電子發燒友網綜合報道 近日，寧波比亞迪半導體有限公司新型功率半導體芯片產業化及升級項目正式通過竣工環境保護驗收，標志著該項目已具備規模化量產條件。作為寧波保稅區重點技改項目，其投產將進一步強化國產第三代半導體產業競爭力，為新能源汽車、工業控制等領域提供核心芯片支撐。相關驗收公示信息及項目推進細節已通過企業公示及海關官方渠道對外披露。

據寧波海關及企業驗收公示文件顯示，該項目總投資約7.44億元，屬于現有廠房升級改造項目，依托寧波保稅區已建3.43萬平方米廠房開展建設，于2021-2022年啟動設備提升改造，2024年11月完成建設并進入調試階段，2025年11月通過驗收組一致同意的竣工環境保護驗收。項目升級后實現產品結構優化升級，生產規模由原有年產30萬片IGBT芯片、30萬片FRD芯片，調整為年產7.8萬片IGBT芯片、7.8萬片FRD芯片，以及24萬片碳化硅（SiC）新型功率半導體芯片及TVS、SBD等配套產品。

根據寧波海關的信息，針對項目核心的1200V溝槽柵SiC MOSFET晶圓研發需求，海關為企業設立寧波市首個“保稅研發”專用賬冊，允許研發用進口原材料、設備享受保稅政策，大幅降低企業研發資金和時間成本，使研發準備周期縮短30%，首批物料通關效率提升40%。據寧波海關披露，該款SiC晶圓研發片通過檢測后已具備量產條件，配套產線升級完成后預計可實現月產超1萬片，未來將進一步釋放產能空間。

從技術配置來看，項目重點引進碳化硅干法刻蝕機、柵氧氧化爐、高溫退火爐等關鍵設備，采用6吋碳化硅、6吋硅片為主要原輔材料，目前主體生產設施及環保處理設施運行穩定，各項指標均符合驗收要求。值得關注的是，比亞迪此前公布的1500V SiC芯片據稱同樣是該項目中產出。

回溯發展歷程，寧波比亞迪半導體于2008年10月23日在寧波保稅區登記成立，注冊資本2億元，初始業務聚焦半導體分立器件及集成電路的設計、生產與測試。成立之初，企業便通過收購寧波中緯半導體晶圓廠奠定了堅實的制造基礎，助力比亞迪集團在2009年實現IGBT芯片科技成果鑒定，開啟了國產車規級功率半導體的自主研發之路。

2020年，企業納入比亞迪半導體重組體系，成為其全資子公司，依托集團IDM全產業鏈優勢（涵蓋芯片設計、晶圓制造、封裝測試），進一步聚焦新能源汽車車用半導體功率器件的研發與生產。