LM27222 是一款雙通道 N 溝道 MOSFET 驅動器,旨在以推挽方式驅動 MOSFET 同步降壓穩壓器中常用的配置。LM27222 獲取 PWM 輸出 ,并為功率級 MOSFET 提供適當的時序和驅動電平。 自適應擊穿保護可防止損壞并提高效率,從而降低擊穿電流, 從而確保能夠與幾乎任何 MOSFET 一起使用的穩健設計。自適應 擊穿保護電路還將死區時間降低至 10ns,確保 最高的運行效率。LM27222 的每個驅動器的峰值拉電流和吸收電流 分別約為 3A 和 4.5Amps,Vgs 為 5V。系統性能也通過以下方式得到增強 將傳播延遲保持在 8ns。在所有負載電流下,效率再次提高 通過 LEN 引腳支持同步、非同步和二極管仿真模式。最小值 在 MOSFET 輸出端實現的輸出脈沖寬度低至 30ns。這將使 降壓穩壓器設計中具有非常高的轉換比的工作頻率。要支持低 電源狀態在筆記本電腦系統中,當 IN 和 LEN 時,LM27222僅從 5V 電源軌吸收 5μA 的電流 inputs 為低電平或浮動。
*附件:lm27222.pdf
特性
- 自適應擊穿保護
- 10ns 死區時間
- 8ns 傳播延遲
- 30ns 最小導通時間
- 0.4Ω 下拉和 0.9Ω 上拉驅動器
- 4.5A 峰值驅動電流
- MOSFET 容錯設計
- 5μA 靜態電流
- 降壓配置中的最大輸入電壓為 30V
- 4V 至 6.85V 工作電壓
- SOIC-8 和 WSON 封裝
參數

方框圖

一、產品概述
LM是一款高速雙N溝道MOSFET驅動器,專為同步降壓(buck)轉換器中的推挽配置設計。它具備自適應射極跟隨保護、低傳播延遲、高峰值驅動電流等特性,適用于高電流降壓和升壓轉換器、快速瞬態DC/DC電源供應器、單端正向整流輸出以及CPU和GPU核心電壓調節器等應用。
二、主要特性
- ?自適應射極跟隨保護?:防止射極跟隨電流損壞,提高效率,減少射極跟隨時間至ns。
- ?低傳播延遲?:ns的傳播延遲,支持高頻率操作。
- ?高峰值驅動電流?:每路驅動器提供約A的峰值源電流和.A的峰值漏電流。
- ?低靜態電流?:僅μA的靜態電流,降低功耗。
- ?寬輸入電壓范圍?:V至.V的操作電壓范圍。
- ?高電壓耐受?:最大V的輸入電壓。
- ?多種封裝形式?:提供SOIC-和WSON-封裝選項。
三、引腳功能
- ?SW?:高端驅動器返回,應連接到高端和低端MOSFET的公共節點。
- ?HG?:高端柵極驅動輸出,連接到高端MOSFET的柵極。
- ?CB?:自舉引腳,接受自舉電壓以供電高端驅動器。
- ?IN?:接受來自控制器的PWM信號,有效高電平。
- ?LEN?:低端柵極使能,有效高電平。
- ?VCC?:連接到+V電源。
- ?LG?:低端柵極驅動輸出,連接到低端MOSFET的柵極。
- ?GND?:接地。
四、電氣特性
- ?操作靜態電流?:IN=V, LEN=V時為μA;IN=V, LEN=V時為μA至μA。
- ?高/低端驅動器的峰值拉電流和拉下電流?:分別為A和.A。
- ?上升和下降時間?:約ns和ns(對于.nF負載電容)。
- ?最小正輸出脈沖寬度?:ns。
五、功能描述
- ?自適應射極跟隨保護?:確保高端和低端MOSFET不會同時導通,減少射極跟隨電流損失,提高效率。
- ?低傳播延遲?:支持高頻操作,提高系統性能。
- ?高峰值驅動電流?:快速切換大功率MOSFET,減少開關損失。
- ?多模式支持?:支持同步、非同步和二極管仿真模式,通過LEN引腳控制。
六、應用信息
- ?典型應用?:與LM等控制器配合使用,實現高效率、高頻率的DC/DC轉換。
- ?布局指南?:推薦將驅動器靠近MOSFET放置,使用短而粗的走線連接HG、SW、LG和GND引腳,以減少寄生電感。
七、封裝與訂購信息
- ?封裝類型?:SOIC-和WSON-。
- ?訂購代碼?:提供不同封裝和狀態的訂購代碼選項,如LMM/NOPB(SOIC-封裝)和LMSD/NOPB(WSON-封裝)。
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LM27222 高速 4.5A 同步 MOSFET 驅動器
Texas Instruments UCC27301A/UCC27301A-Q1半橋驅動器數據手冊
LM27222 用于同步/異步驅動的 4.5A、30V 半橋柵極驅動器數據手冊
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