在大數據和人工智能時代，數據存儲需求呈指數級增長，市場對存儲媒介的性能、容量和能效提出了更高要求。

隨著閃存技術向高存儲密度發展，一個存儲單元可以存儲四比特單位的QLC（Quad-Level Cell）以其高容量、低成本的特點，成為滿足這一需求的重要技術方向。相較于傳統的一個存儲單元可以存儲三比特單位的TLC（Triple-Level Cell），QLC在保持成本優勢的同時，提供了更大的存儲容量，成為業界關注的焦點。

QLC創新實踐

M.2 2280 PCle 4.0x4 NVMe SSD

實現性能飛躍

實踐路徑

德明利聚焦于創新性存儲解決方案的研發，深入探索存儲介質及QLC特性分析。

德明利研發團隊通過引入先進的糾錯算法、智能功耗管理和高性能的硬件架構，與PCIe Gen4 M.2接口結合，打造出一系列商規級存儲產品，為市場提供性能與成本雙優的存儲解決方案。

性能亮點

通過采用QLC NAND閃存，德明利M.2 2280 PCle 4.0x4 NVMe SSD容量達到4TB，實現同等體積下存儲容量的成倍增長，且順序讀取速度超過7000 MB/s。在保持高性價比的同時，確保QLC SSD品質等效TLC SSD，滿足人工智能、大數據處理等應用對存儲設備的高性能要求。

國內首顆支持ONFI 5.0標準

TW6501 SATA SSD 存儲芯片

為了進一步釋放QLC技術的潛能。

德明利自主研發的TW6501 SATA SSD存儲芯片目前正處于回片驗證的關鍵階段。

完全自主研發

SATA SSD存儲芯片

作為國內首顆支持ONFI 5.0標準TW6501 SATA SSD存儲芯片支持4TB大容量存儲，采用4K LDPC糾錯技術，實現新型閃存顆粒的兼容，提升數據傳輸效率與安全性。設計上采用RISC-V指令集，集成多種自研硬件加速模塊，確保高速數據處理，同時低功耗設計（工作1W/支持Devslp），符合綠色存儲的未來趨勢。

德明利在QLC閃存介質上的持續探索，不僅體現在產品性能的提升，更在于對整個存儲生態的積極推動作用。

通過在M.2 2280 PCle 4.0x4 NVMe SSD創新實踐及TW6501 SATA SSD 存儲芯片上的創新應用，德明利不僅為市場提供了高性能、大容量、低能耗的存儲解決方案，也為QLC閃存介質在存儲領域的廣泛應用奠定了堅實基礎。

在數據洪流的今天，德明利正積極推動存儲行業邁向一個高效、綠色且成本效益顯著提升的新時代，滿足了市場對存儲設備高性能、大容量、低能耗的綜合需求。