賦能光伏儲能領域

卓越FST 3.0 IGBT模塊

隨著全球能源轉型的加速，光伏發電與儲能系統已成為構建新型電力系統的關鍵。作為電力電子系統的 “核心心臟” 與 “智能開關”，功率IGBT模塊的性能直接決定了整個系統的效率、可靠性及綜合成本。

長晶科技基于FST G3.0工藝平臺推出IGBT半橋模塊，優化器件在導通損耗和開關損耗表現的綜合性能，保證惡劣環境下的運行可靠性，為光伏逆變器、PCS 等應用場景提供高效率、強穩定性的核心技術支撐。

01產品介紹

長晶科技推出的1200V IGBT半橋模塊系列，包含450A、600A與900A三種電流規格，搭載自主研發的FST 3.0 IGBT芯片，具有高功率密度、低損耗及高可靠性的特點，可全面覆蓋光伏儲能系統需求。

同時長晶科技與國內頭部驅動廠商合作推出按產品參數特性定制的驅動板，可提供配合調試支持服務。

02電性參數

長晶科技1200V IGBT半橋模塊產品具有卓越的性能設計

◆ 針對開關特性，通過優化柵電荷（Qg），實現了開關應力與損耗之間的平衡，提升不同柵極驅動設計的兼容性，并減輕散熱系統承受的壓力。

◆ 針對通態性能，產品在高溫下表現出顯著的低VCE(sat)，在系統運行時轉化為更低的導通損耗。

◆ 綜合芯片選用條件，表現出更低的FOM值（定義見下圖），性能優秀同時兼具成本優勢。

FOM值定義 = VCE(sat)[V] · Eoff[mJ] · Active Area[cm2]

03競爭優勢

1.飽和降壓

長晶科技FST 3.0 IGBT采用先進的微溝槽柵（1.6μm Pitch）場截止結構，發射極效率優化，有效提升了功率密度。

測定條件：IC=450A,VGE=15V

測定條件：IC=600A,VGE=15V

測定條件：IC=900A,VGE=15V

同測試平臺條件下，VCE(sat)基本達到國際主流友商第七代產品優秀水平，高電流900A產品MCF900N120T3E3較競品飽和壓降降低5%~6%，實現高溫系統下優異的通態損耗性能。

2.關斷損耗

基于同平臺雙脈沖測試得到TJ=150℃時的關斷損耗Eoff，結果如下圖所示。

測定條件：VCE=600V, IC=450A,Rg=1.3 Ω, VGE=±15V, Inductive Load

測定條件：VCE=600V,IC=600A,Rg=7Ω, VGE=±15V, Inductive Load

長晶FST 3.0 IGBT在高溫條件下實現了開關應力與關斷損耗之間的平衡，這一特性確保了模塊在光伏儲能系統特定工況下的運行效率與長期穩定性。

長晶科技將致力于高效功率模塊的研發與創新，持續推動電力電子系統朝著更小尺寸、更高效率、更可靠穩定且更具成本競爭力的方向不斷升級！