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?TPIC6C595 8位移位寄存器數據手冊總結

科技綠洲 ? 2025-09-09 09:56 ? 次閱讀
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該TPIC6C595是單片、中壓、低電流 功率 8 位移位寄存器設計用于需要相對中等負載功率的系統 例如 LED。該器件在輸出端包含一個內置電壓鉗位,用于電感瞬態 保護。功率驅動器應用包括繼電器、螺線管和其他低電流或 中壓負載。

該器件包含一個 8 位串行輸入并行輸出移位寄存器,可為 8 位饋電 D型存儲寄存器。通過移位寄存器和存儲寄存器進行數據傳輸 移位寄存器時鐘 (SRCK) 和寄存器時鐘 (RCK) 的邊沿。設備 從SRCK上升沿的串行輸出(SER OUT)端口傳輸數據。存儲 寄存器在移位寄存器清除 (CLR) 時將數據傳輸到輸出緩沖器 很高。當CLR為低電平時,輸入移位寄存器被清除。當輸出 使能 (G) 保持為高電平,輸出緩沖器中的所有數據都保持為低電平,并且所有 漏極輸出關閉。當G保持低電平時,來自存儲寄存器的數據 對輸出緩沖區透明。當輸出緩沖器中的數據為低電平時,DMOS晶體管 輸出關閉。當數據為高電平時,DMOS晶體管輸出具有灌電流能力。這 SER OUT 允許將數據從移位寄存器級聯到其他器件。
*附件:tpic6c595.pdf

輸出為低側開漏 DMOS 晶體管,輸出額定值為 33V 至 100mA 連續灌電流能力。每個輸出都提供一個 T 時 250mA 最大電流限制 C = 25°C。 電流限制降低 隨著結溫的升高,提供額外的設備保護。該設備還提供 使用人體模型和 200 V 機器進行測試時,可達到 2500 V 的 ESD 保護 型。

該TPIC6C595的特點是在 ?40°C 至 125°C。

特性

  • 低 r DS(開) , 7 Ω典型值
  • 雪崩能量,30 mJ
  • 8個功率DMOS晶體管輸出
    ,連續電流為100 mA
  • 250mA 限流能力
  • ESD 保護,2500 V
  • 輸出箝位電壓,33 V
  • 設備是可級聯的
  • 低功耗

參數

image.png

方框圖

image.png
?1. 產品概述?
TPIC6C595是德州儀器(TI)推出的單片中壓、低電流功率邏輯8位移位寄存器,專用于驅動LED等中等負載功率系統。其核心特性包括:

  • ?8路開漏DMOS晶體管輸出?:每路支持100mA連續灌電流,峰值限流250mA(25°C時)
  • ?集成電壓鉗位?:33V輸出鉗位電壓,提供電感瞬態保護
  • ?級聯功能?:通過SER OUT引腳可實現多器件級聯
  • ?寬溫操作?:工作溫度范圍-40°C至125°C

?2. 關鍵特性?

  • ?電氣參數?:
    • 典型導通電阻7Ω(50mA時)
    • ESD保護:2500V(人體模型)/200V(機器模型)
    • 30mJ雪崩能量耐受
  • ?封裝選項?:SOIC-16(9.9×3.91mm)、TSSOP-16(5×4.4mm)、PDIP-16(19.3×6.35mm)

?3. 功能描述?

  • ?串行輸入接口?:8位串入并出移位寄存器,通過SRCK(移位時鐘)和RCK(存儲寄存器時鐘)上升沿觸發數據傳輸
  • ?輸出控制?:
    • G引腳低電平時輸出使能
    • CLR低電平清除所有寄存器
  • ?保護機制?:電流限制隨結溫升高自動降低,增強器件可靠性

?4. 典型應用?

  • ?汽車儀表盤?:驅動指示燈(Tell-Tale燈)和LED照明
  • ?工業控制?:繼電器/電磁閥驅動
  • ?擴展應用?:多器件級聯可控制16路及以上負載(需配合MCU SPI接口)

?5. 設計注意事項?

  • ?熱管理?:建議PCB布局時最大化銅覆蓋率,增加散熱過孔
  • ?電流計算?:LED驅動需根據電源電壓(9-16V)和正向壓降計算限流電阻
  • ?電壓要求?:邏輯供電需穩定在4.5-5.5V范圍

?6. 文檔結構?
手冊包含完整的技術規格、時序圖、測試電路、封裝尺寸及訂購信息,并提供了典型應用電路示例(如汽車集群LED驅動方案)。

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