近日，存儲芯片設計公司芯天下技術股份有限公司向港交所遞交上市申請書。

芯天下專注代碼型閃存芯片的研發、設計和銷售，以Fabless模式為客戶提供從1Mbit至8Gbit寬容量范圍的代碼型閃存芯片。根據灼識咨詢的資料，該公司是業內代碼型閃存芯片產品覆蓋最全面的少數廠商之一，也是國內少數能同時滿足客戶NOR Flash和SLC NAND Flash產品需求的廠商。

芯天下主要提供代碼型閃存芯片、模擬芯片及MCU。這些獨立功能單元可與閃存芯片產品形成協同效應，通過優化產品應用性能為客戶提 供更具成本效益的可靠解決方案。我們的產品具有性能指標優異、可靠性高、兼容性 強等特點，被廣泛應用于網絡通訊、AI通訊、消費電子產品、智能家居、物聯網、工業 醫療、汽車電子產品及計算機與周邊設備等多個領域。

2025年前9個月實現扭虧

營收和凈利潤方面，芯天下于2023年、2024年及截至2025年9月30日止九個月的收入分別為人民幣662.9百萬元、人民幣442.1百萬元及人民幣379.1百萬元。同期，毛利分別為人民幣102.7百萬元、人民幣61.9百萬元及人民幣71.3百萬元，相應毛利率分別為 15.5%、14.0%及18.8%。

于2023年及2024年分別錄得虧損凈額人民幣14.0百萬元及人民幣37.1百萬元。截至2025年9月30日止九個月，錄得凈利潤人民幣8.4百萬元，而 2024年同期則錄得虧損凈額人民幣18.8百萬元。

芯天下的營收主要來自NOR、SLC NAND及MCP產品，以及模擬IC和MCU產生收入。

圖：各產品線銷售金額

圖：各產品線銷量及平均售價

圖：各產品線毛利潤

來自銷售代碼型閃存芯片的收入分別占往績記錄期各期間總收入約95.6%、94.5%及93.8%。

圖：代碼型閃存芯片營收占比超90%

代碼型閃存芯片市場

全球閃存芯片的市場規模預計將于2030年達888億美元，2024年至2030年的復合年增長率達4.5%。在此情況下，AI技術在邊緣設備中的加速滲透為代碼型閃存芯片帶來強勁的市場動能，該種芯片為提升本地化代碼存儲與執行的即時效能及可靠性的關鍵元件。因此，代碼型閃存芯片的整體閃存芯片市場份額持續增加，由2020年的6.1%增至2024年的7.2%，并預期于2030年達9.3%。

代碼型閃存芯片主要分為NOR Flash和SLC NAND Flash兩類。NOR Flash通常用于中小容量代碼的存儲和快速讀取，以及5G基站、汽車電子等對可靠性要求較高的應用場景；SLC NAND Flash通常用于大容量代碼的存儲和快速擦寫操作。

以收入計，全球NORFlash和SLC NAND Flash的市場規模分別從2020年的19億美元和17億美元增長至2024年的28億美元和21億美元，預計將于2030年分別增長至44億美元和39億美元，2024至2030年復合年增長率分別達到8.1%和10.4%。

隨著各行業數字化、智能化進程的推進，全球范圍內各個下游應用場景對代碼型閃存芯片的需求不斷增長，推動市場規模持續擴容。其中，網絡通訊、智能家居、工業、消費電子、汽車電子是當前代碼型閃存芯片的核心應用場景，2024年對應的市場規模占整體代碼型閃存芯片市場規模分別為21.6%、6.8%、15.7%、25.2%及21.7%。

中國作為全球領先的制造大國，其龐大的智能終端制造需求為代碼型閃存芯片帶來了廣闊的市場機遇，推動代碼型閃存芯片市場規模不斷擴張。2020年至2024年，中國代碼型閃存芯片市場規模從19億美元增至26億美元，復合年增長率為8.9%。預計到2030年，中國代碼型閃存芯片市場規模將達到46億美元，占全球市場的55.4%，復合年增長率為9.9%。與此同時，中國芯片企業憑借對本土應用場景的深刻理解、核心技術的持續研發突破以及產業鏈協同能力的穩步增強，在產品性能和成本效益方面的競爭力顯著提升，進而受到下游廠商的青睞，自身市場份額預計也將隨之顯著擴大。

