新品

CoolSiC MOSFET 650V G2，

7mΩ，采用TO247和TO247-4封裝

CoolSiC MOSFET 650V G2，7mΩ，采用TO-247和TO-247-4 4引腳封裝，以第1代技術(shù)的優(yōu)勢(shì)為基礎(chǔ)，加快了系統(tǒng)設(shè)計(jì)的成本優(yōu)化，實(shí)現(xiàn)高效、緊湊和可靠解決方案。CoolSiC MOSFET第2代在硬開(kāi)關(guān)工況和軟開(kāi)關(guān)拓?fù)涞年P(guān)鍵性能指標(biāo)上都有顯著改進(jìn)，適用于所有常見(jiàn)的系統(tǒng)設(shè)計(jì)。交流-直流、直流-直流和直流-交流電路及其組合。

產(chǎn)品型號(hào)：

■IMW65R007M2H

■IMZA65R007M2H

產(chǎn)品特點(diǎn)

優(yōu)異的性能指標(biāo)（FOM）

個(gè)位數(shù)RDS(on）

堅(jiān)固耐用，整體質(zhì)量高

靈活的驅(qū)動(dòng)電壓范圍

支持單電源驅(qū)動(dòng)，VGS（off）=0

避免誤開(kāi)通

.XT技術(shù)改進(jìn)封裝互聯(lián)

應(yīng)用價(jià)值

節(jié)省物料清單

最大限度地提高單位成本的系統(tǒng)性能

最高可靠性

實(shí)現(xiàn)最高效率和功率密度

易于使用

與現(xiàn)有供應(yīng)商完全兼容

允許無(wú)需風(fēng)扇或無(wú)散熱器設(shè)計(jì)

競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)

開(kāi)關(guān)損耗極低

標(biāo)桿性柵極閾值電壓，VGS(th)=4.5V

柵極關(guān)斷電壓為0V，可抵御寄生導(dǎo)通

驅(qū)動(dòng)電壓靈活，與正負(fù)電源驅(qū)動(dòng)兼容

用于硬換流的堅(jiān)固體二極管

.XT互聯(lián)技術(shù)可實(shí)現(xiàn)同類最佳的散熱性能

競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)

開(kāi)關(guān)電源(SMPS)

光伏逆變器

儲(chǔ)能系統(tǒng)

UPS

電動(dòng)汽車充電

電機(jī)驅(qū)動(dòng)