伦伦影院久久影视,天天操天天干天天射,ririsao久久精品一区 ,一本大道香蕉大久在红桃,999久久久免费精品国产色夜,色悠悠久久综合88,亚洲国产精品久久无套麻豆,亚洲香蕉毛片久久网站,一本一道久久综合狠狠老

0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發帖/加入社區
會員中心
創作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

英麥科半導體薄膜功率電感進入OPPO的ODM資源池

科技數碼 ? 來源:科技數碼 ? 作者:科技數碼 ? 2025-03-06 11:58 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

2025年2月底,英麥科自主研發的半導體薄膜功率電感產品正式進入OPPO的ODM資源池。這是公司在正式成為華勤、聞泰、龍旗三大ODM的合格供應商之后不久,在客戶端的又一次重大進展。

卓越品質保障,奠定成功基石

此次進入OPPO的ODM資源池,本質上是英麥科綜合實力的一次系統性檢驗。在2024年的工廠審核中,英麥科展示了其嚴格的質量管理體系,從來料檢,到過程管控,再到入庫檢,每一個環節都有嚴格的標準和操作規范,并在OPPO團隊的指導下,不斷改進、完善和優化品質管理

截止目前,已量產交付的產品在OPPO的幾個項目中,產品在市場無不良反饋的結果,充分展現了英麥科產品質量的穩定性。

創新的技術,契合市場需求

英麥科在通過三大ODM認證并實現項目量產后,迅速獲得品牌方認可,這一"加速度"的背后,除了過硬的產品品質與精益管理能力,更深層次折射出手機產業對技術升級的迫切需求與公司創新實力的深度契合。

隨著智能手機向“折疊屏+AI大模型”的新形態演進,主板空間壓縮與功耗效率提升成為行業面臨的核心挑戰,致使高密度主板對元器件“小體積、輕薄化、低損耗”的需求更加迫切。創新的半導體薄膜功率電感完美契合了手機行業對功率電感的發展需求。英麥科作為半導體薄膜功率電感的引領者,在通過了品質的市場考驗之后,將迎來跨越式的發展,獲得更多客戶的認可。

審核編輯 黃宇

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
  • 半導體
    +關注

    關注

    339

    文章

    31001

    瀏覽量

    265476
  • ODM
    ODM
    +關注

    關注

    0

    文章

    171

    瀏覽量

    31147
  • OPPO
    +關注

    關注

    20

    文章

    5297

    瀏覽量

    85197
  • 功率電感
    +關注

    關注

    0

    文章

    822

    瀏覽量

    17838
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    功率半導體廠商集體漲價

    漲價的風還是吹到了功率半導體;在全球上游原材料及關鍵貴金屬價格攀升的背景下,功率半導體廠商開啟漲價潮。 在2月25日,國產功率
    的頭像 發表于 02-26 18:34 ?1485次閱讀

    深圳市薩微slkor半導體有限公司是宋仕強于2015年在深圳市華強北成立,當時掌握了行業領先的第三代半導體

    深圳市薩微slkor半導體有限公司是宋仕強于2015年在深圳市華強北成立,當時掌握了行業領先的第三代半導體碳化硅材料的肖特基二極管和碳化硅mos管的生產技術,開啟了在半導體行業高速發
    發表于 01-31 08:46

    橢偏儀在半導體的應用|不同厚度c-AlN外延薄膜的結構和光學性質

    隨著半導體器件向高溫、高頻、高功率方向發展,氮化鋁(AlN)等寬禁帶半導體材料的外延質量至關重要。薄膜的厚度、界面粗糙度、光學常數及帶隙溫度依賴性直接影響器件性能。Flexfilm全光
    的頭像 發表于 12-26 18:02 ?1283次閱讀
    橢偏儀在<b class='flag-5'>半導體</b>的應用|不同厚度c-AlN外延<b class='flag-5'>薄膜</b>的結構和光學性質

    TDK PLEA85D型薄膜功率電感器:特性、應用與使用提醒

    TDK PLEA85D型薄膜功率電感器:特性、應用與使用提醒 在電子設備不斷追求小型化和高效化的今天,電源電路中的電感元件也在不斷創新。TDK的PLEA85D型
    的頭像 發表于 12-26 09:35 ?435次閱讀

    泰斯特入選2025年武漢市人工智能產品資源名單

    近日,武漢市經濟和信息化局正式公布《2025年武漢市人工智能產品資源名單》,泰斯特自主研發的“智能車聯網故障預警大模型”,作為工業制造領域垂直行業大模型,歷經區級遴選推薦、市級權威專家評審、現場
    的頭像 發表于 11-30 17:03 ?1300次閱讀

