氧化鎵工藝突破
有望大規模應用
近年來，氧化鎵(Ga2O3)作為一種“超寬禁帶半導體”材料，得到了持續關注。從行業分級看，超寬禁帶半導體屬于“第四代半導體”，與第三代半導體碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)相比，氧化鎵的禁帶寬度達到了4.9eV，高于碳化硅的3.2eV和氮化鎵的3.39eV。

來源：氧化鎵襯底樣品

更寬的禁帶寬度意味著電子需要更多的能量從價帶躍遷到導帶，這使得基于氧化鎵的功率器件具有更大的工作電流、電壓以及更小的導通電阻、器件尺寸和更高的轉換效率，在制作高性能功率器件方面有突出優勢。有行業人士預測，氧化鎵將在2025年至2030年全面滲透車載和電氣設備領域。

鎵仁半導體

率先實現6英寸氧化鎵襯底銷售
浙江知名半導體企業“杭州鎵仁半導體有限公司”，依托浙江大學硅及先進半導體材料全國重點實驗室、浙江大學杭州國際科創中心和浙江省寬禁帶功率半導體材料與器件重點實驗室，成功開創了采用鑄造法的氧化鎵單晶生長新技術，推出6英寸的鑄造法單晶襯底，并率先實現6英寸的銷售。同期，鎵仁在國內率先完成4英寸VB法氧化鎵長晶設備及工藝包的驗證，并全面開放銷售。重磅發布 | 鎵仁半導體推出氧化鎵專用晶體生長設備

鎵仁半導體成功制備VB法(非銥坩堝)4英寸氧化鎵單晶

在工作中，鎵仁研發部門需要采用檢測設備對氧化鎵襯底表面進行三維形貌采集并測量，以及測量襯底表面的粗糙度。

優可測白光方案
將檢測效率提升至秒級

通過多輪評估對比，研發團隊最終引進優可測AM7000系列白光干涉儀。

優可測白光干涉儀標配高精度壓電陶瓷（PZT），最高掃描速度為400μm/秒，搭載高感光度、高像素、最高3200Hz掃描幀率的CMOS相機，配合業內首創SST+GAT算法，可瞬間完成最高500萬點云采集，樣品測量的重復性偏差達到了0.006nm。在與原子力顯微鏡的對比測試中，測量精度一一對應。

在效率對比中，使用原子力顯微鏡對氧化鎵襯底樣品單點粗糙度測量，需要接近20分鐘時間，使用優可測白光干涉儀則3秒鐘左右即可生成測試報告，大大提升了樣品測量效率，為研發部門爭取到了更多寶貴的時間。