英特爾正努力在制程技術和全球先進產能方面追趕臺積電,但在美國市場,這家芯片巨頭仍然無人能敵。據報道,英特爾的Fab 52工廠比臺積電目前的Fab 21一期和即將投產的Fab 21二期工廠更為先進,其產能相當于這兩個工廠的總和。
英特爾Fab 52工廠旨在生產采用英特爾18A(1.8nm級)及更先進工藝技術的芯片,這些工藝技術使用環柵(GAA)RibbonFET晶體管以及PowerVia背面供電網絡。該工廠的產能為每周1萬片晶圓,滿負荷運轉時每月約4萬片晶圓*(WSPM),按如今標準來看,這確實是一個非常龐大的晶圓廠。
據@IntelProMUltra觀察,目前,Fab 52配備了四臺ASML Twinscan NXE低數值孔徑EUV光刻系統,其中包括至少一臺NXE:3800E ——ASML最先進的低數值孔徑EUV光刻機,它借鑒了下一代高數值孔徑EUV光刻機的晶圓處理裝置、更快的晶圓平臺和光源,因此在30 mJ/cm2 的劑量下,每小時可處理多達220片晶圓。該工廠還擁有三臺NXE:3600D系統,在30 mJ/cm2的劑量下,每小時可處理160片晶圓。
此外,英特爾在亞利桑那奧科蒂洛的“硅沙漠”園區預留了至少15臺EUV光刻機的安裝空間,未來可能引入更高數值孔徑(High-NA)機型,進一步鞏固技術壁壘。
審核編輯 黃宇
-
英特爾
+關注
關注
61文章
10310瀏覽量
180859 -
晶圓
+關注
關注
53文章
5433瀏覽量
132508
發布評論請先 登錄
烽火通信1100kGy耐輻照光纖技術達到國際先進水平
一文看懂 | 中國華北、華東地區SiC功率器件廠商2026年最新動態【上】
英特爾 18A 良率躍升,普迪飛成核心攻堅力量|助力實現月度 7%-8% 穩定增長
晶圓級封裝良率提升方案:DW185半導體級低黏度晶圓助焊劑
AVX TAJ系列鉭電容產地、產能與交期分析(2025.12.8)
英偉達首片美國制造Blackwell晶圓下線,重塑AI芯片制造格局
英偉達斥資50億美元入股英特爾,芯片巨頭攜手重塑行業格局
重磅!雙英強強合作,英偉達向英特爾投資50億美元
英特爾連通愛爾蘭Fab34與Fab10晶圓廠,加速先進制程芯片生產進程
傳英偉達自研HBM基礎裸片
美國商務部推進收購英特爾10%股份 估值約達105億美元
攻克存儲芯片制造瓶頸:高精度晶圓切割機助力DRAM/NAND產能躍升
英特爾Fab 52滿載月產能達4萬片晶圓,2027年良率達先進水平
評論