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英特爾Fab 52滿載月產能達4萬片晶圓,2027年良率達先進水平

jf_15747056 ? 來源:jf_15747056 ? 作者:jf_15747056 ? 2025-12-29 17:26 ? 次閱讀
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英特爾正努力在制程技術和全球先進產能方面追趕臺積電,但在美國市場,這家芯片巨頭仍然無人能敵。據報道,英特爾的Fab 52工廠比臺積電目前的Fab 21一期和即將投產的Fab 21二期工廠更為先進,其產能相當于這兩個工廠的總和。

英特爾Fab 52工廠旨在生產采用英特爾18A(1.8nm級)及更先進工藝技術的芯片,這些工藝技術使用環柵(GAA)RibbonFET晶體管以及PowerVia背面供電網絡。該工廠的產能為每周1萬片晶圓,滿負荷運轉時每月約4萬片晶圓*(WSPM),按如今標準來看,這確實是一個非常龐大的晶圓廠。

據@IntelProMUltra觀察,目前,Fab 52配備了四臺ASML Twinscan NXE低數值孔徑EUV光刻系統,其中包括至少一臺NXE:3800E ——ASML最先進的低數值孔徑EUV光刻機,它借鑒了下一代高數值孔徑EUV光刻機的晶圓處理裝置、更快的晶圓平臺和光源,因此在30 mJ/cm2 的劑量下,每小時可處理多達220片晶圓。該工廠還擁有三臺NXE:3600D系統,在30 mJ/cm2的劑量下,每小時可處理160片晶圓。

此外,英特爾在亞利桑那奧科蒂洛的“硅沙漠”園區預留了至少15臺EUV光刻機的安裝空間,未來可能引入更高數值孔徑(High-NA)機型,進一步鞏固技術壁壘。

審核編輯 黃宇

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