新品
3300V,1200A IGBT4 IHV B模塊

知名的IHV B 3.3kV單開關(guān)IGBT模塊經(jīng)過了重大改進(jìn),以滿足牽引和工業(yè)應(yīng)用(如中壓傳動或HVDC)當(dāng)前和未來的要求。
其最新推出的產(chǎn)品組合類型是經(jīng)過優(yōu)化的IGBT和二極管比率,F(xiàn)Z1200R33HE4D_B9足以取代英飛凌和競爭對手的1500A 3.3kV單開關(guān)。
它采用TRENCHSTOP IGBT4和發(fā)射極可控EC4二極管,具有更強的功率循環(huán)能力,標(biāo)準(zhǔn)封裝為IHV B 190x140mm2。
與前幾代產(chǎn)品相比,客戶可以輕松切換,同時節(jié)省成本。
產(chǎn)品型號:
■FZ1200R33HE4D_B9
產(chǎn)品特點
高短路能力
開關(guān)損耗低
低VCEsat
Tvj op max=150°C
無與倫比的動態(tài)魯棒性
火災(zāi)和煙霧EN45545 R22、R23:HL3
CTI>600
與最先進(jìn)型號比有2倍功率循環(huán)
用于發(fā)電工況的擴大二極管
矩形RBSOA
應(yīng)用價值
2xPC,可實現(xiàn)200%的使用壽命或在相同壽命下,實現(xiàn)110%的輸出功率或8K溫度余量
故障電流RBSOA高達(dá)3000A
性能與任何1500A 3.3kV相同
與190x140毫米模塊1:1尺寸互換
在惡劣環(huán)境條件下的使用壽命為30年
競爭優(yōu)勢
與IGBT3 3.3kV競爭類型相比200%功率循環(huán),可在大多數(shù)應(yīng)用中實現(xiàn)200%的使用壽命,或在相同使用壽命內(nèi)實現(xiàn)110%的輸出功率,或在相同使用壽命內(nèi)增加8K溫度余量
足以替代任何1500A 3.3kV型產(chǎn)品
比IGBT3便宜10%
應(yīng)用領(lǐng)域
機車牽引
工業(yè)驅(qū)動器
輸配電
CAV
-
二極管
+關(guān)注
關(guān)注
149文章
10406瀏覽量
178394 -
IGBT
+關(guān)注
關(guān)注
1288文章
4331瀏覽量
262965
發(fā)布評論請先 登錄
FZ1200R33HE4DB9BPSA1 Infineon Technologies IGBT 模塊 IHV IHM T
新品 | CoolSiC? 碳化硅MOSFET M1H EasyDUAL? 1200V
納微半導(dǎo)體發(fā)布3300V/2300V超高壓SiC全系產(chǎn)品組合
新品 | 采用.XT擴散焊和第二代1200V SiC MOSFET的Easy C系列
派恩杰3300V MOSFET晶圓的應(yīng)用場景
新品 | 針對車載充電和電動汽車應(yīng)用的EasyPACK? CoolSiC? 1200V和硅基模塊
群芯微電子推出3300V超高壓光繼電器系列
新品 | 英飛凌EconoDUAL? 3 CoolSiC? SiC MOSFET 1200V模塊
新品 | 儲能用1200V 500A NPC2 三電平IGBT EasyPACK? 3B模塊
龍騰半導(dǎo)體推出1200V 50A IGBT
新品 | 半橋1200V CoolSiC? MOSFET EconoDUAL? 3模塊
新品 | 3300V,1200A IGBT4 IHV B模塊
評論