2024年以收入計，全球代碼型閃存芯片市場的無晶圓廠企業市場規模達1,427.8百萬美元。2024年以代碼型閃存芯片收入計，芯天下在全球所有無晶圓廠企業中排名第六，市場份額為3.7%。

2024年，以收入計全球SLC NAND Flash及NOR Flash市場的無晶圓廠企業市場規模分別達到463.2百萬美元及964.6百萬美元。于2024年，以SLC NAND Flash收入計，芯天下在全球所有無晶圓廠企業中排名第四，市場份額為6.6%。于2024年以NOR Flash收入計，芯天下在全球所有無晶圓廠企業中排名第五，市場份額為2.3%。

產品系列

NOR Flash：芯天下NOR Flash產品存儲容量介乎1 Mbit至2 Gbit，專為存儲及高速隨機存取中小容量代碼而設計。我們提供多元化的NOR Flash產品組合，采用ETOX與 NORD工藝平臺，以實現可靠性、低功耗與緊湊設計的最佳平衡。我們的NOR Flash產品 的優秀性能使其適用于多種不同應用領域，包括通信基礎設施、工業電子產品及大眾 市場的消費電子設備。

SLC NAND Flash：我們的SLC NAND Flash產品主要采用2xnm工藝節點，存儲容量介乎1 Gbit至8 Gbit，與NOR Flash相比存儲容量與成本效益均更高。利用專利錯誤校正技術，我們的SLC NAND Flash產品提供穩定性能與長期數據完整性，同時維持低功耗。該等特點使我們的SLC NAND Flash適用于需要在持續運作環境下維持高穩定性與能源效益的應用。

MCP：為應對在小型產品中對高速數據傳輸日益增長的需求，我們亦將SLC NAND Flash與DRAM集成以開發MCP解決方案。

其他模擬芯片：我們的模擬芯片產品線涵蓋電機驅動芯片和電源管理芯片。我們的通用型電機驅動芯片可用于驅動直流有刷電機以及步進電機，滿足多樣化的電機控制需求。我們的電源管理芯片主要覆蓋充電管理芯片、DC-DC轉換器、線性穩壓器以及過流 過壓保護器。

MCU：我們提供8bit及32bit MCU，主要用于各大家電。MCU在與我們的閃存芯片及模擬芯片搭配使用時形成一個完整的功能單元，可以滿足客戶多樣化的應用需求。

優化高可靠性、高集成、大容量等技術方向

芯天下致力推動行業的技術進步和生態建設。是國家行業標準《半導體集成電路快閃存儲器(FLASH)》的主要參與制定者，與行業伙伴在產品定義、關鍵技術要求、測 試檢驗方法等方面共同推動中國快閃存儲器技術規范的標準化進程。以一線客戶需求為導向，聚焦行業痛點問題，持續開展技術創新和產品迭代，在多個方向實現技術突破，引領行業往高可靠性、高集成、大容量等方向發展。

? 高可靠性技術： 針對NOR Flash業界長期存在的「單比特電荷丟失」難題，公司自主研發增強型閃存編程技術。亦通過創新性地設計擦寫狀態實時監控和記錄機制，結合擦除冗余備份，實現對壞塊區域的無感修復和動態替換。因此，這些技術將NOR Flash的擦除壽命有效延長2倍，提升了產品可靠性。結合主芯片主動管理方案，有效解決各類因素導致的電荷丟失問題。在基站通信、服務器、工業照明控制等需要存儲芯片在高溫環境下長期工作且保持高 可靠性的應用場景，該技術顯著提高了存儲芯片的數據保持能力，使超長時間數據存儲的失效比例趨近于0 PPM。

? 先進封裝與集成設計：2016 年，芯天下推出全球尺寸最小的BGA24 封 裝SLC NAND Flash，在同等容量條件下實現PCB占用面積縮減70%。2020年，創新推出業界首款的NOR MCP集成化產品，將NOR Flash和PSRAM集成為MCP模 組，滿足物聯網行業對芯片小型化的迫切需求。2019年和2022年，先后在 32Mbit和 64Mbit容量段率先分別推出DFN8 2x3x0.55mm和DFN8 2x3x0.4mm NOR Flash產品，同時縮小了芯片面積和封裝面積，成為當時行業內55nm工藝NOR Flash中尺寸最小的產品。2019年，獲評年度最佳國產存儲芯片產品獎， 精準匹配下游智能穿戴產品輕薄化發展趨勢。2022年，芯天下通過優化芯片設 計和采用先進封裝方式，率先實現2Mbit全球最小尺寸和最小功耗的FODFN6 1.2x0.7x0.4mm NOR Flash的量產，持續強化其在芯片尺寸和集成度方面的領先優勢。

