TPIC6A596是一款單片、高壓、大電流電源邏輯8位移位寄存器，設計用于需要相對高負載功率的系統。該器件在輸出端包含一個內置電壓鉗位，用于電感瞬態保護。電源驅動器應用包括繼電器、螺線管和其他中電流或高壓負載。每個漏極開路DMOS晶體管都具有獨立的斬波限流電路，以防止短路時損壞。
*附件：tpic6a596.pdf

該器件包含一個 8 位串行輸入并行輸出移位寄存器，該寄存器為 8 位 D 型存儲寄存器供電。數據分別通過移位寄存器時鐘（SRCK）和寄存器時鐘（RCK）上升沿的移位寄存器和存儲寄存器傳輸。當移位寄存器清除 （SRCLR） 為高電平時，存儲寄存器將數據傳輸到輸出緩沖器。寫入數據和讀取數據僅在 RCK 較低時有效。當SRCLR為低電平時，器件中的所有寄存器都被清除。當輸出使能G保持為高電平時，輸出緩沖器中的所有數據都保持為低電平，所有漏極輸出都關斷。當G保持低電平時，來自存儲寄存器的數據對輸出緩沖器是透明的。串行輸出 （SER OUT） 在 SRCK 的下降沿從器件中時鐘輸出，為級聯應用提供額外的保持時間。這將為時鐘信號可能偏斜、器件彼此不靠近或系統必須承受電磁干擾的應用提供更高的性能。

輸出為低側漏極開路DMOS晶體管，輸出額定值為50V，連續灌電流能力為350mA。當輸出緩沖器中的數據為低電平時，DMOS晶體管輸出關斷。當數據為高電平時，DMOS晶體管輸出具有灌電流能力。

提供單獨的電源接地 （PGND） 和邏輯接地 （LGND） 端子，以促進最大的系統靈活性。所有PGND端子均內部連接，每個PGND端子必須外部連接到電源系統接地，以盡量減少寄生阻抗。LGND 和 PGND 之間的單點連接必須以減少邏輯和負載電路之間串擾的方式從外部進行。

該TPIC6A596采用熱增強型雙列直插式 （NE） 封裝和寬體表面貼裝 （DW） 封裝。該TPIC6A596的特性是在?40°C至125°C的工作溫度范圍內工作。

特性

• 低 rDS（on）：1Ω（典型值）
• 輸出短路保護
• 雪崩能量：75mJ
• 8個350mA DMOS輸出
• 50V 開關能力
• 增強多級級聯
• 所有寄存器均通過單輸入清除
• 低功耗

參數

?1. 核心特性?

• ?低導通電阻?：典型值1Ω，支持高效功率傳輸
• ?輸出保護?：短路保護、75mJ雪崩能量耐受能力
• ?驅動能力?：8路開漏DMOS輸出，每路350mA連續灌電流，50V開關耐壓
• ?級聯優化?：增強型級聯設計，支持多級擴展
• ?控制功能?：單輸入清除所有寄存器，低功耗設計

?2. 典型應用?

• 汽車電子：儀表盤集群、警示燈控制
• 工業驅動：繼電器/電磁閥驅動
• LED系統：照明控制與調光

?3. 關鍵功能描述?

• ?雙寄存器結構?：8位串入并出移位寄存器 + 8位D型存儲寄存器
  • 數據在SRCK上升沿移入移位寄存器
  • 在RCK上升沿將數據鎖存至存儲寄存器
• ?保護機制?：
  • 獨立電流斬波限流電路防止短路損壞
  • 內置電壓鉗位抑制感性負載瞬態
• ?級聯支持?：SEROUT引腳在SRCK下降沿輸出數據，優化多器件時序

?4. 電氣參數要點?

?5. 封裝選項?

• ?PDIP-20? (NE)：24.0×6.86mm
• ?SOIC-24? (DW)：15.4×7.5mm

?6. 設計注意事項?

• 需單獨連接功率地(PGND)與邏輯地(LGND)
• 上電時應通過SRCLR引腳初始化寄存器
• Vcc低于4.5V或高于5.5V時可能影響可靠性