2025年10月30日，由蓋世汽車主辦的第七屆金輯獎頒獎盛典在上海圓滿落幕。上海貝嶺憑借車規級特高壓MOSFET BLQ3N100E/BLQ3N120，榮獲 “金輯獎2025最佳技術實踐應用獎”，公司執行總監唐振寧先生出席并領獎。

“金輯獎”旨在推動中國汽車產業的技術進步與生態升級，本屆圍繞“中國汽車新供應鏈百強”主題，重點關注車規級芯片等十大領域。其“最佳技術實踐應用獎”專門授予那些已將前沿技術轉化為穩定、量產產品的企業。上海貝嶺的車規級特高壓MOSFET產品，正是這一理念的杰出代表。

SHANGHAI BELLING

產品型號：BLQ3N100E/BLQ3N120

工藝類型節點：0.35μm MOS工藝

封裝信息：TO252/TO263

車規認證等級：AEC-Q101

應用領域：汽車BMS、車載輔助電源、預充電路、電子泄放開關等

上車情況：國內多家主流主機廠、Tire1

產品亮點：硅基N溝道增強型MOSFETs，耐壓分別高達1000V/1200V，采用先進的MOSFET技術，可降低導通損耗、提高開關性能并增強雪崩能量。

產品簡介：本系列是N溝道增強型特高壓平面MOSFET產品，憑借其先進的半導體工藝和結構優化，在降低導通損耗、提升開關速度及增強抗瞬態能力方面表現卓越。優化的雪崩耐受能力則保障了設備在復雜電壓波動下的穩定運行，結合緊湊封裝設計，為高密度、高可靠性的系統方案提供了理想選擇。可適用于新能源汽車動力電池管理系統、車載輔助電源等場景。

技術參數：BLQ3N120以1200V耐壓、低至5Ω的典型導通電阻，結合27nC的柵極電荷優化，在高壓場景中顯著降低導通與開關損耗；

BLQ3N100E則以1000V耐壓、6.2Ω為基礎，通過13.8nC的超低Qg和內置ESD保護結構，兼顧高頻開關效率與抗靜電能力。

兩者均通過100%雪崩能量測試及AEC-Q101車規認證，支持-55℃至150℃結溫范圍。

以技術實踐，推動產業前行

此次獲獎，不僅是行業對上海貝嶺技術研發與產品落地能力的肯定，也是對我們在車規級功率半導體領域持續創新的鼓勵。未來，上海貝嶺將繼續深耕汽車電子賽道，以更多“芯”力量，助力中國汽車新供應鏈的崛起與全球競爭力的提升。