電子發燒友網綜合報道 “這是我從事存儲行業以來見過的最猛一次漲價。”一位資深存儲產業高管如此感慨。摩根士丹利最新研報顯示，存儲芯片行業正迎來一場前所未有的價格風暴。報告指出，受成熟制程產能被先進制程擠壓、AI服務器需求爆發等多重因素驅動，2025年二季度至2026年將開啟存儲芯片“超級周期”，其中DDR4內存2026年一季度價格漲幅或達50%，NOR Flash漲幅預計為20%-30%，而高密度DDR3已陷入嚴重短缺，漲勢預計貫穿上半年。

本輪存儲芯片漲價的核心矛盾源于供給端的結構性收縮，這一格局的形成可追溯至兩年前的行業調整。2023年，全球存儲行業陷入近15年來最嚴重的虧損周期，三星、SK海力士、美光等頭部廠商集體啟動減產計劃，形成覆蓋產能、資本開支及產品結構的全方位收縮。摩根士丹利在報告中強調，傳統存儲芯片市場正經歷前所未有的供需逆轉——與市場此前普遍關注的DDR5、HBM（高帶寬內存）等高端產品不同，此輪漲價的“急先鋒”竟是技術相對成熟的DDR4、DDR3，以及NOR Flash、SLC/MLC NAND等產品。

AI浪潮下，先進制程的產能“虹吸效應”進一步加劇了傳統存儲芯片的供給缺口。為追求更高盈利，頭部廠商將有限的晶圓資源大量投向HBM等高附加值產品。數據顯示，HBM單價約為DDR5的5倍，三星12層堆疊HBM3E產品毛利率可達60%以上，顯著高于傳統DDR5的35%。2025年，HBM在DRAM總產能中的占比已達12%，但由于單顆HBM需消耗3倍于標準DRAM的晶圓資源，其實際占用的產能相當于傳統DRAM產能的36%，進一步擠壓了DDR4等成熟產品的產能空間。

更關鍵的是，此次減產并非短期周期性調整，而是伴隨老舊產線永久關停的“剛性收縮”。三星、美光關閉的DDR4產線不僅重啟成本高昂，且技術已相對落后，直接導致傳統內存產能喪失彈性。三星內部調研數據顯示，減產造成的傳統DRAM產能缺口預計將持續至2027年。

作為本輪漲價的領漲品種，DDR4市場需求韌性超出預期。市場監測數據顯示，DDR4 8Gb（3200MHz）產品在2025年第四季度環比暴漲42.9%，現貨價格漲幅一度接近200%，凸顯市場對缺貨的恐慌情緒。2026年第一季度，該規格產品合約價預計再漲約50%，至每顆13.5美元左右，較2025年年中低點漲幅超兩倍。一個戲劇性的市場循環進一步加劇了供需緊張：部分客戶因DDR4缺貨轉向DDR5，卻遭遇DDR5同樣短缺的困境，被迫“回流”至DDR4市場，形成“漲價螺旋”。類似邏輯同樣適用于DDR4與高密度DDR3——前者短缺引發的需求回流，進一步加大了本就處于減產狀態的高密度DDR3的供應壓力。

NOR Flash市場同步進入漲價通道。作為AI服務器、汽車電子的關鍵元器件，NOR Flash供給端呈現高度集中且擴產受限的特點。盡管市場漲價趨勢迅猛，但行業龍頭企業的調價動作相對謹慎，整體漲價節奏較為平穩。

對于國內存儲廠商而言，此次存儲芯片超級周期帶來了結構性機遇，但挑戰同樣不容忽視。目前國內廠商仍面臨明顯技術壁壘，在HBM等先進領域與國際巨頭差距顯著；同時，代工廠漲價可能制約NOR Flash等品類的擴產節奏。摩根士丹利強調，當前存儲芯片供需缺口短期內難以緩解：從供給端看，存儲芯片產能建設周期長達18-24個月，國內新建產線需至2027年下半年才能逐步釋放產能；若頭部廠商加速釋放成熟制程產能、AI需求不及預期或終端廠商庫存調整超預期，可能導致價格漲幅收窄。

不過就當前市場格局而言，摩根士丹利明確表示“暫無悲觀理由”，存儲芯片行業正迎來新一輪盈利上行周期。