? 大存儲容量： 面向系統啟動速度快、可靠性要求高，且固件及代碼量大的應用 場景，高可靠性、大存儲容量的SPI NOR Flash產品長期被海外廠商壟斷。我們 通過封裝技術創新，采用多芯片堆棧封裝設計，在不增加芯片面積前提下實現 容量提升，并引入位線冗余和存儲陣列冗余設計來提升大容量產品的量產良率。 已成功實現基于ETOX 55nm工藝的512Mbit、1Gbit及2Gbit SPI NOR Flash的 量產，成為國內唯二能夠提供2Gbit超大容量SPI NOR Flash的存儲芯片設計公司，被廣泛應用于通信基站、AI服務器等應用場景。

憑借卓越的產品性能、高可靠性和成本優勢，芯天下的產品已成功進入包括全球五大通訊設備廠商、全球三大OLED顯示設備廠商和全球三大家電廠商在內的全球多領域藍籌客戶的供應鏈體系并穩定合作，實現大批量交付和廣泛應用。截至2025年9月30日，芯天下產品已被超過2,300家終端客戶應用于多元化的應用領域，涵蓋網絡通訊、AI通訊、消費電 子產品、智能家居、物聯網、工業醫療、汽車電子產品、計算機與周邊設備等。

工藝平臺比較

與傳統的ETOX工藝相比，NORD平臺在功耗、擦寫性能、數據保持力和單元尺寸方 面具有顯著優勢。相較于SONOS平臺，NORD平臺在高溫可靠性方面表現優異，特別適 用于反覆擦寫、高溫和高可靠性的應用場景。根據灼識報告，行業內基于NORD工藝平 臺開發的NOR Flash產品在-40oC至125oC寬溫范圍內表現出優異的數據保持力，單顆芯片支持超過20萬次的擦寫壽命，在25oC環境下數據有效性可超過20年，最高可達50年。運用NORD工藝平臺，可進一步提升產品性能，從而擴展在通訊基站與汽車電子等高門檻領域的可觸達市場。通過利用NORD技術實現更小的存儲單元尺寸和更少的光罩層數，亦降低了芯片制造成本、實現成本優化和改善產品毛利率。

? 大容量覆蓋：在NOR Flash領域，基于成熟的ETOX工藝平臺，芯天下已構建1Mbit 至2Gbit的大容量產品系列。此外，在NORD技術上取得突破，已實現65nm 制程64Mbit容量的生產，55nm制程128Mbit至2Gbit產品研發取得關鍵性進展， 將在中小容量領域為客戶提供更具成本競爭力、更高可靠性和更低功耗的產品選擇。在SLC NAND產品在線，其產品容量范圍覆蓋1Gbit至8Gbit，并在 20nm先進工藝節點布局大容量的32Gbit產品研發，為新一代通信領域等高端應 用場景打開市場。

? 全電壓適配：公司閃存產品支持3.3V標準電源供電（適用于光纖網絡單元、 路由器和其他通訊設備）、1.8V鋰電池供電（適配可穿戴設備、通信基站等）以 及1.65V至3.6V寬電壓范圍應用。

借鑒全球領先的通用型芯片公司的發展經驗，芯天下提出「存儲+」戰略，將業務拓展至模擬芯片和MCU領域。構建了從「供 電（輸入）— 控制 — 存儲 — 驅動（輸出）」的完整解決方案，為客戶提供更全面的產品支持，進一步提升客戶黏性和單客戶價值。 此外，「AI+」戰略專注于開發CIM AI芯片。AI硬件端的迭代升級對代碼型閃存芯片的性能、 可靠性及信息安全提出更嚴格的要求。公司優化邊緣AI的產品性能，向高速讀取、低延時、高可靠性、高安全性方向進行技術突破和產品迭代。這些技術突破將支持設備實 現低功耗、實時推理與邊緣計算能力。同時，在摩爾定律逼近物理極限的背景下，CIM架構已成為提升計算能效的關鍵技術路徑，芯天下將基于新型存儲器ReRAM研發CIM AI 芯片，為主控芯片提供功耗更低、效率更高、成本更優的AI算力，以滿足物聯網、可穿戴設備、智能家居等邊緣計算場景的AI算力需求和信息安全需求。