電子發(fā)燒友報(bào)道（文/李彎彎）日前，通富微電公布的2025年第三季度報(bào)告顯示，公司營(yíng)收達(dá)到70.78億元，與去年同期相比，增長(zhǎng)幅度高達(dá)17.94%；歸屬于上市公司股東的凈利潤(rùn)為4.48億元，同比增長(zhǎng)95.08%。前三季度營(yíng)收累計(jì)201.16億元，同比增長(zhǎng)17.77%；歸屬于上市公司股東的凈利潤(rùn)為8.60億元，同比增長(zhǎng)55.74%。 通富微電表示，業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)主要由于公司營(yíng)業(yè)收入的穩(wěn)步上升，尤其是中高端產(chǎn)品收入顯著增加。同時(shí)，公司加強(qiáng)管理以及成本費(fèi)用管控，使得整體效益得到顯著提升。

上半年：大尺寸FCBGA進(jìn)入量產(chǎn)階段

回顧2025年上半年，通富微電在多個(gè)方面取得重要進(jìn)展。公司實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入130.38億元，同比增長(zhǎng)17.67%；歸屬于上市公司股東的凈利潤(rùn)4.12億元，同比增長(zhǎng)27.72%。 從市場(chǎng)環(huán)境來(lái)看，上半年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)呈現(xiàn)出“技術(shù)驅(qū)動(dòng)增長(zhǎng)、區(qū)域分化加劇”的特征。AI芯片與存儲(chǔ)芯片成為核心增長(zhǎng)點(diǎn)，美洲市場(chǎng)增速25%領(lǐng)跑全球，中國(guó)及亞太地區(qū)受益于AI終端滲透率突破18%，貢獻(xiàn)了全球35%的增量需求。

在這樣的市場(chǎng)背景下，通富微電積極把握機(jī)遇。隨著手機(jī)芯片、汽車芯片國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程加快，以及家電等國(guó)補(bǔ)政策的持續(xù)利好，公司在手機(jī)、家電、車載等眾多應(yīng)用領(lǐng)域成功提升了市場(chǎng)份額。在WiFi、藍(lán)牙、MiniLed電視顯示驅(qū)動(dòng)等消費(fèi)電子熱點(diǎn)領(lǐng)域，通富微電成為多家重要客戶的策略合作伙伴。同時(shí)，公司不斷夯實(shí)與手機(jī)終端SOC客戶的合作基礎(chǔ)，市場(chǎng)份額持續(xù)提升。依托在工控與車規(guī)領(lǐng)域的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，公司加速全球化布局，整體市場(chǎng)份額得到進(jìn)一步擴(kuò)大。

公司大客戶AMD的業(yè)績(jī)表現(xiàn)也為通富微電的發(fā)展提供了有力支撐。2025年上半年，AMD業(yè)績(jī)延續(xù)增長(zhǎng)勢(shì)頭，數(shù)據(jù)中心、客戶端與游戲業(yè)務(wù)表現(xiàn)突出。其中，數(shù)據(jù)中心業(yè)務(wù)持續(xù)增長(zhǎng)，主要得益于EPYC CPU的強(qiáng)勁需求；客戶端業(yè)務(wù)營(yíng)業(yè)額創(chuàng)季度新高，第二季度達(dá)25億美元，同比增長(zhǎng)67%，這得益于最新“Zen 5”架構(gòu)的AMD銳龍臺(tái)式處理器及更豐富產(chǎn)品組合的強(qiáng)勁需求；游戲業(yè)務(wù)顯著復(fù)蘇，第二季度營(yíng)收11億美元，同比增長(zhǎng)73%，增長(zhǎng)動(dòng)力來(lái)自游戲主機(jī)定制芯片和游戲GPU需求的增加。通富超威蘇州和通富超威檳城作為AMD的重要合作伙伴，上半年繼續(xù)深度融合，優(yōu)化資源，在質(zhì)量體系建設(shè)、人才梯隊(duì)培養(yǎng)、產(chǎn)品產(chǎn)能提升等方面取得卓越成績(jī)。同時(shí)，兩家工廠結(jié)合市場(chǎng)策略，聚焦AI及高算力產(chǎn)品、車載智駕芯片的增量需求，積極擴(kuò)充產(chǎn)能，拓展新客戶資源，成功導(dǎo)入多家新客戶。

