近日，上海貝嶺市場工業(yè)市場經(jīng)理冒晶晶受邀參加由全球技術(shù)信息集團(tuán) ASPENCORE舉辦的“IIC SHENZHEN-國際集成電路展覽會暨研討會”。會議中，上海貝嶺工業(yè)市場經(jīng)理冒晶晶進(jìn)行了 “功率器件助推上海貝嶺積極融入新能源賽道”的主題演講并與出席會議的各大半導(dǎo)體行業(yè)專家及相關(guān)產(chǎn)業(yè)嘉賓進(jìn)行了交流學(xué)習(xí)。

此次會議中，上海貝嶺憑借第7代750V 275A 溝槽柵場阻止結(jié)構(gòu)IGBT芯片(BLQG275T75F)榮獲“年度功率半導(dǎo)體/驅(qū)動器”獎項。

BLQG275T75F產(chǎn)品基于貝嶺Trench-FS Gen7 技術(shù)平臺，具有正向壓降小、開關(guān)速度快，開關(guān)損耗低、高可靠性等特點(diǎn)。采用第七代微溝槽柵技術(shù)，優(yōu)化了導(dǎo)通壓降和開關(guān)損耗，實(shí)現(xiàn)更好的輸出特性及高可靠性。采用優(yōu)化的多層場截止技術(shù)，改善了器件在不同母線電壓和柵電阻下的短路表現(xiàn)。采用優(yōu)化的結(jié)終端技術(shù)，實(shí)現(xiàn)175℃的最高工作溫度、高可靠性以及強(qiáng)魯棒性。

該芯片完成全面的車規(guī)認(rèn)證，特別為工作頻率在5 至20kHz的硬開關(guān)電路設(shè)計，主要面向新能源汽車應(yīng)用市場。該芯片針對電動汽車驅(qū)動應(yīng)用特點(diǎn)特別優(yōu)化損耗分布，優(yōu)化正溫度系數(shù)，使得該芯片易于并聯(lián)使用，保證了產(chǎn)品的易拓展性，可通過不同封裝形式滿足不同功率等級的應(yīng)用。

應(yīng)用：以TO-247PLUS 單管封裝可廣泛應(yīng)用于最高40kW的汽車主驅(qū)逆變器，適合A0級和A00級純電動汽車。以HPD等形式的750V IGBT功率模塊可廣泛應(yīng)用于最高120kW的汽車主驅(qū)逆變器，適合A級純電動及混合動力汽車。