電子發燒友網綜合報道 “早知道就多囤幾根內存條了!”——這是2025年10月電商促銷季里,無數DIY玩家與渠道商發出的共同感嘆。如今,DDR4 16GB內存價格突破500元,一年內漲幅超兩倍,賺錢效應堪比熱門基金,“最佳理財產品”的稱號徹底出圈。這一輪價格飆漲背后,是全球存儲行業正以肉眼可見的速度,狂奔進入久違的“超級周期”。
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供給端的“人為降溫”早已埋下伏筆。自2024年四季度起,三星、SK海力士、美光等全球存儲巨頭相繼啟動減產計劃,其中三星對普通存儲芯片客戶的交貨量僅為以往的20%-25%,美光更是直接將NAND閃存產量削減15%。更關鍵的是,頭部廠商紛紛將產能向AI專用的高帶寬內存(HBM)傾斜,導致普通DDR4、DDR5內存的有效產能減少15%以上。
需求端的爆發,始于AI算力競賽的全面打響。自2022年底ChatGPT引爆生成式AI后,全球科技巨頭在服務器端瘋狂加碼GPU集群,高帶寬內存(HBM)需求呈指數級攀升。三星、SK海力士、美光等原廠隨之將產能向利潤更高的HBM與DDR5傾斜,直接導致傳統DDR4、LPDDR4X等“中低端”顆粒供應持續壓縮。摩根士丹利統計數據顯示,Alphabet、亞馬遜、Meta、微軟與CoreWeave五家公司2025年投向AI基礎設施的資本支出高達4000億美元,資金洪峰疊加技術迭代,形成對存儲產能的“虹吸效應”。
在AI服務器的拉動下,企業級存儲配置不斷升級,SSD容量已從64TB向96TB躍升,互聯網巨頭相關資本開支大幅增長。與此同時,消費電子市場同步回暖,智能手機內存容量從8GB向12GB普及的趨勢已成定局,PC換機潮帶來的增量需求同樣不可小覷。供需兩端的劇烈變化,讓存儲市場從此前的“去庫存”狀態迅速切換至“搶貨”模式。
集邦咨詢9月底數據顯示,DDR4 8Gb芯片現貨價從年初的1美元飆升至5.87美元,半年漲幅近5倍;DDR5 16Gb芯片漲幅達40%,價格幾乎觸及歷史高點。同時,TechInsights數據顯示,DRAM現貨價4月同比僅上漲4%,9月已飆升近兩倍;行業平均庫存周期從2023年初的31周驟降至2025年三季度的8周,創歷史新低。當價格曲線與庫存曲線出現“死亡交叉”,市場便進入典型的賣方市場——即便加價,熱門型號也“一貨難求”。
盡管熱度不及DRAM,NAND閃存市場價格同樣穩步走高。企業級SSD受英偉達新平臺帶動,價格直接上漲10%;1Tb QLC晶圓均價周漲幅達17.6%,月漲幅達22.4%。即便是漲幅相對溫和的手機嵌入式存儲,價格也實現穩步上揚;NOR Flash等利基存儲市場受AI數據中心和車用市場雙重驅動,四季度價格預計將實現雙位數增長。價格持續上漲催生市場囤貨潮,從大型模組廠商到中小經銷商,均在盡力增加庫存以鎖定利潤,部分電商平臺甚至出現熱門型號內存“售罄”的現象。
超級周期已讓上游原廠賺得盆滿缽滿。三星三季度標準DRAM運營利潤率約40%,HBM產品利潤率更高達60%;美光則預計2026財年兩類產品仍將保持“健康高盈利”狀態。
對國產存儲企業而言,此次超級周期更帶來了歷史性突破機遇。國際大廠減產并轉向高端產品,為國產廠商騰出了可觀的市場空間。數據顯示,已有多家國產企業成功承接國際大廠讓出的訂單,在存儲芯片設計、制造等核心環節實現關鍵突破。
?供需失衡:超級周期的核心密碼
