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LM27222 用于同步/異步驅動的 4.5A、30V 半橋柵極驅動器數據手冊

科技綠洲 ? 2025-05-21 15:31 ? 次閱讀
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LM27222 是一款雙通道 N 溝道 MOSFET 驅動器,旨在以推挽方式驅動 MOSFET 同步降壓穩壓器中常用的配置。LM27222 獲取 PWM 輸出 ,并為功率級 MOSFET 提供適當的時序和驅動電平。 自適應擊穿保護可防止損壞并提高效率,從而降低擊穿電流, 從而確保能夠與幾乎任何 MOSFET 一起使用的穩健設計。自適應 擊穿保護電路還將死區時間降低至 10ns,確保 最高的運行效率。LM27222 的每個驅動器的峰值拉電流和吸收電流 分別約為 3A 和 4.5Amps,Vgs 為 5V。系統性能也通過以下方式得到增強 將傳播延遲保持在 8ns。在所有負載電流下,效率再次提高 通過 LEN 引腳支持同步、非同步和二極管仿真模式。最小值 在 MOSFET 輸出端實現的輸出脈沖寬度低至 30ns。這將使 降壓穩壓器設計中具有非常高的轉換比的工作頻率。要支持低 電源狀態在筆記本電腦系統中,當 IN 和 LEN 時,LM27222僅從 5V 電源軌吸收 5μA 的電流 inputs 為低電平或浮動。
*附件:lm27222.pdf

特性

  • 自適應擊穿保護
  • 10ns 死區時間
  • 8ns 傳播延遲
  • 30ns 最小導通時間
  • 0.4Ω 下拉和 0.9Ω 上拉驅動器
  • 4.5A 峰值驅動電流
  • MOSFET 容錯設計
  • 5μA 靜態電流
  • 降壓配置中的最大輸入電壓為 30V
  • 4V 至 6.85V 工作電壓
  • SOIC-8 和 WSON 封裝

參數

image.png

方框圖

image.png

一、產品概述

LM是一款高速雙N溝道MOSFET驅動器,專為同步降壓(buck)轉換器中的推挽配置設計。它具備自適應射極跟隨保護、低傳播延遲、高峰值驅動電流等特性,適用于高電流降壓和升壓轉換器、快速瞬態DC/DC電源供應器、單端正向整流輸出以及CPUGPU核心電壓調節器等應用。

二、主要特性

  • ?自適應射極跟隨保護?:防止射極跟隨電流損壞,提高效率,減少射極跟隨時間至ns。
  • ?低傳播延遲?:ns的傳播延遲,支持高頻率操作。
  • ?高峰值驅動電流?:每路驅動器提供約A的峰值源電流和.A的峰值漏電流。
  • ?低靜態電流?:僅μA的靜態電流,降低功耗。
  • ?寬輸入電壓范圍?:V至.V的操作電壓范圍。
  • ?高電壓耐受?:最大V的輸入電壓。
  • ?多種封裝形式?:提供SOIC-和WSON-封裝選項。

三、引腳功能

  • ?SW?:高端驅動器返回,應連接到高端和低端MOSFET的公共節點。
  • ?HG?:高端柵極驅動輸出,連接到高端MOSFET的柵極。
  • ?CB?:自舉引腳,接受自舉電壓以供電高端驅動器。
  • ?IN?:接受來自控制器的PWM信號,有效高電平。
  • ?LEN?:低端柵極使能,有效高電平。
  • ?VCC?:連接到+V電源。
  • ?LG?:低端柵極驅動輸出,連接到低端MOSFET的柵極。
  • ?GND?:接地。

四、電氣特性

  • ?操作靜態電流?:IN=V, LEN=V時為μA;IN=V, LEN=V時為μA至μA。
  • ?高/低端驅動器的峰值拉電流和拉下電流?:分別為A和.A。
  • ?上升和下降時間?:約ns和ns(對于.nF負載電容)。
  • ?最小正輸出脈沖寬度?:ns。

五、功能描述

  • ?自適應射極跟隨保護?:確保高端和低端MOSFET不會同時導通,減少射極跟隨電流損失,提高效率。
  • ?低傳播延遲?:支持高頻操作,提高系統性能。
  • ?高峰值驅動電流?:快速切換大功率MOSFET,減少開關損失。
  • ?多模式支持?:支持同步、非同步和二極管仿真模式,通過LEN引腳控制。

六、應用信息

  • ?典型應用?:與LM等控制器配合使用,實現高效率、高頻率的DC/DC轉換。
  • ?布局指南?:推薦將驅動器靠近MOSFET放置,使用短而粗的走線連接HG、SW、LG和GND引腳,以減少寄生電感。

七、封裝與訂購信息

  • ?封裝類型?:SOIC-和WSON-。
  • ?訂購代碼?:提供不同封裝和狀態的訂購代碼選項,如LMM/NOPB(SOIC-封裝)和LMSD/NOPB(WSON-封裝)。
聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
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