IGBT/SiC等功率器件是光伏逆變器的核心半導體部件，負責實現直流-交流轉換過程中的高頻開關操作，性能的好壞直接影響光伏發電效率、功率密度和可靠性，而其所具備的如過壓保護、過流保護、短路保護等功能，確保系統在異常情況下能夠快速響應，避免設備損壞。

安森美（onsemi）為光伏市場提供一系列獨特的解決方案，幫助客戶應對設計挑戰。

01 SiC MOSFET和IGBT技術：

安森美針對光伏逆變器設計提供了多款高性能碳化硅以及最新第七代 IGBT產品FS7，包括650V和1200V的SiC MOSFET和SiC二極管，混合SiC模塊和全SiC模塊配合最新的F5BP封裝產品, 用于300kW+ 組串式逆變器，有助于提高系統功率密度與轉換效率，降低整體系統成本。

最新的第 7 代 1200V QDual3 IGBT 功率模塊，與其他同類產品相比，該模塊的功率密度更高，且提供高10%的輸出功率，應用于 150 千瓦的逆變器中時，QDual3 模塊的損耗比同類最接近的競品少 200 瓦（W），從而大大縮減散熱器的尺寸，支持客戶在相同系統尺寸下，設計出發電能力更強的太陽能逆變器，并提供了一種即插即用的解決方案，即刻實現系統性能和能效的提升。

02 智能電源技術：

安森美的智能電源技術支持新一代的150kw智能商用逆變器，有助于提升市場占有率；

03 高能效封裝:

安森美的IGBT FS7和Elite SiC MOSFET技術及高能效封裝有助于推動產品力的發展；

04 定制化解決方案:

安森美提供定制化解決方案，助力客戶實現最高能效的太陽能電池組；

05 垂直整合的SiC方案:

安森美提供從襯底到模塊的端到端SiC方案，包括SiC晶球生長、襯底、外延、器件制造、集成模塊和分立封裝方案；

06 全球制造和支持能力:

安森美擁有全球領先的制造規模以及供應和支持能力，能夠滿足不同市場的需求。

安森美的IGBT/SiC等功率器件廣泛應用光伏領域，并得到了客戶的高度認可。近日，安森美IGBT/SiC等功率器件已入圍維科杯·OFweek 2024卓越光伏零部件及配套品牌獎項，期待您的一票。

OFweek 2024 (第十五屆) 太陽能光伏產業大會暨行業年度評選頒獎典禮將于2024年8月27日在中國·深圳隆重舉辦，現在為網上投票階段。