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瑞能半導(dǎo)體榮膺2025行家極光獎年度中國碳化硅器件Fabless十強(qiáng)企業(yè)

瑞能半導(dǎo)體 ? 來源:瑞能半導(dǎo)體 ? 2025-12-15 15:35 ? 次閱讀
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瑞能半導(dǎo)體憑借在碳化硅功率器件領(lǐng)域的持續(xù)創(chuàng)新實(shí)力,再度榮獲由半導(dǎo)體行業(yè)知名媒體研究機(jī)構(gòu)【行家說三代半】主辦的【2025行家極光獎】的“年度中國碳化硅器件Fabless十強(qiáng)企業(yè)”稱號。

“行家極光獎”作為第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域最具影響力的專業(yè)獎項(xiàng)之一,旨在表彰在技術(shù)創(chuàng)新、產(chǎn)品突破和產(chǎn)業(yè)推動方面表現(xiàn)突出的優(yōu)秀企業(yè)。今年的評選匯聚行業(yè)頭部團(tuán)隊(duì)與專家,關(guān)注企業(yè)在產(chǎn)品性能、量產(chǎn)能力、供應(yīng)鏈協(xié)同、客戶服務(wù)等多個維度的綜合實(shí)力。

深耕SiC,持續(xù)引領(lǐng)技術(shù)突破

伴隨新能源汽車、光伏儲能、充電樁、高端工業(yè)等領(lǐng)域的高速增長,行業(yè)對高性能功率器件的需求不斷提升。瑞能半導(dǎo)體始終保持技術(shù)研發(fā)的高投入與高強(qiáng)度,圍繞客戶應(yīng)用場景持續(xù)打造領(lǐng)先的產(chǎn)品組合:

產(chǎn)品全線擴(kuò)展:完成650V–2200V SiC SBD 與 MOSFET的量產(chǎn)覆蓋,新增650V Trench MOSFET、750V/1200V車規(guī)SiC功率器件、1700V~2200V超高壓系列以及多款SiC功率模塊

車規(guī)性能強(qiáng)化:推出新一代車規(guī)SiC功率產(chǎn)品系列,產(chǎn)品性能更高、貼近應(yīng)用需求、品質(zhì)更穩(wěn)定,面向主驅(qū)電機(jī)控制、OBC/DC-DC、電動壓縮機(jī)、PDU等核心車載系統(tǒng)。

高壓能力提升:1700V/2200V SiC產(chǎn)品量產(chǎn)落地,與1500V光儲系統(tǒng)深度適配,進(jìn)一步增強(qiáng)系統(tǒng)耐壓與效率表現(xiàn)。

封裝技術(shù)升級:發(fā)布TSPAK/TOLT頂部散熱封裝及新一代低電感高性能功率模塊,為高功率密度與高可靠應(yīng)用提供更優(yōu)熱設(shè)計(jì)與系統(tǒng)性能。

供應(yīng)鏈協(xié)同加強(qiáng):與多家頭部襯底與外延廠商深化合作,構(gòu)建穩(wěn)定、可持續(xù)的SiC供應(yīng)體系。

瑞能半導(dǎo)體榮膺「年度中國碳化硅器件Fabless十強(qiáng)企業(yè)」,彰顯了行業(yè)與市場的高度認(rèn)可。未來,我們將以可靠產(chǎn)品與卓越技術(shù)為核心,持續(xù)強(qiáng)化研發(fā)、拓展布局,加速第三代半導(dǎo)體規(guī)模化應(yīng)用,為全球新能源產(chǎn)業(yè)注入更強(qiáng)動力。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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原文標(biāo)題:這份榮譽(yù)有跡可循,瑞能半導(dǎo)體榮膺“碳化硅器件Fabless十強(qiáng)企業(yè)”大獎!

文章出處:【微信號:weensemi,微信公眾號:瑞能半導(dǎo)體】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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