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TPIC6595 8位功率移位寄存器技術文檔摘要

科技綠洲 ? 2025-09-09 11:10 ? 次閱讀
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該TPIC6595是一款單片、高壓、大電流功率的8位移位寄存器,設計用于需要相對較高負載功率的系統。該器件在輸出端包含一個內置電壓鉗位,用于電感瞬態保護。功率驅動器應用包括繼電器、螺線管和其他中電流或高壓負載。

該器件包含一個 8 位串行輸入、并行輸出移位寄存器,該寄存器為 8 位 D 型存儲寄存器供電。數據分別通過移位寄存器時鐘 (SRCK) 和寄存器時鐘 (RCK) 上升沿的移位寄存器和存儲寄存器傳輸。當移位寄存器清除 (SRCLR) 為高電平時,存儲寄存器將數據傳輸到輸出緩沖器。寫入數據和讀取數據僅在 RCK 較低時有效。當SRCLR為低電平時,輸入移位寄存器被清除。當輸出使能(G)保持為高電平時,輸出緩沖器中的所有數據都保持為低電平,并且所有漏極輸出都關斷。當G保持低電平時,來自存儲寄存器的數據對輸出緩沖器是透明的。串行輸出 (SER OUT) 允許將數據從移位寄存器級聯到其他器件。
*附件:tpic6595.pdf

輸出為低側漏極開路DMOS晶體管,輸出額定值為45V,連續灌電流能力為250mA。當輸出緩沖器中的數據為低電平時,DMOS晶體管輸出關斷。當數據為高電平時,DMOS晶體管輸出具有灌電流能力。

提供單獨的電源和邏輯電平接地引腳,以促進最大的系統靈活性。引腳 1、10、11 和 20 是內部連接的,每個引腳必須從外部連接到電源系統接地,以最大限度地減少寄生電感。引腳 19 邏輯接地 (LGND) 和引腳 1、10、11 和 20 電源接地 (PGND) 之間的單點連接必須以減少邏輯和負載電路之間串擾的方式進行外部連接。該TPIC6595的特性是在?40°C至125°C的工作外殼溫度范圍內工作。

特性

  • 低 rDS(on):1.3Ω 典型值
  • 雪崩能量:75mJ
  • 八個功率 DMOS 晶體管輸出,連續電流為 250mA
  • 每個輸出 1.5A 脈沖電流
  • 45V 時的輸出鉗位電壓
  • 設備可以級聯
  • 低功耗

參數
image.png

方框圖

image.png
?1. 核心特性?

  • ?低導通電阻?:典型值1.3Ω,支持高效功率傳輸
  • ?高電流輸出?:8路開漏DMOS晶體管,每路250mA連續電流/1.5A脈沖電流
  • ?電壓保護?:集成45V輸出鉗位,75mJ雪崩能量保護
  • ?級聯功能?:通過SER OUT引腳支持多設備串聯
  • ?寬溫工作?:-40°C至125°C工業級溫度范圍

?2. 典型應用?

?3. 關鍵功能描述?

  • ?雙寄存器架構?:8位串入并出移位寄存器 + 8位D型存儲寄存器
    • 數據在SRCK上升沿移位,RCK上升沿鎖存
    • SRCLR低電平清除寄存器
  • ?輸出控制?:
    • G引腳高電平時關閉所有輸出
    • 支持PWM全局調光
  • ?級聯設計?:通過SER IN/SER OUT實現設備擴展

?4. 電氣參數要點?

參數條件典型值
工作電壓VCC4.5-5.5V
導通電阻ID=250mA1.3Ω
傳輸延遲CL=30pF650ns
功耗八路全開≤1125mW

?5. 封裝選項?

  • ?SOIC-20? (12.8×7.5mm)
  • ?PDIP-20? (25.4×6.35mm)

?6. 設計注意事項?

  • 需單獨連接邏輯地(LGND)與功率地(PGND)以降低干擾
  • 工作電壓低于4.5V時性能不保證
  • 長期超5.5V工作可能影響可靠性
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