存儲行業的周期性波動并不新鮮,但此次“超級周期”的強度和持續性,源于供需兩端的歷史性錯位。供給側的主動收縮與需求側的爆發式增長形成的“剪刀差”,成為價格飆升的核心驅動力。供給端的“人為降溫”早已埋下伏筆。自2024年四季度起,三星、SK海力士、美光等全球存儲巨頭相繼啟動減產計劃,其中三星對普通存儲芯片客戶的交貨量僅為以往的20%-25%,美光更是直接將NAND閃存產量削減15%。更關鍵的是,頭部廠商紛紛將產能向AI專用的高帶寬內存(HBM)傾斜,導致普通DDR4、DDR5內存的有效產能減少15%以上。
需求端的爆發,始于AI算力競賽的全面打響。自2022年底ChatGPT引爆生成式AI后,全球科技巨頭在服務器端瘋狂加碼GPU集群,高帶寬內存(HBM)需求呈指數級攀升。三星、SK海力士、美光等原廠隨之將產能向利潤更高的HBM與DDR5傾斜,直接導致傳統DDR4、LPDDR4X等“中低端”顆粒供應持續壓縮。摩根士丹利統計數據顯示,Alphabet、亞馬遜、Meta、微軟與CoreWeave五家公司2025年投向AI基礎設施的資本支出高達4000億美元,資金洪峰疊加技術迭代,形成對存儲產能的“虹吸效應”。
在AI服務器的拉動下,企業級存儲配置不斷升級,SSD容量已從64TB向96TB躍升,互聯網巨頭相關資本開支大幅增長。與此同時,消費電子市場同步回暖,智能手機內存容量從8GB向12GB普及的趨勢已成定局,PC換機潮帶來的增量需求同樣不可小覷。供需兩端的劇烈變化,讓存儲市場從此前的“去庫存”狀態迅速切換至“搶貨”模式。
漲價狂歡:從芯片到終端的全面沸騰
供需失衡的影響已滲透到存儲產業鏈的每一個環節,不同品類產品價格上演“競速式”上漲,其中內存條表現尤為亮眼,堪稱“理財產品”的代名詞。集邦咨詢9月底數據顯示,DDR4 8Gb芯片現貨價從年初的1美元飆升至5.87美元,半年漲幅近5倍;DDR5 16Gb芯片漲幅達40%,價格幾乎觸及歷史高點。同時,TechInsights數據顯示,DRAM現貨價4月同比僅上漲4%,9月已飆升近兩倍;行業平均庫存周期從2023年初的31周驟降至2025年三季度的8周,創歷史新低。當價格曲線與庫存曲線出現“死亡交叉”,市場便進入典型的賣方市場——即便加價,熱門型號也“一貨難求”。
盡管熱度不及DRAM,NAND閃存市場價格同樣穩步走高。企業級SSD受英偉達新平臺帶動,價格直接上漲10%;1Tb QLC晶圓均價周漲幅達17.6%,月漲幅達22.4%。即便是漲幅相對溫和的手機嵌入式存儲,價格也實現穩步上揚;NOR Flash等利基存儲市場受AI數據中心和車用市場雙重驅動,四季度價格預計將實現雙位數增長。價格持續上漲催生市場囤貨潮,從大型模組廠商到中小經銷商,均在盡力增加庫存以鎖定利潤,部分電商平臺甚至出現熱門型號內存“售罄”的現象。
超級周期已讓上游原廠賺得盆滿缽滿。三星三季度標準DRAM運營利潤率約40%,HBM產品利潤率更高達60%;美光則預計2026財年兩類產品仍將保持“健康高盈利”狀態。
對國產存儲企業而言,此次超級周期更帶來了歷史性突破機遇。國際大廠減產并轉向高端產品,為國產廠商騰出了可觀的市場空間。數據顯示,已有多家國產企業成功承接國際大廠讓出的訂單,在存儲芯片設計、制造等核心環節實現關鍵突破。
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