安森美 (onsemi) NVBG050N170M1碳化矽（SiCSiC）MOSFET是1700V M1平面SiC MOSFET系列的一部分，該系列專為快速開關(guān)應(yīng)用而優(yōu)化。此MOSFET具有最大76mΩ（在20V最大RDS(ON) 、1700V漏極至源極電壓、50A漏極連續(xù)電流和超低柵極充電/電荷（典型 QG(tot) = 107nC）時(shí)）。NVBG050N170M1 SiC MOSFET的有效輸出電容較低（典型Coss = 97pF），柵極至源極電壓為-15V/+25V。該碳化硅MOSFET 100%經(jīng)過雪崩測(cè)試，采用D2PAK-7L封裝。NVBG050N170M1碳化矽（SiC）MOSFET為無鉛2LI，不含鹵化物，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，豁免7a條。典型應(yīng)用包括反激式轉(zhuǎn)換器、電動(dòng)汽車/混合動(dòng)力汽車用DC-DC轉(zhuǎn)換器以及車載充電器（OBC）。

數(shù)據(jù)手冊(cè)：*附件：onsemi NVBG050N170M1碳化矽（SiC）MOSFET數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf

特性

• 典型RDS(on) = 53mΩ（VGS = 20V）
• 超低柵極電荷（典型QG(tot) = 107nC）
• 低有效輸出電容（典型Coss = 97pF）
• 100% 經(jīng)雪崩測(cè)試
• 不含鹵素
• 符合RoHS指令（7a豁免）
• 無鉛2LI（二級(jí)互連）

MOSFET概述

典型特性

尺寸

onsemi NVBG050N170M1 碳化矽 MOSFET 技術(shù)解析與應(yīng)用指南

一、產(chǎn)品概述

?NVBG050N170M1? 是安森美(onsemi)推出的EliteSiC系列1700V碳化矽MOSFET，采用D2PAK-7L封裝，具備53mΩ的超低導(dǎo)通電阻和優(yōu)異的開關(guān)特性。該器件專為?電動(dòng)汽車/混合動(dòng)力汽車?的? 車載充電器(OBC) ? 和?DC-DC變換器?等高壓應(yīng)用場(chǎng)景設(shè)計(jì)。

二、核心技術(shù)特性

2.1 電氣性能參數(shù)

• ?擊穿電壓?：1700V (V(BR)DSS)
• ?導(dǎo)通電阻?：典型值53mΩ @ VGS=20V, ID=35A, TJ=25°C
• ?最大連續(xù)漏極電流?：
  • 50A @ TC=25°C
  • 35A @ TC=100°C
• ?柵極電荷?：總電荷典型值107nC，閾值電荷7.6nC

2.2 開關(guān)特性優(yōu)勢(shì)

• ?極低輸出電容?：典型值97pF (Coss)
• ?快速開關(guān)能力?：
  • 開啟延遲時(shí)間：14ns
  • 上升時(shí)間：22ns
• ?開關(guān)損耗?：在VDS=1200V, ID=35A條件下，總開關(guān)損耗典型值1001mJ

2.3 熱管理特性

• ?結(jié)殼熱阻?：0.39°C/W (RθJC)
• ?工作結(jié)溫范圍?：-55°C至+175°C
• ?雪崩能量?：?jiǎn)蚊}沖260mJ (EAS)

三、關(guān)鍵技術(shù)創(chuàng)新

3.1 柵極驅(qū)動(dòng)優(yōu)化

?推薦工作電壓范圍?：-5V至+20V，提供更安全的驅(qū)動(dòng)裕量。與傳統(tǒng)硅基MOSFET相比，碳化矽器件需要更負(fù)的關(guān)斷電壓以確保可靠性。

3.2 體二極管特性

• ?連續(xù)源極電流?：87A (體二極管)
• ?反向恢復(fù)時(shí)間?：27ns
• ?反向恢復(fù)電荷?：233nC

3.3 溫度穩(wěn)定性

導(dǎo)通電阻在高溫下表現(xiàn)穩(wěn)定：

• 25°C時(shí)：53mΩ
• 175°C時(shí)：107mΩ
  溫度系數(shù)為正，有利于并聯(lián)應(yīng)用的均流。

四、應(yīng)用設(shè)計(jì)指南

4.1 柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)

• ?驅(qū)動(dòng)電壓?：建議使用-5V關(guān)斷，+20V開啟
• ?柵極電阻?：外部柵極電阻影響開關(guān)損耗，需根據(jù)實(shí)際應(yīng)用優(yōu)化選擇

4.2 散熱設(shè)計(jì)考量

基于熱阻參數(shù)，設(shè)計(jì)散熱系統(tǒng)時(shí)需確保：

• 最大結(jié)溫不超過175°C
• 考慮瞬態(tài)熱阻抗對(duì)脈沖功率處理能力的影響

4.3 保護(hù)電路設(shè)計(jì)

• ?雪崩能量?：器件經(jīng)過100%雪崩測(cè)試，在設(shè)計(jì)中可利用此特性實(shí)現(xiàn)有效的過壓保護(hù)

五、典型應(yīng)用場(chǎng)景

5.1 電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)

在車載充電器中，該器件的高壓特性支持直接處理電網(wǎng)電壓，簡(jiǎn)化電路拓?fù)洹?/p>

5.2 高壓DC-DC變換器

適用于電動(dòng)汽車動(dòng)力電池系統(tǒng)中的高壓直流變換，提供高效率的功率轉(zhuǎn)換。

5.3 工業(yè)電源系統(tǒng)

在工業(yè)應(yīng)用中，1700V的擊穿電壓為三相380V系統(tǒng)提供充足的電壓裕量。

六、設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)

6.1 極限參數(shù)遵守

• ?絕對(duì)最大柵源電壓?：-15V/+25V
• ?最大功耗?：385W @ TC=25°C

6.2 PCB布局建議

• 充分利用D2PAK-7L封裝的多個(gè)源極引腳，降低寄生電感
• 為柵極驅(qū)動(dòng)提供低阻抗回路，確保開關(guān)穩(wěn)定性