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      新品 | 采用CoolSiC? 400V SiC MOSFET的ANPC三電平虛擬評估板

      英飛凌工業半導體 ? 2025-06-19 17:05 ? 次閱讀
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      新品

      采用CoolSiC 400V SiC MOSFET的

      ANPC三電平虛擬評估板

      977bdcf8-4cec-11f0-986f-92fbcf53809c.jpg


      該虛擬設計（提供設計文件，不提供實物產品）為3L-ANPC拓撲，是帶隔離的三相三電平逆變器板。優化的PCB布局最大限度地減少了換流回路電感，降低了開關損耗和電壓過沖。該設計是工程師和研究人員實驗、驗證和優化工業電機驅動器和光伏組串逆變器3L-ANPC系統的理想選擇。


      產品型號：

      ■EVAL_10KW_3LANPC_SIC


      所用器件：

      ■IMT40R011M2H

      ■BSZ099N06LS5

      ■2EDF7275F

      ■TLI4971-A120T5-E0001

      ■XMC1302-T028X0200 AB

      ■KIT_XMC_LINK_SEGGER_V1

      ■KIT_XMC4400_DC_V1

      ■CURSENSORPROGRAMMERTOBO1


      產品特點

      3L-ANPC拓撲測試平臺

      三相三電平ANPC功率板

      隔離輔助電源

      XMC4400驅動板接口

      高精度無芯電流傳感器

      CoolSiC 400V - 無散熱片設計

      應用價值


      效率高>99.5%，功率密度高

      低電磁干擾

      降低電壓應力，提高使用壽命

      靈活的電機控制算法

      允許進行2-L修改以進行比較

      通過散熱器（可選）擴展功率范圍


      競爭優勢


      CoolSiC MOSFET 400V G2在3L-ANPC中的價值主張

      400V SiC MOSFET用于三電平拓撲(ANPC)，耐電壓能力達800V（DC）

      更高的VBUS電壓可提高效率和功率密度，減少PCB銅層，并可以避免并聯

      多電平拓撲結構固有較低電流紋波可減小電感器尺寸

      固有的較低dv/dt更好的電磁干擾性能

      熱量擴散到18個MOSFET上，實現更好的熱管理


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