LM5100A/B/C 和 LM5101A/B/C 高壓柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng) 采用同步降壓或半橋配置的高壓側(cè)和低壓側(cè) N 溝道 MOSFET。 浮動(dòng)高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器能夠在高達(dá) 100 V 的電源電壓下工作。The A 版本提供完整的 3A 柵極驅(qū)動(dòng)，而 B 和 C 版本提供 2 A 和 1A、 分別。輸出由 CMOS 輸入閾值 （LM5100A/B/C） 或 TTL 輸入閾值 （LM5101A/B/C）。

提供集成高壓二極管，用于為高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)自舉充電 電容器。堅(jiān)固的電平轉(zhuǎn)換器以高速運(yùn)行，同時(shí)功耗低，并提供 從 Control Logic 到 Highside 柵極驅(qū)動(dòng)器的 Clean Level 轉(zhuǎn)換。欠壓鎖定 在低側(cè)和高側(cè)電源軌上均提供。這些設(shè)備在 標(biāo)準(zhǔn) SOIC-8 引腳、SO PowerPAD-8 引腳和 WSON-10 引腳封裝。LM5100C 和 LM5101C 是 還提供 MSOP-PowerPAD-8 封裝。LM5101A 還提供 WSON-8 引腳 包。
*附件：lm5101b.pdf

特性

• 驅(qū)動(dòng)高側(cè)和低側(cè) N 溝道
  MOSFET
• 獨(dú)立的高電平和低電平驅(qū)動(dòng)器邏輯輸入
• 自舉電源電壓高達(dá) 118 V DC
• 快速傳播時(shí)間（典型值為 25ns）
• 以 8ns 的上升和下降
  時(shí)間驅(qū)動(dòng) 1000pF 負(fù)載
• 出色的傳播延遲匹配（典型值為 3ns
  ）
• 電源軌欠壓鎖定
• 低功耗
• 引腳兼容 HIP2100/HIP2101

參數(shù)

方框圖

一、產(chǎn)品概述

LMB 是一款高電壓、高速半橋N溝道MOSFET驅(qū)動(dòng)器，提供A的柵極驅(qū)動(dòng)電流。該驅(qū)動(dòng)器適用于同步降壓轉(zhuǎn)換器、半橋和全橋功率轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用，具有獨(dú)立的高低側(cè)輸入和TTL兼容輸入閾值。

二、主要特性

• ?高電壓能力?：支持高達(dá)V的自舉供電電壓。
• ?高速性能?：傳播時(shí)間典型值為ns，具有優(yōu)秀的延遲匹配。
• ?獨(dú)立輸入?：高低側(cè)驅(qū)動(dòng)器具有獨(dú)立輸入，TTL兼容閾值。
• ?高驅(qū)動(dòng)能力?：提供A的峰值輸出電流。
• ?低功耗?：在輕載條件下具有較低的靜態(tài)電流。
• ?欠壓鎖定保護(hù)?：高低側(cè)電源均具有欠壓鎖定保護(hù)功能。
• ?集成自舉二極管?：內(nèi)置高電壓二極管，用于高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)電容的充電。

三、引腳配置與功能

• ?VDD?：正電源輸入，為低側(cè)驅(qū)動(dòng)器供電。
• ?HB?：高側(cè)自舉電源輸入，連接自舉電容的正極。
• ?HS?：高側(cè)源連接，連接高側(cè)MOSFET的源極和自舉電容的負(fù)極。
• ?HO?：高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器輸出，連接高側(cè)MOSFET的柵極。
• ?LI?：低側(cè)輸入，控制低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器的輸出。
• ?LO?：低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器輸出，連接低側(cè)MOSFET的柵極。
• ?VSS?：負(fù)電源終端，通常接地。
• ?HI?：高側(cè)輸入，控制高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器的輸出。

四、電氣特性

• ?工作電壓范圍?：VDD為V至V，HB最高可達(dá)V。
• ?輸入閾值?：TTL兼容輸入，高電平輸入閾值典型值為.V至.V，低電平輸入閾值典型值為.V至.V。
• ?輸出特性?：低電平輸出電壓（VOL/LOL）和高電平輸出電壓（VOH/HOH）分別取決于VDD和VHB。
• ?傳播延遲?：典型值為ns至ns。
• ?欠壓鎖定閾值?：VDD UVLO閾值典型值為.V，具有.V遲滯；HB UVLO閾值典型值為.V，具有.V遲滯。

五、功能描述

• ?欠壓鎖定?：高低側(cè)電源均具有獨(dú)立的欠壓鎖定保護(hù)，確保在供電電壓不足時(shí)禁止輸出。
• ?電平移位?：高側(cè)輸入與高側(cè)驅(qū)動(dòng)器級(jí)之間的電平移位電路，實(shí)現(xiàn)與高側(cè)MOSFET的有效接口。
• ?自舉二極管?：內(nèi)置高電壓二極管，用于為高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)電容充電。
• ?輸出階段?：高轉(zhuǎn)換速率、低電阻的輸出驅(qū)動(dòng)器，支持高效MOSFET開(kāi)關(guān)。

六、應(yīng)用信息

• ?典型應(yīng)用?：適用于同步降壓轉(zhuǎn)換器、半橋和全橋功率轉(zhuǎn)換器、兩開(kāi)關(guān)正向轉(zhuǎn)換器以及有源鉗位正向轉(zhuǎn)換器等。
• ?設(shè)計(jì)考慮?：包括自舉電容和VDD電容的選擇、外部自舉二極管和電阻的考慮、柵極驅(qū)動(dòng)電阻的選擇以及驅(qū)動(dòng)器功耗的估計(jì)等。
• ?布局指南?：強(qiáng)調(diào)了驅(qū)動(dòng)器IC和被動(dòng)元件的布局原則，以減少寄生電感和提高電路性能。

七、封裝與訂購(gòu)信息

• ?封裝類型?：提供多種封裝選項(xiàng)，包括SOIC、PowerPAD SOIC、WSON等。
• ?訂購(gòu)信息?：詳細(xì)列出了不同封裝和狀態(tài)的訂購(gòu)代碼，以及相關(guān)的封裝尺寸和帶卷信息。

八、文檔與支持

• ?相關(guān)文檔?：提供了應(yīng)用筆記、熱指標(biāo)應(yīng)用報(bào)告等相關(guān)文檔的鏈接。
• ?支持資源?：鏈接到TI的EE在線支持論壇，用戶可以在此獲取技術(shù)支持和設(shè)計(jì)幫助。