儲以及外設/模塊配套存儲等場景。

具體性能參數如下：
1.采用單電源供電，電壓范圍為 1.65V 至 3.6V。
2.全系列產品均采用小型封裝，節(jié)省空間。
3.支持標準串行外設接口（SPI），同時兼容高性能的雙路/四路輸出模式以及雙路/四路輸入輸出（I/O）SPI 模式。
4.支持最高 120MHz 的 SPI 時鐘頻率。
5.芯片配備保持引腳、寫保護引腳，并支持可編程寫保護功能，可靈活控制存儲陣列的頂部、底部或互補區(qū)域的寫保護狀態(tài)。
6.支持標準 SPI 及高性能雙路/四路 I/O/SPI 接口，兼具靈活的擦寫方式與可靠的保護機制。
7.安全特性：配備 4×256=1024 字節(jié)安全存儲器、支持一次性可編程鎖定，內置 64 位唯一序列號。





不過，中微半導表示，公司本次發(fā)布的非易失性存儲芯片，但尚未進行市場推廣，未來要實現大規(guī)模銷售，尚需通過更多客戶對該產品進行試用和評估，存在市場推廣與客戶開拓不及預期的風險。

存儲芯片市場由 DRAM、NAND Flash 和 NOR Flash、EEPROM 等細分市場組成，其中 DRAM 和 NAND Flash 占據了存儲芯片市場的主要份額，NOR Flash市場規(guī)模相對較小且競爭日趨激烈。國內主要參與者包括兆易創(chuàng)新和普冉股份等上市公司，它們已經在存儲芯片領域深耕多年，具有技術積累深厚、產品系列化 完善、市場品牌度高和客戶認可的優(yōu)勢，公司作為存儲芯片市場新進入者，如果公司不能及時完善產品系列化或未能較好地應對外部競爭壓力，可能面臨虧損性推廣而存在影響公司整體盈利能力的風險。