電子發燒友網綜合報道，日前，Kioxia鎧俠公司宣布開發出高性能晶體管技術，該技術將使得高密度、低功耗 3D DRAM 的實現成為可能。這項技術在 12月 10 日于美國舊金山舉行的電子器件會議(IEDM)上得到展示，并有望應用于各種領域，包括人工智能服務器和物聯網組件。

在AI時代，市場對容量更大、功耗更低的DRAM 需求日益增長。傳統的DRAM技術正逐漸觸及內存容量的物理極限，這促使研究人員尋求提供額外容量。傳統上將單晶硅用作晶體管通道材料的做法，不僅推高制造成本，還增加刷新內存單元所需消耗的功率。

在去年的IEDM國際電子器件會議上，鎧俠宣布了氧化物半導體溝道晶體管動態隨機存取存儲器(OCTRM晶體管由氧化物半導體制成)的開發進展。在今年展示了高度集成的晶體管技術，該技術使得OCTRAM能夠實現三維堆疊，從而驗證了八層堆疊的晶體管的運作情況。

這項新技術通過將成熟的硅氧化物和硅氮化物薄膜層疊起來，并用硅氮化物(inGaZnO)材料取代氮化硅區域，從而能夠同時形成垂直層和水平堆疊的晶體管。還引入了一種能夠調整垂直間距的技術。這些制造工藝和結構有望應用于存儲單元的堆疊。

此外，由于該器件在替換過程中展現出較低的漏電流特性(同時具有高導通電流>30 μA)以及超低的漏電流(<1 aA，10^-18 A)能力，預計其功率有望得以降低。此外，該公司已成功制造出了一款包含8層水平晶體管堆疊結構，該結構的晶體管均可正常運行。鎧俠將繼續開展此項技術的研究與開發，以實現其應用。

另外，在閃存方面，Kioxia于今年8月展示了一款5TB超高速HBF原型產品。其實現方式與閃迪的HBF堆疊閃存不同，Kioxia開發的這款專為邊緣服務器設計的高速閃存驅動器原型，采用串聯連接的閃存"珠鏈"架構，閃存珠鏈和控制器串聯連接到每個存儲板，而非總線連接方式，并使用PCIe 6總線接口。