近日,全球領先的半導體公司安森美(onsemi)宣布了一項重大收購計劃,已與Qorvo達成協議,將以1.15億美元現金收購其碳化硅結型場效應晶體管(SiC JFET)技術業務,以及Qorvo旗下的子公司United Silicon Carbide。
此次收購對于安森美來說意義重大。SiC JFET技術的加入,將極大地豐富安森美現有的EliteSiC電源產品組合,使其能夠更全面地滿足人工智能(AI)數據中心電源AC-DC段對高能效和高功率密度的迫切需求。在當前數據中心日益追求高效能和低能耗的背景下,這一收購無疑為安森美提供了強大的技術支持和市場競爭力。
此外,該收購還將加速安森美在電動汽車斷路器和固態斷路器(SSCB)等新興市場的布局和拓展。隨著電動汽車和智能電網的快速發展,這些新興市場對高性能、高可靠性的碳化硅器件需求日益旺盛。安森美憑借此次收購,將有望在這些領域取得更加顯著的突破和進展。
未來,安森美將繼續致力于技術創新和市場拓展,為全球客戶提供更加優質、高效的半導體產品和服務。
聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。
舉報投訴
-
安森美
+關注
關注
33文章
1944瀏覽量
95712 -
JFET
+關注
關注
3文章
200瀏覽量
23509 -
AI
+關注
關注
91文章
40498瀏覽量
302088 -
碳化硅
+關注
關注
26文章
3514瀏覽量
52554
發布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
Wolfspeed發布300mm碳化硅AI數據中心先進封裝平臺
全球碳化硅技術引領者 Wolfspeed 公司(美國紐約證券交易所上市代碼:WOLF)于近日宣布,Wolfspeed 300mm 碳化硅 (SiC) 技術平臺可在這十年內成為支撐先進人
安森美多系列功率器件產品助力突破AI數據中心能效瓶頸
隨著 AI 算力需求的爆發式增長,數據中心正面臨功率密度激增、能耗加劇及行業效率標準日趨嚴苛的多重考驗。作為功率器件領域的領導廠商,安森美(onsemi)如何助力客戶突破能效瓶頸,以下通過安森
安森美SiC JFET和SiC Combo JFET產品組合介紹
性能。我們已介紹過浪涌電流、應對不斷攀升的電力需求、為什么要使用固態斷路器,SSCB 采用 SiC JFET 的四個理由,SiC JFET 如何實現熱插拔控制。本文將繼續介紹AI電力革命、安森
安森美650V碳化硅MOSFET:NTH4L075N065SC1的技術剖析
在電力電子領域,碳化硅(SiC)MOSFET以其出色的性能逐漸成為眾多應用的首選。今天,我們就來深入剖析安森美(onsemi)的一款碳化硅MOSFET——NTH4L075N065SC1。
安森美NTH4L028N170M1碳化硅MOSFET深度解析
在電力電子領域,碳化硅(SiC)MOSFET憑借其卓越的性能正逐漸成為眾多應用的首選功率器件。安森美(onsemi)推出的NTH4L028N170M1碳化硅MOSFET,更是在性能和可靠性方面表現出色。今天,我們就來詳細解析這款
安森美NXH008T120M3F2PTHG碳化硅模塊:高性能電源解決方案
在電源模塊領域,碳化硅(SiC)技術憑借其出色的性能逐漸嶄露頭角。安森美(onsemi)推出的NXH008T120M3F2PTHG碳化硅模塊
芯聯集成發布全新碳化硅G2.0技術平臺 重點覆蓋新能源和AI數據中心電源
繼SiC MOSFET在新能源汽車主驅領域實現快速上量應用后,AI數據中心電源正成為其下一個爆發式增長市場。 ? 近日,芯聯集成(688469.SH)發布全新碳化硅G2.0技術平臺,采
安森美已獲得奧拉半導體Vcore電源技術授權
安森美(onsemi,美國納斯達克股票代號:ON)宣布已與奧拉半導體(Aura Semiconductor)完成Vcore電源技術及相關知識產權(IP)的授權交易。此項戰略交易增強了安森美
安森美SiC器件賦能下一代AI數據中心變革
電源解決方案。特別是近期,安森美攜手英偉達,共推下一代AI數據中心加速向800V直流供電方案轉型,這種技術能力的廣度和深度使
Wolfspeed碳化硅技術實現大規模商用
碳化硅 (SiC) 技術并非憑空而來,它是建立在數十年的創新基礎之上。近四十年來,Wolfspeed 始終致力于碳化硅 (SiC) 技術和產品
Wolfspeed 200mm碳化硅材料產品組合開啟大規模商用
全球碳化硅 (SiC) 技術引領者 Wolfspeed 公司(美國紐約證券交易所上市代碼:WOLF)宣布,Wolfspeed 200mm 碳化硅材料產品開啟大規模商用。這一重要里程碑標
派恩杰第四代碳化硅產品在AI基建的應用
在 AI 基建中,碳化硅(SiC)憑借高頻高效、耐高溫、高功率密度等特性,成為解決 “算力飆升與能耗、空間、散熱瓶頸” 矛盾的核心材料。從數據中心的電源系統到邊緣
安森美SiC Combo JFET技術概覽和產品介紹
安森美推出了具有卓越 RDS(on)*A 性能的 SiC JFET。 該器件特別適用于需要大電流處理能力和較低開關速度的應用,如固態斷路器和大電流開關系統。得益于碳化硅(SiC)優異的材料特性
安森美收購碳化硅JFET技術,強化AI數據中心電源產品組合
評論