在技術(shù)研發(fā)方面，通富微電同樣成果豐碩。大尺寸FCBGA開發(fā)取得重要進(jìn)展，其中大尺寸FCBGA已進(jìn)入量產(chǎn)階段，超大尺寸FCBGA預(yù)研完成并進(jìn)入正式工程考核階段。公司通過(guò)產(chǎn)品結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)優(yōu)化、材料選型及工藝優(yōu)化，解決了超大尺寸下的產(chǎn)品翹曲問(wèn)題、產(chǎn)品散熱問(wèn)題。在光電合封（CPO）領(lǐng)域，技術(shù)研發(fā)取得突破性進(jìn)展，相關(guān)產(chǎn)品已通過(guò)初步可靠性測(cè)試。

在Power產(chǎn)品方面，Power DFN-clip source down雙面散熱產(chǎn)品研發(fā)完成，能夠滿足產(chǎn)品大電流、低功耗、高散熱及高可靠性的要求。在傳統(tǒng)打線類封裝產(chǎn)品技術(shù)開發(fā)方面，通過(guò)傳統(tǒng)圓片正反面鍍銅的方式，提升了封裝產(chǎn)品的散熱、低功耗等性能。上半年，針對(duì)Cu wafer封裝的需要，公司研發(fā)建立了相關(guān)工藝平臺(tái)，完成了相關(guān)工藝技術(shù)升級(jí)，解決了Cu wafer在切割、裝片、打線等封裝工藝方面的技術(shù)難題，目前已在Power DFN全系列上實(shí)現(xiàn)大批量生產(chǎn)。

HBM封測(cè)：機(jī)遇與挑戰(zhàn)并存

通富微電在財(cái)報(bào)中透露，公司緊緊抓住市場(chǎng)發(fā)展機(jī)遇，面向未來(lái)高附加值產(chǎn)品以及市場(chǎng)熱點(diǎn)方向，大力開發(fā)扇出型、圓片級(jí)、倒裝焊等封裝技術(shù)并擴(kuò)充其產(chǎn)能，積極布局Chiplet、2D+等頂尖封裝技術(shù)，形成了差異化競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。通富微電早幾年就表示，公司自建2.5D/3D產(chǎn)線全線通線，1+4產(chǎn)品及4層/8層堆疊產(chǎn)品研發(fā)穩(wěn)步推進(jìn)，這意味著通富微電已經(jīng)掌握了“2.5D/3D封裝”技術(shù)。

在HBM封測(cè)領(lǐng)域，通富微電也積極布局。雖然目前相關(guān)產(chǎn)品主要由國(guó)際Memory IDM大廠主導(dǎo)封測(cè)，但通富微電憑借自身的技術(shù)底蘊(yùn)和產(chǎn)線標(biāo)準(zhǔn)，成為國(guó)內(nèi)HBM封裝的重要參與者。2025年上半年，AMD貢獻(xiàn)了120億元營(yíng)收，占其總營(yíng)收的50.35%，AMD的MI300系列AI GPU封測(cè)80%交給通富，MI350系列GPU的2.5D封裝技術(shù)更是讓通富的產(chǎn)能利用率飆到95%。然而，“AMD依賴癥”也帶來(lái)潛在風(fēng)險(xiǎn)，一旦AMD砍單，公司業(yè)績(jī)可能受到嚴(yán)重影響。

為破局，通富微電瘋狂押注HBM。公司與長(zhǎng)江存儲(chǔ)合作混合鍵合技術(shù)，2025年HBM訂單暴漲120%，良率做到98%。更值得一提的是，通富拿下合肥長(zhǎng)鑫DDR5 HBM封裝獨(dú)家訂單，每顆單價(jià)500元，年產(chǎn)能100萬(wàn)顆，年收入5億元，毛利率高達(dá)50%。但公司也面臨著諸多隱患，HBM產(chǎn)線剛起步，車規(guī)級(jí)封裝剛增長(zhǎng)200%，華為昇騰訂單還在驗(yàn)證期，“去AMD化”之路充滿挑戰(zhàn)。

盡管如此，通富微電在高算力芯片封測(cè)上經(jīng)驗(yàn)豐富，技術(shù)和產(chǎn)能都處于行業(yè)前列。若HBM與主芯片耦合更加緊密，通富微電有望在這一領(lǐng)域大放異彩。