    橢偏儀在半導體薄膜厚度測量中的應用:基于光譜干涉橢偏法研究

    的厚度與折射率的高精度表征,廣泛應用于薄膜材料、半導體和表面科學等領域。為解決半導體領域常見的透明硅基底上薄膜厚度測量的問題并消除硅層的疊加信號,本文提出基于光譜干
    的頭像 發表于 09-08 18:02 ?1966次閱讀
    橢偏儀在<b class='flag-5'>半導體</b><b class='flag-5'>薄膜</b>厚度測量中的應用:基于光譜干涉橢偏法研究

    一文了解功率半導體的可靠性測試

    功率半導體概述功率半導體是一種特殊的半導體器件,它們在電力系統中扮演著至關重要的角色。這些器件能夠高效地控制和調節電力的流動,包括電壓和頻率
    的頭像 發表于 08-25 15:30 ?872次閱讀
    一文了解<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>半導體</b>的可靠性測試

    半導體外延和薄膜沉積有什么不同

    半導體外延和薄膜沉積是兩種密切相關但又有顯著區別的技術。以下是它們的主要差異:定義與目標半導體外延核心特征:在單晶襯底上生長一層具有相同或相似晶格結構的單晶薄膜(外延層),強調晶體結構
    的頭像 發表于 08-11 14:40 ?1985次閱讀
    <b class='flag-5'>半導體</b>外延和<b class='flag-5'>薄膜</b>沉積有什么不同

    功率半導體器件——理論及應用

    本書較全面地講述了現有各類重要功率半導體器件的結構、基本原理、設計原則和應用特性,有機地將功率器件的設計、器件中的物理過程和器件的應用特性聯系起來。 書中內容由淺入深,從半導體的性質
    發表于 07-11 14:49

    淺談半導體薄膜制備方法

    本文簡單介紹一下半導體鍍膜的相關知識,基礎的薄膜制備方法包含熱蒸發和濺射法兩類。
    的頭像 發表于 06-26 14:03 ?1720次閱讀
    淺談<b class='flag-5'>半導體</b><b class='flag-5'>薄膜</b>制備方法

    信RCP系列羅氏線圈產品介紹

    信(Micsig)柔性電流探頭(羅氏線圈)RCP系列可根據用戶需求靈活定制,帶寬高達30MHz,最大可測電流達12000Apk,探頭的耐壓值最高可達10kVrms,線圈截面最細可達1.6mm
    的頭像 發表于 06-05 16:18 ?1475次閱讀
    <b class='flag-5'>麥</b><b class='flag-5'>科</b>信RCP系列羅氏線圈產品介紹

    從清華大學到鎵未來科技,張大江先生在半導體功率器件十八年的堅守!

    從清華大學到鎵未來科技,張大江先生在半導體功率器件十八年的堅守!近年來,珠海市鎵未來科技有限公司(以下簡稱“鎵未來”)在第三代半導體行業異軍突起,憑借領先的氮化鎵(GaN)技術儲備和不斷推出的新產品
    發表于 05-19 10:16

    信獲評CIAS2025金翎獎【半導體制造與封測領域優質供應商】

    制造與封測領域優質供應商榜單。本屆大會以\"新能源芯時代\"為主題,匯集了來自功率半導體、第三代材料應用等領域的行業專家與企業代表。 作為專注電子測試測量領域的高新技術企業,
    發表于 05-09 16:10

    信光隔離探頭在碳化硅(SiC)MOSFET動態測試中的應用

    碳化硅(SiC)MOSFET 是基于寬禁帶半導體材料碳化硅(SiC)制造的金屬氧化物半導體場效應晶體管,相較于傳統硅(Si)MOSFET,具有更高的擊穿電壓、更低的導通電阻、更快的開關速度以及更優
    發表于 04-08 16:00

    意法半導體諾賽簽署氮化鎵技術開發與制造協議 借力雙方制造產能

    ??雙方簽署氮化鎵(GaN)技術聯合開發協議,致力于為AI數據中心、可再生能源發電與存儲、汽車等領域打造面向未來的功率電子技術。 ??諾賽可借助意法半導體在歐洲的制造產能,意法
    的頭像 發表于 04-01 10:06 ?4910次閱讀
    意法<b class='flag-5'>半導體</b>與<b class='flag-5'>英</b>諾賽<b class='flag-5'>科</b>簽署氮化鎵技術開發與制造協議 借力雙方制造產能