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?TPIC6B595 8位功率移位寄存器技術文檔總結

科技綠洲 ? 2025-09-09 10:16 ? 次閱讀
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TPIC6B595器件是一款單片、高壓、中電流功率8位移位寄存器,設計用于需要相對高負載功率的系統。該器件在輸出端包含一個內置電壓鉗位,用于電感瞬態保護。功率驅動器應用包括繼電器、螺線管和其他中電流或高壓負載。

該器件包含一個 8 位串行輸入、并行輸出移位寄存器,該寄存器為 8 位 D 型存儲寄存器供電。數據分別通過移位寄存器時鐘 (SRCK) 和寄存器時鐘 (RCK) 上升沿的移位寄存器和存儲寄存器傳輸。
*附件:tpic6b595.pdf

當移位寄存器清除 (SRCLR) 為高電平時,存儲寄存器將數據傳輸到輸出緩沖器。寫入數據和讀取數據僅在 RCK 較低時有效。當SRCLR為低電平時,輸入移位寄存器被清除。當輸出使能(G)保持為高電平時,輸出緩沖器中的所有數據都保持為低電平,并且所有漏極輸出都關閉。當G保持低電平時,來自存儲寄存器的數據對輸出緩沖器是透明的。當輸出緩沖器中的數據為低電平時,DMOS晶體管輸出關斷。當數據為高電平時,DMOS晶體管輸出具有灌電流能力。串行輸出 (SER OUT) 允許將數據從移位寄存器級聯到其他器件。

輸出為低側開漏 DMOS 晶體管,輸出額定值為 50V,連續灌電流能力為 150mA。每個輸出在TC = 25°C時提供500mA的典型電流限制。 電流限制隨著結溫的升高而降低,以提供額外的器件保護。

該TPIC6B595的特性是在?40°C至125°C的工作外殼溫度范圍內工作。

特性

  • 低rDS(on),5Ω(典型值)
  • 雪崩能量,30mJ
  • 八個功率 DMOS 晶體管輸出,連續電流為 150mA
  • 輸出鉗位電壓,50V
  • 設備是可級聯的
  • 低功耗

參數

image.png
?1. 核心特性?

  • ?低導通電阻?:典型值5Ω
  • ?輸出能力?:8路功率DMOS晶體管輸出,每路支持150mA連續電流,50V鉗位電壓
  • ?級聯功能?:支持多設備串聯擴展
  • ?保護機制?:內置30mJ雪崩能量保護,溫度升高時自動降低電流限制

?2. 關鍵參數?

  • ?電氣特性?:
    • 工作電壓范圍:4.5V~5.5V
    • 邏輯高電平輸入:≥0.85VCC
    • 靜態導通電阻:4.2Ω(典型值,100mA時)
  • ?溫度范圍?:-40°C至125°C

?3. 應用場景?

  • 汽車儀表盤指示燈驅動
  • LED照明控制
  • 繼電器/電磁閥驅動

?4. 功能描述?

  • ?串行輸入?:8位串入并出移位寄存器,數據在SRCK上升沿傳輸
  • ?輸出控制?:通過G引腳(低電平有效)啟用輸出緩沖
  • ?寄存器清除?:SRCLR低電平時清空移位寄存器

?5. 典型應用設計?

  • ?汽車集群驅動示例?:
    • 級聯2個TPIC6B595驅動16個LED
    • 計算限流電阻公式:R = (Vbattery - VLED) / ILED
    • 電池電壓波動時需考慮電流變化(如12V時20mA,9V時降至14mA)

?6. 封裝與布局?

  • ?封裝選項?:20引腳SOIC/DW(12.8×7.5mm)或PDIP/N(25.4×6.35mm)
  • ?散熱建議?:
    • 最大化PCB銅覆蓋率
    • 接地引腳下方添加散熱過孔
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