電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 “這是我從事存儲(chǔ)行業(yè)以來(lái)見(jiàn)過(guò)的最猛一次漲價(jià)。”一位資深存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)高管如此感慨。摩根士丹利最新研報(bào)顯示，存儲(chǔ)芯片行業(yè)正迎來(lái)一場(chǎng)前所未有的價(jià)格風(fēng)暴。報(bào)告指出，受成熟制程產(chǎn)能被先進(jìn)制程擠壓、AI服務(wù)器需求爆發(fā)等多重因素驅(qū)動(dòng)，2025年二季度至2026年將開(kāi)啟存儲(chǔ)芯片“超級(jí)周期”，其中DDR4內(nèi)存2026年一季度價(jià)格漲幅或達(dá)50%，NOR Flash漲幅預(yù)計(jì)為20%-30%，而高密度DDR3已陷入嚴(yán)重短缺，漲勢(shì)預(yù)計(jì)貫穿上半年。

本輪存儲(chǔ)芯片漲價(jià)的核心矛盾源于供給端的結(jié)構(gòu)性收縮，這一格局的形成可追溯至兩年前的行業(yè)調(diào)整。2023年，全球存儲(chǔ)行業(yè)陷入近15年來(lái)最嚴(yán)重的虧損周期，三星、SK海力士、美光等頭部廠商集體啟動(dòng)減產(chǎn)計(jì)劃，形成覆蓋產(chǎn)能、資本開(kāi)支及產(chǎn)品結(jié)構(gòu)的全方位收縮。摩根士丹利在報(bào)告中強(qiáng)調(diào)，傳統(tǒng)存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)正經(jīng)歷前所未有的供需逆轉(zhuǎn)——與市場(chǎng)此前普遍關(guān)注的DDR5、HBM（高帶寬內(nèi)存）等高端產(chǎn)品不同，此輪漲價(jià)的“急先鋒”竟是技術(shù)相對(duì)成熟的DDR4、DDR3，以及NOR Flash、SLC/MLC NAND等產(chǎn)品。

AI浪潮下，先進(jìn)制程的產(chǎn)能“虹吸效應(yīng)”進(jìn)一步加劇了傳統(tǒng)存儲(chǔ)芯片的供給缺口。為追求更高盈利，頭部廠商將有限的晶圓資源大量投向HBM等高附加值產(chǎn)品。數(shù)據(jù)顯示，HBM單價(jià)約為DDR5的5倍，三星12層堆疊HBM3E產(chǎn)品毛利率可達(dá)60%以上，顯著高于傳統(tǒng)DDR5的35%。2025年，HBM在DRAM總產(chǎn)能中的占比已達(dá)12%，但由于單顆HBM需消耗3倍于標(biāo)準(zhǔn)DRAM的晶圓資源，其實(shí)際占用的產(chǎn)能相當(dāng)于傳統(tǒng)DRAM產(chǎn)能的36%，進(jìn)一步擠壓了DDR4等成熟產(chǎn)品的產(chǎn)能空間。

更關(guān)鍵的是，此次減產(chǎn)并非短期周期性調(diào)整，而是伴隨老舊產(chǎn)線永久關(guān)停的“剛性收縮”。三星、美光關(guān)閉的DDR4產(chǎn)線不僅重啟成本高昂，且技術(shù)已相對(duì)落后，直接導(dǎo)致傳統(tǒng)內(nèi)存產(chǎn)能喪失彈性。三星內(nèi)部調(diào)研數(shù)據(jù)顯示，減產(chǎn)造成的傳統(tǒng)DRAM產(chǎn)能缺口預(yù)計(jì)將持續(xù)至2027年。

作為本輪漲價(jià)的領(lǐng)漲品種，DDR4市場(chǎng)需求韌性超出預(yù)期。市場(chǎng)監(jiān)測(cè)數(shù)據(jù)顯示，DDR4 8Gb（3200MHz）產(chǎn)品在2025年第四季度環(huán)比暴漲42.9%，現(xiàn)貨價(jià)格漲幅一度接近200%，凸顯市場(chǎng)對(duì)缺貨的恐慌情緒。2026年第一季度，該規(guī)格產(chǎn)品合約價(jià)預(yù)計(jì)再漲約50%，至每顆13.5美元左右，較2025年年中低點(diǎn)漲幅超兩倍。一個(gè)戲劇性的市場(chǎng)循環(huán)進(jìn)一步加劇了供需緊張：部分客戶因DDR4缺貨轉(zhuǎn)向DDR5，卻遭遇DDR5同樣短缺的困境，被迫“回流”至DDR4市場(chǎng)，形成“漲價(jià)螺旋”。類似邏輯同樣適用于DDR4與高密度DDR3——前者短缺引發(fā)的需求回流，進(jìn)一步加大了本就處于減產(chǎn)狀態(tài)的高密度DDR3的供應(yīng)壓力。

NOR Flash市場(chǎng)同步進(jìn)入漲價(jià)通道。作為AI服務(wù)器、汽車電子的關(guān)鍵元器件，NOR Flash供給端呈現(xiàn)高度集中且擴(kuò)產(chǎn)受限的特點(diǎn)。盡管市場(chǎng)漲價(jià)趨勢(shì)迅猛，但行業(yè)龍頭企業(yè)的調(diào)價(jià)動(dòng)作相對(duì)謹(jǐn)慎，整體漲價(jià)節(jié)奏較為平穩(wěn)。

對(duì)于國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)廠商而言，此次存儲(chǔ)芯片超級(jí)周期帶來(lái)了結(jié)構(gòu)性機(jī)遇，但挑戰(zhàn)同樣不容忽視。目前國(guó)內(nèi)廠商仍面臨明顯技術(shù)壁壘，在HBM等先進(jìn)領(lǐng)域與國(guó)際巨頭差距顯著；同時(shí)，代工廠漲價(jià)可能制約NOR Flash等品類的擴(kuò)產(chǎn)節(jié)奏。摩根士丹利強(qiáng)調(diào)，當(dāng)前存儲(chǔ)芯片供需缺口短期內(nèi)難以緩解：從供給端看，存儲(chǔ)芯片產(chǎn)能建設(shè)周期長(zhǎng)達(dá)18-24個(gè)月，國(guó)內(nèi)新建產(chǎn)線需至2027年下半年才能逐步釋放產(chǎn)能；若頭部廠商加速釋放成熟制程產(chǎn)能、AI需求不及預(yù)期或終端廠商庫(kù)存調(diào)整超預(yù)期，可能導(dǎo)致價(jià)格漲幅收窄。

不過(guò)就當(dāng)前市場(chǎng)格局而言，摩根士丹利明確表示“暫無(wú)悲觀理由”，存儲(chǔ)芯片行業(yè)正迎來(lái)新一輪盈利上行周期。