LM5113-Q1 用于增強(qiáng)模式 GaN FET 的汽車類 100V 1.2A/5A 半橋柵極驅(qū)動器

數(shù)據(jù)： LM5113-Q1 汽車 90V、1.2A/5A 半橋 GaN 驅(qū)動器數(shù)據(jù)表 (Rev. B)

描述

LM5113-Q1專為同時驅(qū)動采用同步降壓，升壓或半橋配置的高側(cè)和低側(cè)增強(qiáng)模式氮化鎵（GaN） FET或硅質(zhì)MOSFET而設(shè)計，適用于汽車應(yīng)用。此器件具有一個集成于內(nèi)部的100V自舉二極管，還為高側(cè)和低側(cè)輸出分別提供了獨(dú)立的輸入，可實現(xiàn)最大程度的靈活控制。側(cè)偏置電壓在內(nèi)部被鉗位為5.2V，可防止柵極電壓超過增強(qiáng)模式GaN FET的最大柵極/源極電壓額定值。器件的輸入與TTL邏輯兼容，無論VDD電壓多高，它都能夠承受高達(dá)14V的輸入電壓.LM5113-Q1具有分柵輸出的能力，可獨(dú)立靈活地調(diào)節(jié)開通和關(guān)斷強(qiáng)度。

此外，LM5113-Q1具有非常可靠的灌電流能力，使能柵極保持低電平，從而防止開關(guān)操作期間發(fā)生誤導(dǎo)通.LM5113-Q1的工作頻率最高可達(dá)數(shù)MHz.LM5113-Q1采用帶有裸露焊盤的標(biāo)準(zhǔn)10引腳WSON封裝，可改善功耗。

特性

符合汽車應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn)
具有符合AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)的下列特性：
- 器件溫度1級：-40°C至125°C的環(huán)境工作溫度范圍
- 器件HBM ESD分類等級1C
- 器件帶電器件模型（CDM）ESD分類等級C6
獨(dú)立的高側(cè)和低側(cè)TTL邏輯輸入
1.2A峰值拉電流能力，5A峰值灌電流能力
高側(cè)浮動偏置電壓軌
工作電壓高達(dá)100VDC
內(nèi)部自舉電源電壓鉗位
分離輸出實現(xiàn)可調(diào)的
開通和關(guān)斷應(yīng)力
0.6Ω下拉電阻，2.1Ω上拉電阻
快速傳播時間（典型值為28ns）
優(yōu)異的傳播延遲
（典型值為1.5ns）
電源軌欠壓鎖定
低功耗

所有商標(biāo)均為其各自所有者的財產(chǎn)。

參數(shù) 與其它產(chǎn)品相比?GaN FET 驅(qū)動器

?
Driver Configuration
Number of Channels (#)
Power Switch
Bus Voltage (V)
Peak Output Current (A)
Input VCC (Min) (V)
Input VCC (Max) (V)
Rise Time (ns)
Fall Time (ns)
Prop Delay (ns)
Input Threshold
Rating
Operating Temperature Range (C)
Package Group
Package Size: mm2:W x L (PKG)
?

LM5113-Q1	LMG1020	LMG1205	LMG1210
Half Bridge ? ?	Low Side ? ?	Half Bridge ? ?	Half Bridge ? ?
2 ? ?	1 ? ?	2 ? ?	2 ? ?
MOSFET GaNFET ? ?	MOSFET GaNFET ? ?	MOSFET GaNFET ? ?	MOSFET GaNFET ? ?
90 ? ?	?	90 ? ?	200 ? ?
5 ? ?	7 ? ?	5 ? ?	3 ? ?
4.5 ? ?	4.75 ? ?	4.5 ? ?	6 ? ?
5.5 ? ?	5.25 ? ?	5.5 ? ?	18 ? ?
7 ? ?	0.21 ? ?	7 ? ?	0.5 ? ?
3.5 ? ?	0.21 ? ?	3.5 ? ?	0.5 ? ?
30 ? ?	2.5 ? ?	35 ? ?	10 ? ?
TTL ? ?	TTL ? ?	TTL ? ?	TTL ? ?
Automotive ? ?	Catalog ? ?	Catalog ? ?	Catalog ? ?
-40 to 125 ? ?	-40 to 125 ? ?	-40 to 125 ? ?	-40 to 125 ? ?
WSON ? ?	DSBGA ? ?	DSBGA ? ?	WQFN ? ?
See datasheet (WSON) ? ?	See datasheet (DSBGA) ? ?	See datasheet (DSBGA) ? ?	19WQFN: 12 mm2: 4 x 3(WQFN) ? ?