炎炎夏日，你以為空調(diào)是耗電大戶？

其實真正的“能耗巨獸”是它——AI數(shù)據(jù)中心

看一個數(shù)據(jù)，以GPT-4為例，單次訓練耗能相當于3000戶家庭年用電量

安森美（onsemi）早已備下全環(huán)節(jié) “降能耗 + 穩(wěn)運行” 方案，助力AI數(shù)據(jù)中心在效率、功率密度和系統(tǒng)成本之間實現(xiàn)最佳平衡

這就來一探究竟

安森美為AI數(shù)據(jù)中心提供從電網(wǎng)到GPU的一整套電源解決方案▲

隨著AI算力需求呈指數(shù)級增長，服務(wù)器電源功率正從當前的3-5kW向20kW以上快速演進，與之匹配的電源供應(yīng)單元輸出電壓也從傳統(tǒng)12V升級至48V 。面對這一變革，安森美構(gòu)建了覆蓋電網(wǎng)接入到GPU的全鏈路電源解決方案。

在UPS（不間斷電源）、PDU（電源分配單元）、PSU（電源供應(yīng)單元）、BBU（電池備份單元）等關(guān)鍵子系統(tǒng)中，安森美通過技術(shù)協(xié)同效應(yīng)實現(xiàn)能效躍升。領(lǐng)先的方案融合了先進的硅基（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率開關(guān)技術(shù)，同時集成柵極驅(qū)動器、多相控制器及48V控制器、智能功率級（SPS）模塊、智能熔絲以及負載點（PoL）降壓轉(zhuǎn)換器等多種元器件。這種組合不僅顯著提升系統(tǒng)能效與功率密度，更能大幅縮減設(shè)備體積，為高密度數(shù)據(jù)中心節(jié)省寶貴空間。

明星產(chǎn)品

EliteSiC 650V MOSFET：能效提升的核心引擎

EliteSiC 650V MOSFET是天生的效率高手，提供了卓越的開關(guān)性能和更低的器件電容，可在數(shù)據(jù)中心中實現(xiàn)更高的效率。與上一代產(chǎn)品相比，新一代SiC MOSFET的柵極電荷減半，并且將儲存在輸出電容(Eoss)和輸出電荷(Qoss)中的能量均減少了44%。

PowerTrenchT10 MOSFET：大電流的 “緊湊管家”

PowerTrench T10 MOSFET系列專為處理對DC-DC 功率轉(zhuǎn)換級至關(guān)重要的大電流而設(shè)計，以緊湊的封裝尺寸提供了更高的功率密度，還自帶卓越的熱性能，堪稱 “小身材大能量” 的典范。

通過使用PowerTrench T10 MOSFET和EliteSiC 650V解決方案，數(shù)據(jù)中心的電力損耗能直接減少約1%。別小看這1%，如果在全球的數(shù)據(jù)中心實施這一解決方案，每年可以減少約10太瓦時的能源消耗，相當于每年為近百萬戶家庭提供全年的用電量。

高壓總線架構(gòu)“智能衛(wèi)士”

安森美的SiC Combo JFET為400/800V DC高壓總線架構(gòu)應(yīng)用設(shè)計，熱插拔/eFuse這些關(guān)鍵場景全靠它護駕。這些器件提供高開關(guān)頻率，并實現(xiàn)行業(yè)內(nèi)最低的每單位面積RDS(on)。

SPM31 智能功率模塊：變頻驅(qū)動的 “性能王者”

安森美的第一代基于1200V碳化硅（SiC）金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）的SPM31智能功率模塊（IPM）系列，在三相變頻驅(qū)動應(yīng)用如AI數(shù)據(jù)中心等應(yīng)用中非常能打。與使用第7代場截止（FS7）IGBT技術(shù)相比，EliteSiC SPM 31 IPM在超緊湊的封裝尺寸中提供超高的能效和功率密度，從而實現(xiàn)比市場上其他解決方案更低的整體系統(tǒng)成本。

AI數(shù)據(jù)中心應(yīng)用中安森美擁有豐富產(chǎn)品線▲