摘要：本文聚焦切割液多性能協同優化對晶圓 TTV 厚度均勻性的影響。深入剖析切割液冷卻、潤滑、排屑等性能影響晶圓 TTV 的內在機制，探索實現多性能協同優化的參數設計方法，為提升晶圓切割質量、保障 TTV 均勻性提供理論依據與技術指導。

一、引言

在晶圓切割工藝中，TTV 厚度均勻性是衡量晶圓質量的關鍵指標，直接影響芯片制造的良率與性能。切割液作為切割過程中的重要介質，其冷卻、潤滑、排屑等多種性能協同作用，對晶圓 TTV 厚度均勻性有著重要影響。深入研究切割液多性能協同優化的影響機制與參數設計，對優化晶圓切割工藝具有重要意義。

二、切割液性能對晶圓 TTV 厚度均勻性的影響機制

（一）冷卻性能的影響

切割過程中會產生大量熱量，若切割液冷卻性能不足，晶圓局部溫度過高，將引發熱膨脹變形，導致切割深度不一致，TTV 增大。良好的冷卻性能能夠快速帶走切割熱，維持晶圓溫度均勻，減少熱變形對 TTV 的影響。

（二）潤滑性能的作用

切割液的潤滑性能可降低刀具與晶圓之間的摩擦。若潤滑不足，摩擦增大，切割力波動，易造成刀具磨損不均與切割深度偏差，進而影響 TTV 均勻性。高效的潤滑能穩定切割力，保障切割過程平穩，提升 TTV 均勻性。

（三）排屑性能的關聯

排屑不暢會使切屑在切割區域堆積，劃傷晶圓表面，阻礙切割液正常流動，影響冷卻與潤滑效果。切割液優異的排屑性能可及時清除切屑，避免切屑干擾切割過程，有助于維持 TTV 均勻性。

三、切割液多性能協同優化的參數設計

（一）成分優化設計

通過調整切割液基礎液、添加劑的種類與配比，實現多性能協同提升。例如，添加合適的潤滑劑與冷卻劑，在保障冷卻效果的同時增強潤滑性能；引入高效分散劑，提升排屑能力，優化切割液整體性能。

（二）濃度與流量調控

研究不同切割工況下，切割液濃度與流量對多性能協同效果的影響。根據晶圓材料、切割速度等參數，合理調整切割液濃度與流量，確保在不同條件下，切割液的冷卻、潤滑、排屑性能都能達到良好的協同狀態 。

（三）溫度與壓力參數設定

切割液的工作溫度與壓力會影響其性能發揮。分析溫度、壓力變化對切割液流動性、散熱性等的影響規律，科學設定溫度與壓力參數，促進切割液多性能協同優化，保障晶圓 TTV 厚度均勻性。

高通量晶圓測厚系統運用第三代掃頻OCT技術，精準攻克晶圓/晶片厚度TTV重復精度不穩定難題，重復精度達3nm以下。針對行業厚度測量結果不一致的痛點，經不同時段測量驗證，保障再現精度可靠。?

我們的數據和WAFERSIGHT2的數據測量對比,進一步驗證了真值的再現性：

（以上為新啟航實測樣品數據結果）

該系統基于第三代可調諧掃頻激光技術，相較傳統雙探頭對射掃描，可一次完成所有平面度及厚度參數測量。其創新掃描原理極大提升材料兼容性，從輕摻到重摻P型硅，到碳化硅、藍寶石、玻璃等多種晶圓材料均適用：?

對重摻型硅，可精準探測強吸收晶圓前后表面；?

點掃描第三代掃頻激光技術，有效抵御光譜串擾，勝任粗糙晶圓表面測量；?

通過偏振效應補償，增強低反射碳化硅、鈮酸鋰晶圓測量信噪比；

（以上為新啟航實測樣品數據結果）

支持絕緣體上硅和MEMS多層結構測量，覆蓋μm級到數百μm級厚度范圍，還可測量薄至4μm、精度達1nm的薄膜。

（以上為新啟航實測樣品數據結果）

此外，可調諧掃頻激光具備出色的“溫漂”處理能力，在極端環境中抗干擾性強，顯著提升重復測量穩定性。

（以上為新啟航實測樣品數據結果）

系統采用第三代高速掃頻可調諧激光器，擺脫傳統SLD光源對“主動式減震平臺”的依賴，憑借卓越抗干擾性實現小型化設計，還能與EFEM系統集成，滿足產線自動化測量需求。運動控制靈活，適配2-12英寸方片和圓片測量。